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公开(公告)号：CN115657338A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211328980.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于相变材料调制光子晶体纳米梁的光存储器，包括：孔径啁啾型光子晶体纳米梁，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置的第一侧形成P型掺杂区，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置的第二侧形成N型掺杂区，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置溅射相变材料；其中，所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置与P型掺杂区之间形成间距，所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置与N型掺杂区之间形成间距。本发明使用相变材料能够很好的克服通过热光效应或者电光效应对硅基波导的折射率进行调谐不稳定的缺点。
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公开(公告)号：CN115655323A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211332429.1
申请日：2022-10-28
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种光纤光栅传感网络的光谱类型识别方法，包括：步骤S1、采集光纤光栅传感网络的光谱数据，其中，所述光纤光栅传感网络包括多个光纤光栅链路，每个光纤光栅链路包括多个光纤光栅；步骤S2、对采集到的所有光谱数据进行预处理，提取每个光纤光栅的光谱特征；步骤S3、将提取到的每个光纤光栅的光谱特征输入到支持向量机，识别每个光纤光栅的光谱类型。本发明解决了畸变光谱难以被解调的问题，极大的提升了光纤光栅传感网络的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112634204A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011407416.7
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于卷积神经网络的癌症边界智能识别方法，包括以下步骤：获取已知癌症组织的拉曼光谱并进行预处理、构建并训练基于卷积神经网络的模型、采集癌症区域的拉曼光谱数据，判断癌症边界，该方法有效的解决的癌症组织边界判断不准确导致的癌症组织切除不完全，或是过度切除破坏正常组织结构的问题。
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公开(公告)号：CN119831824A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411622430.7
申请日：2024-11-14
Applicant: 吉林电力股份有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 北京信息科技大学
Abstract: 本申请公开了一种基于风格迁移的云图增强方法、装置、设备、介质及产品，涉及云图增强领域，该方法包括对卫星云图数据中的多源云产品数据进行初步增强，确定多源云特征图；基于风格迁移算法，以红外云图作为内容云图，提取所述内容云图的内容特征，并以所述多源云特征图作为风格云图，提取所述风格云图的风格特征；融合所述内容特征以及所述风格特征，生成融合云图；根据所述融合云图预测光伏电站功率，本申请提高了云图数据质量，确保了融合云图不仅维持了云图的基本形态结构，还增添了丰富的颜色分布信息，从而使得预测的光伏电站功率的准确率更高。
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公开(公告)号：CN117826307B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202311800323.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于超材料结构的中红外偏振转换器包括，金属衬底层、在金属衬底层上制备的二氧化硅层，以及在二氧化硅层上制备的超表面层；超表面层包括周期排布的多个超表面结构单元；每一个所述超表面结构单元包括倾斜排布的中间矩形金属块，以及在中间矩形金属块两边倾斜排布的第一矩形金属块和第二矩形金属块；第一矩形金属块、第二矩形金属块和中间矩形金属块平行。本发明可以在3‑5μm波段实现高效的偏振转换，并且可以通过调整结构的参数来灵活改变其工作波长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117782317B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311810577.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在介质基底层上制备的介质缓冲层；在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线；GaN/AlN纳米线的一端为GaN，GaN/AlN纳米线的另一端为AlN，GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线，使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列，最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构，结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建，舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件，实现了小型化、轻量化。
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公开(公告)号：CN117747693B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311568221.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0376
Abstract: 本发明提供了一种基于GaSb光子晶体板的多光谱短波红外探测器，包括二类超晶格PBIN探测单元，以及在二类超晶格PBIN探测单元的GaSb盖层上集成的GaSb光子晶体板；GaSb光子晶体板包括多个晶体板单元，并且多个晶体板单元的周期不同、晶格常数不同；每一个晶体板单元开设多个探测孔，多个晶体板单元的探测孔的孔尺寸不同。本发明具有波长选择性、光谱多样性、高分辨率、工作波段广泛的优势。
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公开(公告)号：CN117761920B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311571482.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于“BP‑AHA”异质集成的多模式微环谐振调制器包括，全通型微环，以及沉积在全通型微环内部的漏极、沉积在全通型微环外部的源极；源极和漏极之间由BP‑AHA结构连接，并且在BP‑AHA结构顶部沉积栅极。本发明可以通过栅极施加电压进行电压调制，也可以通过空间激光进行调制，实现了单器件的多模式调制，有一定的应用场景。
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公开(公告)号：CN117782317A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311810577.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在介质基底层上制备的介质缓冲层；在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线；GaN/AlN纳米线的一端为GaN，GaN/AlN纳米线的另一端为AlN，GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线，使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列，最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构，结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建，舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件，实现了小型化、轻量化。
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公开(公告)号：CN117779188A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311802994.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/68 , C30B29/40 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法，包括如下方法步骤：S1、取厚度为500μm的两英寸的GaSb衬底置于分子束外延设备的生长腔；S2、对GaSb衬底升温至300℃进行高温除气，除气时间不少于两小时；S3、对GaSb衬底升温至520℃脱氧，直至GaSb衬底表面形貌点线清晰，保持三分钟；S4、对GaSb衬底降温至440℃，在GaSb衬底上生长厚度为500nm的GaSb缓冲层；S5、对GaSb衬底和GaSb缓冲层降温至420℃，在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格；在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格的过程中，As/In束流比为7～11。本发明优化As/In的束流比，在生长InAs/GaSb II类超晶格时提前打开As阀门，解决了由于缺As导致的InAs/GaSb II类超晶格表面易形成针状“亮点”缺陷的问题。
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