公开(公告)号：CN106298904A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510276316.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘靖骞 ,  王金延 ,  徐哲 ,  王茂俊 ,  于民 ,  吴文刚 ,  张进城 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件的制备方法，由于在势垒层中插入氮化镓层，使凹槽栅结构的制备可以实现腐蚀自停止于氮化镓插入层，氮化镓层在势垒层中不同的插入位置可以方便地实现不同深度的凹槽腐蚀效果，从而完成在该结构基础上肖特基栅和MOS结构栅阈值电压的调控，而且氮化镓插入层下留有适当厚度的势垒层可以在凹槽刻蚀期间有效保护沟道防止器件性能退化，从而使本方案具有很高的可操作性和可重复性，更利于工业化生产。

公开(公告)号：CN107045975A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201610081301.0

申请日：2016-02-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘靖骞 ,  王金延 ,  蒋海桑 ,  王宏跃 ,  朱林 ,  王茂俊 ,  于民 ,  吴文刚 ,  张进城 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，欧姆区域开槽利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，即只氧化势垒层，后续腐蚀可以只腐蚀掉被氧化的势垒层，腐蚀过程停止在GaN层表面，只需保证温度是在自停止氧化范围内，时间超过氧化到GaN表面所需时间即可，不需精确控制凹槽制备条件并基本消除了等离子体对材料可能带来的损伤，且可以将隔离与欧姆开槽同时制备，从而简化工艺，具有很高的可操作性和可重复性，十分利于工业化生产。采用本发明方法制备的氮化镓基材料欧姆接触得到了很大的改善，甚至在传统欧姆接触无法形成的较低退火温度下，本发明方法也可以形成较好的欧姆接触。

公开(公告)号：CN106298514A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510275124.5

申请日：2015-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘靖骞 ,  王金延 ,  徐哲 ,  王茂俊 ,  谢冰 ,  于民 ,  吴文刚 ,  张进城 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法，隔离区利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，消除了等离子体对有源区边缘及隔离区表面的损伤，可以有效降低泄漏电流，而隔离区仅势垒层被刻蚀掉，相对于ICP刻蚀来说台阶高度明显降低，且可以方便地与自停止刻蚀的栅凹槽同时完成，从而简化自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件制备工艺，具有很高的可操作性和可重复性，十分利于工业化生产。