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公开(公告)号：CN114402430A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202180004925.1
申请日：2021-12-17
Applicant: 昆山龙腾光电股份有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1333 , G02F1/1362
Abstract: 一种阵列基板及制作方法、显示面板，该制作方法包括：在基底上形成扫描线和栅极；在基底上形成覆盖扫描线和栅极的第一绝缘层；在第一绝缘层的上方形成金属氧化物半导体层；金属氧化物半导体层包括源极、漏极以及有源层；在金属氧化物半导体层的上表面涂布光敏材料层；以第一金属层为掩模板，从基底的背面对光敏材料层进行光刻并形成沟道保护层；对金属氧化物半导体层进行导体化处理，使源极和漏极被导体化；在第一绝缘层的上方形成数据线；在第一绝缘层的上方形成像素电极。沟道保护层采用光敏材料，在制作沟道保护层时不会对有源层的性能造成影响；从基底的背面对光敏材料层进行光刻，工艺简单，栅极与源/漏极基本没有重叠区域，寄生电容更小。
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公开(公告)号：CN113437099A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110520740.8
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L27/146 , H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/119 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本申请提供了一种光电探测器像素电路，包括探测晶体管，配置为对入射光进行探测并产生相应的光生电信号；开关晶体管，配置为接收所述光生电信号或相关信号并对其进行电学处理；所述探测晶体管和所述开关晶体管均为双栅晶体管，并且二者的衬底、底栅电极层、底栅介质层、顶栅介质层以及源极或漏极所在的导电层彼此都相应的位于同一层，并且二者的有源层都包括具有光记忆功能的相同或不同的半导体材料；其中所述探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料，所述开关晶体管的顶栅电极至少包括非透明导电材料。本申请还公开了相应的光电探测器及其制造和应用方法。
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公开(公告)号：CN106373998A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610946324.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。该方法包括如下步骤：在衬底上依次制备导电薄膜和金属层A，然后经图形化得到栅极；采用阳极氧化的方法在栅极上生长绝缘介质层，覆盖栅极作为栅介质层；采用溶液法在栅介质层上生长金属氧化物半导体层；采用电镀法在金属氧化物半导体层上生长金属层B；在金属氧化半导体层和金属层B的中间位置分别制备沟道区和钝化区；在大气压条件下对沟道区内的金属氧化物半导体和钝化区内的金属分别进行阳极氧化处理，得到沟道层和钝化层；制作漏区和源区。本发明为非真空电化学方法，所需设备简单便宜，只需在室温和大气环境下进行，无需经过高温或长时间退火，是一种操作简单、低成本的低温工艺，适用于大批量生产。
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公开(公告)号：CN106098559A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610451639.0
申请日：2016-06-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66742
Abstract: 本发明公开了一种底栅共平面型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成栅电极和栅介质，其中栅电极部分覆盖于衬底上，栅介质覆盖于衬底和栅电极上；在栅介质上采用至少一层含有铝和/或钛的材料淀积源区、漏区导电层并经过光刻和刻蚀后形成源区和漏区；在栅介质、源区和漏区上形成有源区；在栅介质、源区、漏区和有源区上形成源区接触电极和漏区接触电极；对器件进行退火处理。本发明的有益效果在于，在退火过程中，源区和漏区中的铝和/或钛将扩散进入与之接触处附近的有源区内，形成低阻的接触过渡区，能有效降低源区/漏区与有源层的接触电阻，从而减小源/漏寄生电阻对器件特性的影响。
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公开(公告)号：CN104867983A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510172561.4
申请日：2015-04-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L29/0607 , H01L29/0684 , H01L29/42356 , H01L29/66757
Abstract: 本发明公开了一种LDD/Offset结构薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路和平板显示及其相关制造技术领域。本发明核心是通过光刻胶和栅电极的斜坡结构以及一次额外的栅刻蚀，在晶体管沟道内形成自对准的LDD/Offset区域，而LDD/Offset的长度可以由刻蚀速度和刻蚀时间精确控制，从而达到降低TFT关态电流的目的。该技术工艺过程简单，不增加任何光刻版；整个TFT的制造过程与传统的工艺相比仅需增加一次重复的栅刻蚀，工艺方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，适用于薄膜晶体管的大规模生产，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。
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公开(公告)号：CN113437099B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202110520740.8
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L27/146 , H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/119 , H04N25/79 , H04N25/76 , H04N25/779 , H04N25/77 , H04N25/75 , H04N25/78
Abstract: 本申请提供了一种光电探测器像素电路，包括探测晶体管，配置为对入射光进行探测并产生相应的光生电信号；开关晶体管，配置为接收所述光生电信号或相关信号并对其进行电学处理；所述探测晶体管和所述开关晶体管均为双栅晶体管，并且二者的衬底、底栅电极层、底栅介质层、顶栅介质层以及源极或漏极所在的导电层彼此都相应的位于同一层，并且二者的有源层都包括具有光记忆功能的相同或不同的半导体材料；其中所述探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料，所述开关晶体管的顶栅电极至少包括非透明导电材料。本申请还公开了相应的光电探测器及其制造和应用方法。
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公开(公告)号：CN113421942B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110521681.6
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/113 , H01L31/119 , H01L31/032 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本申请提供了一种光电探测晶体管，包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极；其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料，在所述有源层中包括沟道和源漏区域，并且所述光电探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料；其中所述源漏区域是通过对相应区域的所述有源层材料进行等离子体处理获得。本申请还公开了相应的制备光电探测晶体管和利用其感光的方法。
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公开(公告)号：CN114256159A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111576526.0
申请日：2021-12-21
Applicant: 昆山龙腾光电股份有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种阵列基板及制作方法、显示面板，该制作方法包括：在基底上形成扫描线和栅极，扫描线具有交叠部，交叠部的宽度小于或等于两倍的光刻胶缩进量，栅极的宽度大于两倍的光刻胶缩进量；在基底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上方形成有源层；在第一绝缘层上方涂布光刻胶层，以第一金属层掩模板，从基底远离光刻胶层一侧对光刻胶层进行光刻处理并形成光刻胶图案，栅极与光刻胶图案相对应，光刻胶图案与交叠部完全错开；在光刻胶层的上表面形成第二金属层，对第二金属层进行蚀刻以及去除光刻胶图案，第二金属层形成数据线、源极以及漏极，数据线在基底上的投影与交叠部在基底上的投影相重叠。本发明简化了制作工艺，减小制作成本以及提升制作效率。
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公开(公告)号：CN107946195A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710287051.0
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；其中，形成所述顶栅电极的操作包括在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。
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公开(公告)号：CN107611032A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710717954.8
申请日：2017-08-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管，包括衬底；形成在所述衬底上的经图形化的遮光层，其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料；形成在所述遮光层以上的有源层，所述有源层包括所述晶体管的沟道、源区和漏区；形成在所述有源层上的栅介质层和形成在所述栅介质层上的栅电极；以及形成在所述有源层和所述栅电极上的钝化层。本申请还提供了制备这种薄膜晶体管的方法。
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