公开(公告)号：CN101003902A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710004020.6

申请日：2007-01-19

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 清水寿和

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明提供一种能对以钼类金属和铝类金属为主成分的金属层叠膜进行整体蚀刻，且可以抑制各膜的侧刻蚀量，将锥角控制为20～70度的优异的蚀刻液。该蚀刻液是对在绝缘膜基板上形成的铝类金属膜及钼类金属膜的层叠膜进行蚀刻的蚀刻液，含有磺酸化合物、磷酸和硝酸，其中所述磺酸化合物选自硫酸、硫酸铵、硫酸钠、硫酸钾、硫酸氢铵、硫酸氢钠、硫酸氢钾、硫酸钙、硫酸铈铵、硫酸铁、硫酸铜、硫酸镁、硫酸铅、硫酸羟基铵、酰胺硫酸、酰胺硫酸铵、过二硫酸铵、乙二胺硫酸盐、苯胺硫酸盐和腺嘌呤硫酸盐。

公开(公告)号：CN113355665A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110240282.2

申请日：2021-03-04

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 津田贵大 ,  德久智明 ,  森田智之 ,  清水寿和

IPC: C23C18/42 ,  C23C18/16

Abstract: 本发明的目的在于提供可使金在硅半导体的表面析出的速度降低的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等。通过提供包含金离子源、氟化合物和乙腈的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物、包含金离子源以及六氟硅酸和/或四氟硼酸的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等，解决了上述课题。

公开(公告)号：CN111286333A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010096805.6

申请日：2014-09-18

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  清水寿和

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供用于对作为半导体元件和平板显示器(FPD)等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行蚀刻的蚀刻液组合物，其中，可控制为具实用性的蚀刻速度，且Zn的溶解性高，使用中的组成变化少，因此可使蚀刻液的使用寿命长。可对作为半导体元件和FPD等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行微细加工，包含至少1种除氢卤酸和高卤酸等以外的某一解离阶段的25℃的酸解离常数pKan在2.15以下的酸和水，25℃的氢离子浓度pH在4以下的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。

公开(公告)号：CN104449739A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410478206.5

申请日：2014-09-18

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  清水寿和

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  H01L21/467 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供用于对作为半导体元件和平板显示器(FPD)等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行蚀刻的蚀刻液组合物，其中，可控制为具实用性的蚀刻速度，且Zn的溶解性高，使用中的组成变化少，因此可使蚀刻液的使用寿命长。可对作为半导体元件和FPD等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行微细加工，包含至少1种除氢卤酸和高卤酸等以外的某一解离阶段的25℃的酸解离常数pKan在2.15以下的酸和水，25℃的氢离子浓度pH在4以下的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。

公开(公告)号：CN100347344C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200310118044.6

申请日：2003-11-24

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大城研二 ,  清水寿和 ,  景山宪二

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明提供高精度蚀刻加工以银为主成分的金属薄膜图案、形成良好的图案形状、且实用性良好的蚀刻液组合物。该蚀刻以银为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物由40～50重量%的磷酸、1.5～3.5重量%的硝酸、25～40重量%的醋酸及水混和而成。

公开(公告)号：CN1626699A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410097834.5

申请日：2004-12-02

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 清水寿和 ,  渡边香 ,  青木秀充

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  C23F1/02

CPC classification number: C23F1/26 ,  C09K13/08 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明提供一种用于去除在半导体基板上成膜或者附着的不需要的钨金属的稳定的酸性去除液以及使用了该去除液的钨金属的去除方法。本发明所述的去除液含有原高碘酸以及水。

公开(公告)号：CN118613769A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380016826.4

申请日：2023-01-20

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 伊藤翼 ,  佐佐木辽 ,  清水寿和

IPC: G03F7/42 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  H05K3/06

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种对于固化后的抗蚀剂也显示高的剥离性，即使是含有少量水的组成，水蒸发时剥离性降低也较少，且能够抑制Cu或Al及Si等与液体接触的基板构成金属的腐蚀的光刻胶剥离组合物。一种光刻胶剥离组合物，组合物包含(A)氢氧化季铵、(B)糖醇、(C)胺、(D)水、(E)DMSO和(F)乙二醇，(D)水的含量相对于组合物的总质量为1.0～10质量％，通过该组合物实现上述课题。

公开(公告)号：CN118591777A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380016827.9

申请日：2023-01-20

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 伊藤翼 ,  佐佐木辽 ,  清水寿和

IPC: G03F7/42 ,  C11D1/62 ,  C11D3/20 ,  H05K3/06

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种对于固化后的抗蚀剂也显示高的剥离性，能够抑制Cu及Al等与液体接触的基板构成金属的腐蚀，并抑制剥离过程中Cu等金属的过度的氧化的光刻胶剥离组合物。一种光刻胶剥离组合物，组合物包含(A)氢氧化季铵、(B)二乙二醇单乙醚、(C)甘油和(D)水，(A)的含量相对于组合物的总质量为0.5～5质量％，(B)的含量相对于组合物的总质量为50～95质量％，(C)的含量相对于组合物的总质量为0.5～20质量％，(D)的含量相对于组合物的总质量小于20质量％，通过所述组合物实现上述课题。

公开(公告)号：CN108690984B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN201810273822.5

申请日：2018-03-29

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 清水寿和 ,  大和田拓央

IPC: C23F1/26

Abstract: 本发明的课题在于提供能够在对Qz基板不造成破坏的情况下对MoSi膜进行选择性的蚀刻的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。一种用于对MoSi膜进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其中，包含少于3.5重量％的氟化合物、水和含碘氧化剂。

公开(公告)号：CN111378453A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911380289.3

申请日：2019-12-27

Applicant: 关东化学株式会社 ,  AGC株式会社

Inventor： 佐佐木辽 ,  高桥秀树 ,  清水寿和 ,  中村伸宏 ,  増茂邦雄 ,  渡边晓

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  C23F1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明的目的在于，提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜的侧面蚀刻差的同时，简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明涉及用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。