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公开(公告)号：CN106298904A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510276316.8
申请日：2015-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件的制备方法，由于在势垒层中插入氮化镓层，使凹槽栅结构的制备可以实现腐蚀自停止于氮化镓插入层，氮化镓层在势垒层中不同的插入位置可以方便地实现不同深度的凹槽腐蚀效果，从而完成在该结构基础上肖特基栅和MOS结构栅阈值电压的调控，而且氮化镓插入层下留有适当厚度的势垒层可以在凹槽刻蚀期间有效保护沟道防止器件性能退化，从而使本方案具有很高的可操作性和可重复性，更利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN104167362A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410386689.6
申请日：2014-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/027 , H01L21/0271
Abstract: 本发明提供一种氮化镓盖帽层掩模的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域，刻蚀非器件区域；在氮化镓基表面光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的氮化镓盖帽层并去除剩余光刻胶；对氮化镓基表面在高温条件下进行氧化处理；将氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；对氮化镓基表面淀积栅绝缘层；光刻源漏区域，刻蚀源漏区域的栅绝缘层并制备欧姆接触；制备栅金属。本发明采用氮化镓盖帽层为掩模，简化了制备工艺，降低了制备成本，凹槽栅结构的制备可以实现自停止，可操作性和可重复性高，制备的氮化镓基增强型器件性能优异，阈值电压为4.4V，最大电流为135mA/mm，更利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102915957B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210345336.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种制作空气桥及电感的方法。其步骤主要包括：在基片上利用光刻胶制作第一牺牲胶层；在第一牺牲胶层上涂敷光刻胶制作第二牺牲胶层，该第二牺牲胶层的长度小于第一牺牲胶层的长度；通过烘烤使牺牲胶层的边角圆滑并固化，形成拱形的空气桥支撑基片；利用电子束蒸发制作种子层；在种子层上电镀金属材料层；采用腐蚀方法去除种子层，采用有机溶剂去除牺牲胶层，形成空气桥。本发明使用光刻胶制作两层牺牲胶层，可以提高空气桥的性能，并能提高工艺效率，减小制作过程中对器件造成的损伤，同时避免使用剧毒试剂，保护环境。
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公开(公告)号：CN102544186B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210015141.1
申请日：2012-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/118 , H01L31/18 , G01T3/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下非对称结构，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，有效增大了两个有源区的距离，即增大了探测器I区的有效厚度，突破了硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。此外，环形有源区通过其结构本身的对称性产生比较均匀的电流分布。
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公开(公告)号：CN1194387C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN03109609.3
申请日：2003-04-09
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L21/70 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供了一种包含剂量效应的离子注入高速模拟方法，是将分裂方法和剂量效应相结合，具体是虚离子、实离子交替注入模拟，直至完成所有实离子的注入。本发明的方法一共只进行一次模拟实验，注入离子被人为地划分为实离子和虚离子，实离子模拟级联碰撞，不断产生注入过程中的缺陷分布；虚离子模拟注入的射程分布，不必跟踪级联碰撞，亦不产生注入靶材料的缺陷分布。本发明的模拟方法，离子注入的射程分布可以很好地被模拟，模拟结果很好地符合SIMS的实验结果；对离子注入的模拟不但可以保持高精度，而且还可以实现高速高效模拟；同时由于本发明的模拟方法引入了缺陷产生，得到的缺陷分布还可以应用后续的退火模拟，并最终实现完全的工艺仿真。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1585098A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN03153740.5
申请日：2003-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种离子注入涨落的模拟方法，该方法根据离子注入模拟方法获得N次离子注入后，注入离子在靶材料中的最终三维位置，然后在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分，获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子的数目以及N次离子注入后总的停留离子的数目，进而采用统计的方法获得掺杂离子的涨落分布。本发明涨落模拟方法不仅考虑影响半导体掺杂涨落的掺杂离子数目，而且充分考虑了掺杂离子所处的深度的因素，通过本发明，基于现有的模拟数据，可以获得离子注入半导体掺杂的细致涨落，获得掺杂涨落与深度的变化关系，本发明提出的对掺杂涨落的标定方法，更加有利于数据的分析和后续的应用。
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公开(公告)号：CN115148585A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210815631.3
申请日：2022-07-11
Applicant: 北京大学 , 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , G01K7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于离子注入掺杂SiC晶片的高温测量方法，属于测量测试技术领域。该方法采用离子注入掺杂的SiC晶体作为测温元件，在经历测温环境的高温处理后，对SiC晶体做二次离子质谱分析，得到其中杂质分布的浓度‑深度曲线，通过余误差函数拟合曲线的尾部，得到与其对应扩散浓度曲线，将扩散浓度曲线的左端点的浓度值，作为特征扩散浓度N，建立特征扩散浓度N随温度变化的标准参照数据和曲线，该测温元件测温时，可以对照标准参照曲线，利用插值法确定特征扩散浓度N对应的温度值，实现测温。本发明有效地解决高温(1700℃以上)测量难的问题，可以应用在航空、航天发动机的测温领域。
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公开(公告)号：CN104167362B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410386689.6
申请日：2014-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种氮化镓盖帽层掩模的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域，刻蚀非器件区域；在氮化镓基表面光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的氮化镓盖帽层并去除剩余光刻胶；对氮化镓基表面在高温条件下进行氧化处理；将氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；对氮化镓基表面淀积栅绝缘层；光刻源漏区域，刻蚀源漏区域的栅绝缘层并制备欧姆接触；制备栅金属。本发明采用氮化镓盖帽层为掩模，简化了制备工艺，降低了制备成本，凹槽栅结构的制备可以实现自停止，可操作性和可重复性高，制备的氮化镓基增强型器件性能优异，阈值电压为4.4V，最大电流为135mA/mm，更利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN107045975A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610081301.0
申请日：2016-02-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，欧姆区域开槽利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，即只氧化势垒层，后续腐蚀可以只腐蚀掉被氧化的势垒层，腐蚀过程停止在GaN层表面，只需保证温度是在自停止氧化范围内，时间超过氧化到GaN表面所需时间即可，不需精确控制凹槽制备条件并基本消除了等离子体对材料可能带来的损伤，且可以将隔离与欧姆开槽同时制备，从而简化工艺，具有很高的可操作性和可重复性，十分利于工业化生产。采用本发明方法制备的氮化镓基材料欧姆接触得到了很大的改善，甚至在传统欧姆接触无法形成的较低退火温度下，本发明方法也可以形成较好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN106298514A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510275124.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法，隔离区利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，消除了等离子体对有源区边缘及隔离区表面的损伤，可以有效降低泄漏电流，而隔离区仅势垒层被刻蚀掉，相对于ICP刻蚀来说台阶高度明显降低，且可以方便地与自停止刻蚀的栅凹槽同时完成，从而简化自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件制备工艺，具有很高的可操作性和可重复性，十分利于工业化生产。
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