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公开(公告)号：CN119575113A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411656774.X
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种适用于宇航固态功率控制的GaN HEMT器件抗辐照评价电路，包括：IDS测量单元、VDS测量单元、Vgs测量单元、Ig测量单元、信号调理单元、负载模拟单元，数据在线控制及监控单元。本发明能够实现对电路中发生单粒子效应、总剂量效应的实时在线检测和评估，保障电路运行的安全性，同时为电路故障排查提供了可靠的评价方法。对GaN HEMT器件面向宇航固态功率控制的应用安全使用具有重要意义。本发明解决了常规GaN HEMT器件的抗辐照试验器件无法同时实现关键数据的在线测量、测试数据样本不连续，测试效率低等问题。
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公开(公告)号：CN118162716A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410236300.3
申请日：2024-03-01
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: B23K3/08
Abstract: 本发明涉及一种插装元器件去金工具，包括助焊剂容器、焊锡容器和摆臂装置，摆臂装置包括摆臂基座、摆臂杆、元器件夹具和拨片，摆臂杆分为两组，每组两个，每组的两个摆臂杆一端呈阶梯布置于同侧的摆臂基座的转轴上，另一端通过连接杆连接，形成四轴连杆机构；元器件夹具置于两个连接杆上，能够沿着两个连接杆的转轴转动；拨片设置在一个摆臂杆上，能够调节同侧两个摆臂杆之间的角度，用于摆臂杆在平行模式及翻转模式之间的切换，进而实现连接在元器件夹具上的器件平移及翻转。本发明可实现一次装夹多个器件，避免重复拆装，提升搪锡效率；夹具对器件起到保护作用，保证一致性，实现批量化去金需要。
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公开(公告)号：CN114325252A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111371496.X
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及一种绝缘防护方法，包括以下步骤：a、利用绝缘保护物对功率模块产品进行保护；b、对功率模块产品进行清洗、烘干；c、在功率模块产品上涂覆保护膜；d、去除功率模块产品上的绝缘保护物。本发明能够避免模块发生局部放电的现象，可以满足模块高压应用条件的要求。
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公开(公告)号：CN114203675A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111351677.6
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/06 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种屏蔽装置及其制备方法，装置包括底座(1)、侧壁(2)和上盖(3)，所述底座(1)、所述侧壁(2)和所述上盖(3)均由高原子序数层(4)和低原子序数层(5)交替层叠形成。本发明能够增强辐照屏蔽效果并提高导热率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113972168A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111188897.1
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及半导体芯片微组装技术领域的一种高可靠IGBT模块芯片互连方法，包括：a、在IGBT模块的互连区域设计加工相适配的金属片状互连单元，对所述金属片状互连单元的焊接部分做搪锡处理，并进行清洗；b、根据所述互连区域的尺寸裁剪焊料片、压平，并做等离子清洗处理；c、将所述金属片状互连单元、所述焊料片和所述互连区域依次对准并固定；d、采用焊接设备将所述金属片状互连单元将所述互连区域相连。本发明克服IGBT模块中IGBT芯片‑FRD芯片‑DBC基板之间通过粗铝丝键合互连方式的不足，以满足IGBT芯片‑FRD芯片‑DBC基板之间的高可靠连接。
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公开(公告)号：CN109545773A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811394285.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种大功率芯片柔性互连模块及加工方法，本发明提出了更先进的表面互连技术替代传统的引线键合，着力解决铝丝键合由于热失配、金属间化合物的生长导致的导电性能和键合强度下降等问题，实现更具低阻抗值、较高导热性和寿命更长的互连技术；柔性铜箔和功率芯片表面接触面积增大，有效的提高芯片表面热量的均匀分布情况，减小芯片表面热点的出现，同时载流能力比引线键合工艺提高30％；大功率芯片低损耗柔性电路互连技术，对于推动早日实现新一代遥感公用平台及高分辨率对地观测卫星的部署、推动宽禁带半导体器件在宇航电子产品中的早日应用具有重要意义，同时也将为商用功率模块性能的不断提升提供借鉴。
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公开(公告)号：CN114188129B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111368699.3
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01F27/26 , H01F27/06 , H01F27/28 , H01F27/29 , H01F27/30 , H01F27/32 , H01F27/34 , H01F41/02 , H01F41/061 , H01F41/064 , H01F41/076 , H01F41/12
Abstract: 本发明涉及一种变压器及其制备方法，变压器包括架体(1)、线式绕组(2)和磁芯(3)，所述架体(1)包括支承框(11)和底座(12)，所述线式绕组(2)绕制在所述支承框(11)上，还包括片式绕组(4)，所述片式绕组(4)套设在所述线式绕组(2)的外侧。本发明可以提高电源产品的效率和空间利用率。
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公开(公告)号：CN114188129A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111368699.3
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01F27/26 , H01F27/06 , H01F27/28 , H01F27/29 , H01F27/30 , H01F27/32 , H01F27/34 , H01F41/02 , H01F41/061 , H01F41/064 , H01F41/076 , H01F41/12
Abstract: 本发明涉及一种变压器及其制备方法，变压器包括架体(1)、线式绕组(2)和磁芯(3)，所述架体(1)包括支承框(11)和底座(12)，所述线式绕组(2)绕制在所述支承框(11)上，还包括片式绕组(4)，所述片式绕组(4)套设在所述线式绕组(2)的外侧。本发明可以提高电源产品的效率和空间利用率。
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公开(公告)号：CN109545773B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201811394285.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种大功率芯片柔性互连模块及加工方法，本发明提出了更先进的表面互连技术替代传统的引线键合，着力解决铝丝键合由于热失配、金属间化合物的生长导致的导电性能和键合强度下降等问题，实现更具低阻抗值、较高导热性和寿命更长的互连技术；柔性铜箔和功率芯片表面接触面积增大，有效的提高芯片表面热量的均匀分布情况，减小芯片表面热点的出现，同时载流能力比引线键合工艺提高30％；大功率芯片低损耗柔性电路互连技术，对于推动早日实现新一代遥感公用平台及高分辨率对地观测卫星的部署、推动宽禁带半导体器件在宇航电子产品中的早日应用具有重要意义，同时也将为商用功率模块性能的不断提升提供借鉴。
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