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公开(公告)号：CN115668465A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180035761.9
申请日：2021-03-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , H01L21/31 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备由清洗而形成的化学氧化膜的构成各不相同的多个半导体基板，在相同的热氧化处理条件下进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；清洗条件确定工序，其中，根据在相关关系获取工序中得到的相关关系，以使形成于半导体基板的热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定化学氧化膜的构成，并同时确定形成具有确定出的化学氧化膜的构成的化学氧化膜的清洗条件；基板清洗工序，其中，在所确定的清洗条件下对半导体基板进行清洗；热氧化膜形成工序，其中，对于进行了清洗的所述半导体基板，在与相关关系获取工序中的热氧化处理条件相同的条件下，对半导体基板进行热氧化处理，在所述半导体基板表面形成热氧化膜。由此，能够再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的膜厚。
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公开(公告)号：CN117941033A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280058117.8
申请日：2022-07-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明是一种硅晶圆的清洗方法，其为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，该清洗方法包括以下工序：准备露出没有自然氧化膜的裸面的硅晶圆作为所述硅晶圆的工序；及利用包含氢氧化铵和双氧水的水溶液对该已准备的硅晶圆进行清洗，由此将所述硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗工序，其中，作为所述清洗工序中使用的水溶液，使用Si相对于SiO2的蚀刻选择比为95以上且1100以下的水溶液。由此，提供一种能够将硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗方法、及一种能够得到仅一侧的面被粗糙化的硅晶圆的硅晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN110140197B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201780082034.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种半导体晶圆的洗净方法，对于在表面形成有氧化膜的半导体晶圆予以供给得以除去该氧化膜的洗净液，且在旋转该半导体晶圆的同时予以进行洗净，而将形成于该半导体晶圆的表面的氧化膜予以除去，其中该氧化膜的除去，系自该洗净液的洗净开始直至疏水面出现前为止，以该半导体晶圆的旋转速度为300rpm以上而进行，之后以切换该半导体晶圆的旋转速度为100rpm以下而进行而将该氧化膜完全除去。由此提供能兼得表面粗糙度的改善及表面缺陷的抑制的半导体晶圆的洗净方法。
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公开(公告)号：CN110447088B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201880019193.1
申请日：2018-03-05
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为一种半导体晶圆的清洗方法，该方法将半导体晶圆插入填充有氢氟酸的氢氟酸槽内而浸渍在所述氢氟酸中，且从所述氢氟酸槽拉出之后，将所述半导体晶圆插入填充有臭氧水的臭氧水槽内而浸渍在所述臭氧水中进行清洗，其特征在于，至少从所述半导体晶圆的下端接触于所述臭氧水开始至所述半导体晶圆完全浸渍于所述臭氧水为止，以插入速度20000mm/min以上进行所述半导体晶圆朝向所述臭氧水槽内的插入。由此，提供在将半导体晶圆浸渍于氢氟酸而清洗后浸渍于臭氧水进行清洗的方法中，能够防止微粒等异物的残留及已除去的异物的再附着的半导体晶圆的清洗方法。
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公开(公告)号：CN115485815A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180031524.5
申请日：2021-03-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明是一种半导体基板的干式蚀刻方法，其为具有氧化膜的半导体基板的干式蚀刻方法，其中，预先评价所述氧化膜的膜质，并基于该评价的结果确定进行所述干式蚀刻的时间。由此，提供以下的方法：在对半导体基板表面的氧化膜进行干式蚀刻时，可不受氧化膜的膜质差异影响，准确地控制氧化膜的蚀刻量，而抑制过度蚀刻或蚀刻不足。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112204712A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036009.9
申请日：2019-03-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/18 , C11D7/54 , C30B29/06 , C30B33/00
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的清洗方法，其是将硅晶圆进行SC1清洗后，利用具有氧化性的清洗液进行清洗的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，通过利用所述具有氧化性的清洗液清洗因所述SC1清洗而形成于该硅晶圆的表面的化学氧化膜，从而使所述化学氧化膜的厚度成长为1.0nm以上。由此提供一种具有良好的微粒质量且能够形成稳定的化学氧化膜的硅晶圆的清洗方法。
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公开(公告)号：CN111684572A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201980012334.1
申请日：2019-02-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/04 , H01L21/683
Abstract: 本发明为一种晶圆的处理装置，其具备能够在腔室内旋转的台及配置在该台上的多个保持销，由该多个保持销保持晶圆的周缘部，且一边使该晶圆旋转一边进行清洗及/或干燥处理，其特征在于，所述多个保持销中的一个以上的保持销是可驱动的，并对所述晶圆按压而进行保持，使得施加于受保持的晶圆的合力为将该晶圆弯曲至上凸的方向。由此，提供能够防止颗粒在晶圆旋转中心密集并能够防止产生干燥痕等的晶圆的处理装置及晶圆的处理方法。
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公开(公告)号：CN110140197A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780082034.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种半导体晶圆的洗净方法，对于在表面形成有氧化膜的半导体晶圆予以供给得以除去该氧化膜的洗净液，且在旋转该半导体晶圆的同时予以进行洗净，而将形成于该半导体晶圆的表面的氧化膜予以除去，其中该氧化膜的除去，系自该洗净液的洗净开始直至疏水面出现前为止，以该半导体晶圆的旋转速度为300rpm以上而进行，之后以切换该半导体晶圆的旋转速度为100rpm以下而进行而将该氧化膜完全除去。由此提供能兼得表面粗糙度的改善及表面缺陷的抑制的半导体晶圆的洗净方法。
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公开(公告)号：CN105164792A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480023016.2
申请日：2014-04-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
CPC classification number: B08B3/12 , H01L21/02052 , H01L21/67057
Abstract: 本发明涉及一种清洗方法，其是使用在底面具有倾斜的清洗槽来进行被清洗物的超声波清洗的清洗方法，其特征在于，使用多个所述清洗槽，并使该多个清洗槽的底面的倾斜方向在每个相邻的清洗槽改变，来清洗所述被清洗物。由此，能够解决在通过超声波清洗所实施的晶圆清洗中的晶圆清洗不均。
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公开(公告)号：CN103608904A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029741.1
申请日：2012-05-11
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052
Abstract: 本发明是一种具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序的半导体晶片的清洗方法，该方法的特征是在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。由此，在半导体晶片的清洗中，提供一种能够同时降低半导体晶片表面中的金属杂质水平和粒子水平的半导体晶片的清洗方法。
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