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公开(公告)号：CN113355665A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110240282.2
申请日：2021-03-04
Applicant: 关东化学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供可使金在硅半导体的表面析出的速度降低的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等。通过提供包含金离子源、氟化合物和乙腈的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物、包含金离子源以及六氟硅酸和/或四氟硼酸的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等，解决了上述课题。
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