公开(公告)号：CN113355665A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110240282.2

申请日：2021-03-04

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 津田贵大 ,  德久智明 ,  森田智之 ,  清水寿和

IPC: C23C18/42 ,  C23C18/16

Abstract: 本发明的目的在于提供可使金在硅半导体的表面析出的速度降低的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等。通过提供包含金离子源、氟化合物和乙腈的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物、包含金离子源以及六氟硅酸和/或四氟硼酸的用于对硅半导体的表面进行无电解镀金的组合物等，解决了上述课题。

公开(公告)号：CN110114507A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201680091924.4

申请日：2016-12-27

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 津田贵大 ,  德久智明 ,  大和田拓央 ,  千田一敬

IPC: C23C18/44

Abstract: 本发明提供包含1种或2种以上的碱金属化合物、所述碱金属化合物不是作为碱金属仅含钠的化合物、且所述碱金属化合物不是仅碱金属的卤化物、仅亚硫酸钾、或者仅酒石酸钾钠的用于无电解镀金的金析出促进剂，包含该金析出促进剂的无电解镀金液，使用其的镀金方法和金析出促进方法等。