公开(公告)号：CN109037076A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810933101.2

申请日：2018-08-16

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  常宝柱 ,  陶金敖 ,  张羽晴 ,  王刚 ,  周晓梁

IPC: H01L21/428 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/428 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底上形成有源层并对其进行图形化形成有源区；在所述有源区和所述衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅电极层并对其图形化形成栅电极；以所述栅电极为掩模进行准分子激光退火从而在所述有源区中形成源漏区域；以及在所述栅电极以及所述源漏区域上方形成钝化层，并对其进行图形化形成开孔并在其中形成电极。

公开(公告)号：CN107611032A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710717954.8

申请日：2017-08-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  梁婷 ,  周晓梁 ,  卢慧玲 ,  张晓东 ,  王刚

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管，包括衬底；形成在所述衬底上的经图形化的遮光层，其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料；形成在所述遮光层以上的有源层，所述有源层包括所述晶体管的沟道、源区和漏区；形成在所述有源层上的栅介质层和形成在所述栅介质层上的栅电极；以及形成在所述有源层和所述栅电极上的钝化层。本申请还提供了制备这种薄膜晶体管的方法。