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公开(公告)号：CN112290772B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010871793.X
申请日：2020-08-26
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明涉及一种负载点电源模块的3D集成结构，包括盖板结构、围框结构、DPC基板、HTCC基板、散热铜片，围框结构焊接在HTCC基板上，盖板结构采用平行缝焊焊接在围框结构上，围框结构、HTCC基板和盖板结构三者共同保持电源模块内部形成密封腔体；DPC基板的厚金属层电流承载能力≥20A，其上放置支架电感器、芯片、陶瓷电容器、钽电容器，DPC基板整板布线损耗≤0.5W；HTCC基板正面与反面中心区域设计方形凹腔结构，包括顶部凹腔和底部凹腔，其中顶部凹腔放置芯片，底部凹腔放置陶瓷电容器与电阻器。本发明芯片在DPC基板上的双面互联减小了金属层走线围成的环路面积，降低了布线寄生阻抗及其带来的损耗，进而提高了负载点电源模块的效率。
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公开(公告)号：CN113935217A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111226504.1
申请日：2021-10-21
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: G06F30/23 , G06T17/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种军用IGBT模块瞬态参数和寄生参数仿真方法，包括：a、在Designer model建立IGBT模块多层结构的几何模型，所述几何模型包括DBC基板、芯片、铜底板、端子和引线；b、将所述几何模型导入Transient Thermal模块，计算所述IGBT模块开通过程的瞬态温度场，并提取开通时的瞬态热阻和稳态热阻；c、将Transient Thermal模块的温度场仿真结果导入Transient Structural模块，计算所述IGBT模块开通时的热应力场变化；d、将所述几何模型导入Q3D Extractor模块，计算所述IGBT模块开通过程的DBC基板上下铜层间的寄生电容，以及模型各节点的寄生电感。通过解析开通和关断过程的IGBT模块的响应，对瞬态参数和寄生参数进行仿真，为IGBT模块开通和关断的性能研究快速、准确提取关键参数。
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公开(公告)号：CN113240986A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110484064.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明涉及电缆网线束成型辅助工装以及基于该工装的线束成型方法，电缆网线束成型辅助工装，其特征在于包括基板和N个工装组件，所述工装组件包括第一走线柱、第二走线柱、两通、三通、三通、绑扎固定卡、穿洞工装组件、过桥工装组件、电连接器组件中的M种，M大于等于1，N大于等于1；基板和各工装组件之间能够通过通用安装接口相互连接，通用安装接口为形状匹配的凸台和凹槽，凸台插入凹槽中固定连接；基板为带有矩阵排列通孔的平面板，所述带有矩阵排列通孔作为安装接口的凹槽，用于连接各工装组件；所述电缆网线束成型辅助工装以基板为水平面，按照待成型电缆网线束应用的空间场景使用不同数量和种类的工装组件在水平面上进行组合拼装而成。
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公开(公告)号：CN111458328B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010337877.5
申请日：2020-04-26
Applicant: 电子科技大学 , 北京卫星制造厂有限公司 , 新华海通(厦门)信息科技有限公司
IPC: G01N21/77
Abstract: 本发明涉及一种检测印制电路板残留铜层分布的方法，属于化工技术领域。本发明的一种检测印制电路板残留铜层分布的方法，采用含有氯化亚锡的辅助液和含有氯化钯的检测液先后与蚀刻后的铜层、铜点或者铜种子起作用，从而形成可观察到的黑色产物，其中，辅助液的作用为二价锡离子渗透吸附于残留的铜层、铜点或者铜牙上面，检测液中的钯离子会被吸附在铜上的二价锡离子和铜还原为黑点钯金属，肉眼可明显观察，从而检测出残留铜的分布。本发明提供的检测方法简便、准确、安全，可满足印制电路板生产过程中的表面品质检测要求。
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公开(公告)号：CN112290772A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010871793.X
申请日：2020-08-26
