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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1506494A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310120252.X
申请日：2003-12-10
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: C23C18/42
Abstract: 本发明提供一种无电解镀金液，其不含有氰化合物作为金源，含有以通式(1)表示的分解抑制剂(其中不包括含有亚硫酸的金配位盐，上述分解抑制剂是胞嗪和pH为6.0以下的情况)。通式(1)中，R1～R4表示氢原子、可以具有取代基的碳原子数1～10的烷基、可以具有取代基的碳原子数6～10的芳基、可以具有取代基的碳原子数1～10的烷氧基、氨基、羟基、＝O、卤原子，R2和R3或者R3和R4可以相互交联形成饱和环或者不饱和环，该饱和环或者不饱和环可以含有氧原子、硫原子或氮原子，上述各取代基是卤原子、氰基；＝是单键或者双健。
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公开(公告)号：CN102369309B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080011478.4
申请日：2010-03-10
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: C23C18/44 , H01L21/288 , H05K3/18 , H05K3/24
CPC classification number: H05K3/187 , C23C18/1605 , C23C18/1607 , C23C18/165 , C23C18/1834 , C23C18/1844 , C23C18/1851 , C23C18/44
Abstract: 本发明要解决的技术问题是提供一种化学镀金液，其能够在短时间内包埋在覆盖于基板上的抗蚀剂上所形成的单个或多个开口部，该开口部具有微米量级的基底材料露出部的宽度，尤其是具有100μm以下的基底材料露出部的宽度，且高度为3μm以上。化学镀金液中含有微细部析出促进剂，形成100μm以下的微细图案从而解决上述技术问题。
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公开(公告)号：CN102369309A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080011478.4
申请日：2010-03-10
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: C23C18/44 , H01L21/288 , H05K3/18 , H05K3/24
CPC classification number: H05K3/187 , C23C18/1605 , C23C18/1607 , C23C18/165 , C23C18/1834 , C23C18/1844 , C23C18/1851 , C23C18/44
Abstract: 本发明要解决的技术问题是提供一种化学镀金液，其能够在短时间内包埋在覆盖于基板上的抗蚀剂上所形成的单个或多个开口部，该开口部具有微米量级的基底材料露出部的宽度，尤其是具有100μm以下的基底材料露出部的宽度，且高度为3μm以上。化学镀金液中含有微细部析出促进剂，形成100μm以下的微细图案从而解决上述技术问题。
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公开(公告)号：CN113355665A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110240282.2
申请日：2021-03-04
Applicant: 关东化学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供可使金在硅半导体的表面析出的速度降低的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等。通过提供包含金离子源、氟化合物和乙腈的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物、包含金离子源以及六氟硅酸和/或四氟硼酸的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等，解决了上述课题。
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