公开(公告)号：CN1325697C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200310120156.5

申请日：2003-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  奥博特瑞克斯株式会社

Inventor： 清水寿和 ,  景山宪二 ,  宫本孝吉 ,  藤信秀哉

IPC: C23F1/16 ,  G02F1/1335

Abstract: 本发明提供了价格低廉的蚀刻液组合物，其使用单一溶液可以同时蚀刻包含SiO2膜的金属反射层合膜，抑制各膜的侧面腐蚀量并且对于作为光散射层的树脂层没有损伤。即该蚀刻液组合物是用单一溶液同时蚀刻由含有金属反射膜和SiO2膜的2层以上的膜构成的金属反射层合膜的蚀刻液组合物，其由磷酸、硝酸、醋酸、氢氟酸和水配合而成。

公开(公告)号：CN1502722A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310118044.6

申请日：2003-11-24

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大城研二 ,  清水寿和 ,  景山宪二

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明提供高精度蚀刻加工以银为主成分的金属薄膜图案、形成良好的图案形状、且实用性良好的蚀刻液组合物。该蚀刻以银为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物由40～50重量％的磷酸、1.5～3.5重量％的硝酸、25～40重量％的醋酸及水混和而成。

公开(公告)号：CN1334312A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：CN01120328.5

申请日：2001-07-24

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 林秀和 ,  景山宪二

IPC: C09K13/04 ,  C23F1/24

CPC classification number: H01L21/32115 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供一种廉价的表面处理溶液,能够选择性地降低在玻璃等绝缘衬底上通过激光退火法形成的多晶硅膜表面的平均粗糙度(Ra)。该多晶硅膜的表面处理溶液,实质上由0.01－0.5质量%的氢氟酸或者0.5－5质量%的氟化铵、50.0－80.0质量%的硝酸和水组成。

公开(公告)号：CN100347344C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200310118044.6

申请日：2003-11-24

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大城研二 ,  清水寿和 ,  景山宪二

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明提供高精度蚀刻加工以银为主成分的金属薄膜图案、形成良好的图案形状、且实用性良好的蚀刻液组合物。该蚀刻以银为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物由40～50重量%的磷酸、1.5～3.5重量%的硝酸、25～40重量%的醋酸及水混和而成。

公开(公告)号：CN1506495A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310120156.5

申请日：2003-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  奥博特瑞克斯株式会社

Inventor： 清水寿和 ,  景山宪二 ,  宫本孝吉 ,  藤信秀哉

IPC: C23F1/16 ,  G02F1/1335

Abstract: 本发明提供了价格低廉的蚀刻液组合物，其使用单一溶液可以同时蚀刻包含SiO2膜的金属反射层合膜，抑制各膜的侧面腐蚀量并且对于作为光散射层的树脂层没有损伤。即该蚀刻液组合物是用单一溶液同时蚀刻由含有金属反射膜和SiO2膜的2层以上的膜构成的金属反射层合膜的蚀刻液组合物，其由磷酸、硝酸、醋酸、氢氟酸和水配合而成。