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明涉及一种负载点电源模块的3D集成结构，包括盖板结构、围框结构、DPC基板、HTCC基板、散热铜片，围框结构焊接在HTCC基板上，盖板结构采用平行缝焊焊接在围框结构上，围框结构、HTCC基板和盖板结构三者共同保持电源模块内部形成密封腔体；DPC基板的厚金属层电流承载能力≥20A，其上放置支架电感器、芯片、陶瓷电容器、钽电容器，DPC基板整板布线损耗≤0.5W；HTCC基板正面与反面中心区域设计方形凹腔结构，包括顶部凹腔和底部凹腔，其中顶部凹腔放置芯片，底部凹腔放置陶瓷电容器与电阻器。本发明芯片在DPC基板上的双面互联减小了金属层走线围成的环路面积，降低了布线寄生阻抗及其带来的损耗，进而提高了负载点电源模块的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112198189A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010871800.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于静态测量法的功率模块热阻测试装置，包括测试主机、测试连接线缆、液冷板、加压装置底座、加压装置支架、加压装置、加压头、一体化热阻测试工装和制冷机，加压装置底座为平板结构，加压装置支架为L型支架；加压装置支架顶部固定加压装置，加压装置与加压装置底座垂直安装，通过加压头对待测器件提供压力，保证器件与一体化热阻测试工装散热表面紧密接触；加压头与待测器件不发生热交换；测试连接线缆为待测器件提供加热功率输出，采集待测器件温度敏感参数，并传给测试主机。本发明具有重复测量一致性好、测量精度高的优点。
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公开(公告)号：CN109510176A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811528465.9
申请日：2018-12-13
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块驱动保护电路，包括：输入输出接口，用于与外部控制器连接，实现外部控制器与智能功率模块驱动保护电路之间的信号传输；芯片，用于对输入信号进行检测和功率放大，输出驱动信号，以及进行故障信号输出；信号输入检测子电路，用于对控制信号进行预处理，实现输入信号到芯片的信号输入；滤波子电路，用于对输入电源进行滤波处理；驱动子电路，用于调整芯片的功率输出，驱动IGBT；保护子电路，用于调整IBGT短路保护和过流保护的阈值；故障输出子电路，用于外部控制器对输出信号进行检测，实现故障处理。本发明克服了现有IPM驱动电路结构和性能存在的不足，可实现信号的及时有效传输。
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公开(公告)号：CN119421427A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411544154.7
申请日：2024-10-31
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有新型空穴抽出结构的IGBT元胞。通过在沟槽两侧引入交替分布的低掺杂N型埋层和低掺杂P型埋层，N型埋层的浓度刚好与相邻两个P型区域形成阈值电压接近0的积累型PMOS。在器件关断时，垂直方向上的PMOS开启形成一条垂直的空穴通路，连接了所有的P型埋层和Pbody。该通路将传统IGBT空穴抽出通路的一个较高的势垒转化为了数个较低的势垒，提高了空穴抽出通路在能量变化上的平滑性，提高了抽出速度。垂直方向上的多个P型埋层以及反型沟道形成了一个梳状的空穴抽出结构，该结构的面积远大于传统IGBT元胞结构，提高空穴抽出速率。相对于传统IGBT元胞，本发明的关断速度更快、关断损耗更低。
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公开(公告)号：CN118653141A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410632734.5
申请日：2024-05-21
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明涉及一种曲面异质界面高可靠连接方法，属于高精度激光制造领域；制作P I基材；在曲面衬底的上表面喷涂PI基材，形成P I基底；制作催化胶，并调控催化胶的浸润性；将催化胶喷涂在PI基底上表面；固化催化胶，实现催化胶与PI基底、曲面衬底共型；通过激光对催化胶上表面进行活化处理，生成获得活性位点；在催化胶上表面沉积铜层；铜层在的活性位点处与催化胶结合；本发明利用催化胶的催化特性形成与异质材料的锚合结构，降低界面力，进而提高其结合力，实现曲面异质界面的高可靠连接。
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公开(公告)号：CN112198189B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010871800.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于静态测量法的功率模块热阻测试装置，包括测试主机、测试连接线缆、液冷板、加压装置底座、加压装置支架、加压装置、加压头、一体化热阻测试工装和制冷机，加压装置底座为平板结构，加压装置支架为L型支架；加压装置支架顶部固定加压装置，加压装置与加压装置底座垂直安装，通过加压头对待测器件提供压力，保证器件与一体化热阻测试工装散热表面紧密接触；加压头与待测器件不发生热交换；测试连接线缆为待测器件提供加热功率输出，采集待测器件温度敏感参数，并传给测试主机。本发明具有重复测量一致性好、测量精度高的优点。
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