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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104952634B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510303404.2
申请日：2015-06-05
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种离子液体‑锂盐凝胶聚合物电解质及其制备和应用。本发明以高分子聚合物为基材，离子液体为分散剂，锂盐为导电介质，采用冷冻干燥法制备了一种新型离子液体‑锂盐凝胶聚合物电解质，并与活性炭电极组装成超级电容器。本发明的离子液体‑锂盐凝胶聚合物作为超级电容器电解质材料，具有良好的柔韧性，优异的电导率和极好的循环稳定性能。与同类型凝胶电解质相比具有较高的比电容、能量密度及功率密度。
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公开(公告)号：CN103515445A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210202201.0
申请日：2012-06-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/227 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。本发明在玻璃或者塑料的衬底上制备薄膜晶体管，采用掺铝的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层，在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺铝的氧化锌呈现出半导体特性，并且显示出高迁移特性，有效的提高了薄膜晶体管的性能。本发明的制备方法步骤简单，制备成本低，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，降低了制备成本。同时，氧化锌铝薄膜是环保材料，工艺简单，制备成本低，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102915703A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210425355.6
申请日：2012-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括：第一晶体管至第四晶体管、存储电容、有机发光二级管OLED、旁路电路、数据线、第N-1扫描线和第N扫描线。本发明采用存储电容的第二端接第一晶体管的源极，以及OLED与旁路电路并联，使得流过OLED的电流完全由数据电压决定，而与第一晶体管的阈值电压无关。本发明在不过多增加晶体管、电容及控制线的数量的同时，使得流经OLED的电流完全依赖于数据线的数据电压，能够精确地实现阈值电压补偿以保持显示亮度的均匀恒定，有利于提高开口率及显示分辨率，并且提高了抑制阈值电压分布不均匀的能力。因此，本发明具有较高的实用价值，有望广泛用于微电子和平板显示产业。
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公开(公告)号：CN102890910A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210389785.7
申请日：2012-10-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种同异步双栅TFT-OLED像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、存储电容和发光二极管；其中，第一晶体管为同步双栅薄膜晶体管，第二晶体管为异步双栅薄膜晶体管。本发明的像素驱动电路只在传统的2T1C电路的基础上引入一同步双栅结构和异步双栅结构，增加一预充电电压及一条反馈线，既有效增加了存储电容在非选通阶段对数据电压的保持效果，又有效地实现了驱动晶体管的阈值电压补偿，从而确保了显示器发光亮度的均匀性与稳定性。相比于大部分为实现数据保持和阈值补偿而采用的像素驱动电路，节省了晶体管、电容及控制线，大大简化了电路结构，从而提高了开口率和分辨率并降低了实现成本。
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公开(公告)号：CN102637742A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210127626.X
申请日：2012-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。本发明采用射频磁控溅射方法形成两层AlZnO薄膜材料作为有源区，且该两层AlZnO薄膜的氧离子含量不同。本发明氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率，而且本发明制备方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。
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