-
公开(公告)号：CN114325252A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111371496.X
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及一种绝缘防护方法，包括以下步骤：a、利用绝缘保护物对功率模块产品进行保护；b、对功率模块产品进行清洗、烘干；c、在功率模块产品上涂覆保护膜；d、去除功率模块产品上的绝缘保护物。本发明能够避免模块发生局部放电的现象，可以满足模块高压应用条件的要求。
-
公开(公告)号：CN114242671A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111442707.4
申请日：2021-11-30
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/10 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种IGBT电气单元封装件。本发明提供的IGBT电气单元封装件包括：散热底板、外壳、盖板和IGBT电气单元，本发明中散热底板采用52％‑58％体积分数的AlSiC复合材料，IGBT电气单元封装件采用AlN陶瓷直接覆铜基板，绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片与陶瓷直接覆铜基板之间连接采用纳米Ag焊膏低压烧结工艺。本发明中的IGBT电气单元封装件采用具有高气密性的封装结构，保证该IGBT电气单元封装件在高海拔应用场景如安装在运输机、战斗机上时，不会发生由于气压降低导致IGBT电气单元封装件内部耐压能力下降的情况，保证IGBT电气单元封装件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN114203675A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111351677.6
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/06 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽装置及其制备方法，装置包括底座(1)、侧壁(2)和上盖(3)，所述底座(1)、所述侧壁(2)和所述上盖(3)均由高原子序数层(4)和低原子序数层(5)交替层叠形成。本发明能够增强辐照屏蔽效果并提高导热率。
-
公开(公告)号：CN113972168A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111188897.1
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及半导体芯片微组装技术领域的一种高可靠IGBT模块芯片互连方法，包括：a、在IGBT模块的互连区域设计加工相适配的金属片状互连单元，对所述金属片状互连单元的焊接部分做搪锡处理，并进行清洗；b、根据所述互连区域的尺寸裁剪焊料片、压平，并做等离子清洗处理；c、将所述金属片状互连单元、所述焊料片和所述互连区域依次对准并固定；d、采用焊接设备将所述金属片状互连单元将所述互连区域相连。本发明克服IGBT模块中IGBT芯片‑FRD芯片‑DBC基板之间通过粗铝丝键合互连方式的不足，以满足IGBT芯片‑FRD芯片‑DBC基板之间的高可靠连接。
-
公开(公告)号：CN109534842B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201811417555.0
申请日：2018-11-26
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 功率半导体模块用焊接工艺，包括步骤如下：制作焊料片；等离子清洗；制作预制工件；排出真空炉内的空气；加热预制工件直至所述焊料片融化均匀变为熔融焊料；抽真空后填充甲酸和氮气的混合气体，然后再填充氮气，使甲酸分解的H2去除熔融焊料、陶瓷板以及底板表面的氧化物；抽真空，直至熔融焊料内的气泡充分排出；回填氮气并冷却降温，使熔融焊料冷却凝固完成功率半导体模块的焊接。本发明焊接方法可以使去氧化和焊接过程一次完成，提高焊接效率同时焊料熔融状态下的去氧化更完全，焊接效果更好，利用等离子清洗与焊接过程中的气氛和真空度控制相结合，实现焊接质量和效率的提升。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112598632A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011492715.5
申请日：2020-12-16
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明公开了一种压接连接器接触件外观检测方法及装置，其中，所述方法包括：对输入的接触件图像进行预处理，得到目标图像；识别所述目标图像中的待检测区域；筛选所述待检测区域中的特征图；将所述特征图与对应模板阈值进行比对，以确定所述特征图是否合格。本发明公开的压接连接器接触件外观检测方法，能够提升接触件合格判定的效率，同时还可节省大量的人力资源。
-
公开(公告)号：CN109545773A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811394285.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种大功率芯片柔性互连模块及加工方法，本发明提出了更先进的表面互连技术替代传统的引线键合，着力解决铝丝键合由于热失配、金属间化合物的生长导致的导电性能和键合强度下降等问题，实现更具低阻抗值、较高导热性和寿命更长的互连技术；柔性铜箔和功率芯片表面接触面积增大，有效的提高芯片表面热量的均匀分布情况，减小芯片表面热点的出现，同时载流能力比引线键合工艺提高30％；大功率芯片低损耗柔性电路互连技术，对于推动早日实现新一代遥感公用平台及高分辨率对地观测卫星的部署、推动宽禁带半导体器件在宇航电子产品中的早日应用具有重要意义，同时也将为商用功率模块性能的不断提升提供借鉴。
-
公开(公告)号：CN109534842A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811417555.0
申请日：2018-11-26
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: C04B37/02
Abstract: 功率半导体模块用焊接工艺，包括步骤如下：制作焊料片；等离子清洗；制作预制工件；排出真空炉内的空气；加热预制工件直至所述焊料片融化均匀变为熔融焊料；抽真空后填充甲酸和氮气的混合气体，然后再填充氮气，使甲酸分解的H2去除熔融焊料、陶瓷板以及底板表面的氧化物；抽真空，直至熔融焊料内的气泡充分排出；回填氮气并冷却降温，使熔融焊料冷却凝固完成功率半导体模块的焊接。本发明焊接方法可以使去氧化和焊接过程一次完成，提高焊接效率同时焊料熔融状态下的去氧化更完全，焊接效果更好，利用等离子清洗与焊接过程中的气氛和真空度控制相结合，实现焊接质量和效率的提升。
-
公开(公告)号：CN109526155A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811410421.6
申请日：2018-11-23
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H05K3/34
Abstract: 一种焊点虚焊的制作方法，首先根据任务需求设计PCB版图，在PCB版图中需要制作虚焊的位置，按照预先计划设计出所需虚焊大小及形状的缺省结构，然后根据带有缺省结构的PCB版图生成得到印制电路板，焊接前抬高元器件，采用手工焊接、再流焊接或波峰焊等方式对印制电路板中的虚焊焊点进行焊接。
-
公开(公告)号：CN112598632B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202011492715.5
申请日：2020-12-16
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明公开了一种压接连接器接触件外观检测方法及装置，其中，所述方法包括：对输入的接触件图像进行预处理，得到目标图像；识别所述目标图像中的待检测区域；筛选所述待检测区域中的特征图；将所述特征图与对应模板阈值进行比对，以确定所述特征图是否合格。本发明公开的压接连接器接触件外观检测方法，能够提升接触件合格判定的效率，同时还可节省大量的人力资源。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.035 seconds)
