-
公开(公告)号:CN119575113A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411656774.X
申请日:2024-11-19
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种适用于宇航固态功率控制的GaN HEMT器件抗辐照评价电路,包括:IDS测量单元、VDS测量单元、Vgs测量单元、Ig测量单元、信号调理单元、负载模拟单元,数据在线控制及监控单元。本发明能够实现对电路中发生单粒子效应、总剂量效应的实时在线检测和评估,保障电路运行的安全性,同时为电路故障排查提供了可靠的评价方法。对GaN HEMT器件面向宇航固态功率控制的应用安全使用具有重要意义。本发明解决了常规GaN HEMT器件的抗辐照试验器件无法同时实现关键数据的在线测量、测试数据样本不连续,测试效率低等问题。
-
公开(公告)号:CN117773654A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311865293.5
申请日:2023-12-29
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: B23Q17/09
Abstract: 本发明提供了一种基于数字孪生的数控机床刀具剩余寿命监测方法,构建数控机床铣削刀具行为模型;对铣削刀具行为模型和实测刀具数据进行特征提取与数据融合;对数据降维并保存所有特征;利用深度神经网络训练刀具剩余寿命监测模型,输入实际运行过程中的数据,实现刀具的剩余寿命监测。
-
公开(公告)号:CN115540748A
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN202211056794.4
申请日:2022-08-31
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: G01B11/00
Abstract: 本申请涉及高精度空间三维定位系统领域,具体公开了一种定位方法,包括:将n个标定杆布置在系统内,系统内设置有m个扫描站;获取m个扫描站分别扫过n个标定杆的多个旋转角度;根据多个旋转角度、n个标定杆上传感器的参数、m个扫描站上激光扫描单元的参数以及n个标定杆的长度,获取内参数标定结果和外参数标定结果。还公开了一种定位方法,包括:确定不同的多个扫描站布局样本,每个扫描站布局样本定义多个扫描站在测量空间内的坐标;根据布站优化适应度函数,从所述多个扫描站布局样本中确定目标扫描站布局样本,所述目标扫描站布局样本满足预设条件。本申请的方案有利于快速、高效、高精度、高稳定性的产品整体构型测量。
-
公开(公告)号:CN119448165A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411454534.1
申请日:2024-10-17
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 一种带直流和控制功能的短波强电磁脉冲抑制电路,包括:I级瞬态防护电路、三信号电路和II级瞬态防护电路;I级瞬态防护电路,采用两级气体放电管串联,用于防护雷电电磁脉冲或核电电磁脉冲中的低频部分,其输出端连接三信号电路;三信号电路,为短波信号、直流信号、控制信号的传输提供通路并进行瞬态防护,三信号电路的输出端连接II级瞬态防护电路;II级瞬态防护电路,为低容二极管与双向瞬态抑制二极管组成的电压钳位电路,用于防护雷电电磁脉冲或核电电磁脉冲中的高频部分,并将残余电压钳位在较低的水平。本发明还可对雷电、核电电磁脉冲进行有效防护,具有插入损耗小、残余电压低等特点,能大大提升短波电台的强电磁环境生存能力和抗扰能力。
-
-
-