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公开(公告)号：CN104956464A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380071248.0
申请日：2013-12-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L29/34
Abstract: 本发明涉及一种制作SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在对接合晶圆的贴合面和基底晶圆的贴合面中至少一个表面实施等离子处理后，通过氧化膜进行贴合，在剥离热处理中，通过进行第一步骤，即以250℃以下的温度进行2小时以上的热处理，以及第二步骤，即以400℃以上450℃以下的温度进行30分钟以上的热处理，由此在离子注入层剥离接合晶圆。由此，能够提供一种SOI层膜厚范围小，SOI层表面的表面粗糙度小，平台部形状平滑，并且SOI层没有空隙、泡等缺陷的SOI晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN100517724C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN02807889.6
申请日：2002-03-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片及其制造方法，该SOI晶片是利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，其特征为：发生在SOI晶片边缘部的基片表面外露的平台部的SOI岛区域宽度小于1mm，而且利用LPD检查所检测出的存在于SOI层表面的尺寸为0.19μm以上的凹坑状缺陷的密度，在1counts/cm2以下。因此，可提供一种利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，抑制剥离时所发生的SOI岛的产生，并且降低SOI晶片表面所存在的LPD缺陷密度的SOI晶片及其制造方法，而且可减少器件不良。
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公开(公告)号：CN100454552C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN02802464.8
申请日：2002-07-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , Y10S438/977
Abstract: 本发明涉及一种贴合晶片的制造方法，通过离子注入剥离法制造贴合晶片，该离子注入剥离法至少具有下列工序，即，将具有通过气体离子注入形成了微小气泡层的结合晶片与作为支持基板的基晶片进行接合的工序、及以上述微小气泡层为界剥离结合晶片从而在基晶片上形成薄膜的工序；其特征是：在剥离前述结合晶片后的贴合晶片上，在惰性气体、氢气、或这些气体的混合气体环境下施行热处理，然后对该贴合晶片施行热氧化，在前述薄膜表面形成热氧化膜，且除去该热氧化膜，由此减少前述薄膜的厚度。由此提供一种贴合晶片的制造方法，能在维持利用离子注入剥离法制造的贴合晶片的薄膜的膜厚均一性的同时，确实除去表面的损伤或缺陷，且能充分适用于量产技术。
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公开(公告)号：CN118891405A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380031929.8
申请日：2023-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是隔着氧化膜将第一单晶硅基板与第二单晶硅基板结合而成的基板，其中，所述第一单晶硅基板的晶面取向是{111}，所述第二单晶硅基板的主面相对于晶面取向{100}具有偏角，在所述结合基板的所述第一单晶硅基板的表面上，形成有所述氮化物半导体膜。由此，提供一种滑移、破裂等的发生得到抑制、破坏强度高的电子器件用基板及其制造方法，该电子器件用基板在单晶硅上形成有氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN107615445B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680028359.7
申请日：2016-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种SOI晶圆的制造方法，将贴合晶圆的经离子注入的表面与基底晶圆的表面透过形成于基底晶圆表面的硅氧化膜贴合后，通过进行剥离热处理将贴合晶圆剥离，而制作出SOI晶圆，并以含有氩气氛围对SOI晶圆进行平坦化热处理，其中于剥离热处理后，不夹杂其他热处理，在进行去除存在于SOI晶圆的台地部的硅氧化膜上的硅薄片处理后，以含有氩气氛围进行平坦化热处理。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，而制作出于台地部具有硅氧化膜的SOI晶圆的剥离面，并于SOI晶圆的剥离面进行平坦化热处理时，能对剥离面进行平坦化而不会在台地部形成不必要的凹陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109314040A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780032865.8
申请日：2017-04-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 公开了一种通过彼此贴合其间具有绝缘膜的接合晶圆和基底晶圆而制造贴合式SOI晶圆的方法，所述接合晶圆和基底晶圆每个由单晶硅制成。所述方法包括：在基底晶圆贴合面侧堆积多晶硅层的步骤；研磨多晶硅层表面而得到研磨面的步骤；在研磨面形成热氧化膜的步骤；在接合晶圆贴合面形成绝缘膜的步骤；通过彼此粘合绝缘膜及热氧化膜而彼此贴合接合晶圆及基底晶圆的贴合步骤；薄膜化经贴合的接合晶圆而将SOI层形成薄膜的步骤，其中用电阻率100Ω·cm或以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆，形成于研磨面的热氧化膜厚度为15nm或以上，形成于研磨面的热氧化膜表面的RMS为0.6nm或以下，贴合步骤后进行的热处理的最高处理温度为1150℃以下。从而，提供了贴合式SOI晶圆的制造方法，其中通过抑制来自贴合交界面的硼污染的影响，抑制高电阻基板的电阻率降低。
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公开(公告)号：CN107615445A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680028359.7
申请日：2016-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种SOI晶圆的制造方法，将贴合晶圆的经离子注入的表面与基底晶圆的表面透过形成于基底晶圆表面的硅氧化膜贴合后，通过进行剥离热处理将贴合晶圆剥离，而制作出SOI晶圆，并以含有氩气氛围对SOI晶圆进行平坦化热处理，其中于剥离热处理后，不夹杂其他热处理，在进行去除存在于SOI晶圆的台地部的硅氧化膜上的硅薄片处理后，以含有氩气氛围进行平坦化热处理。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，而制作出于台地部具有硅氧化膜的SOI晶圆的剥离面，并于SOI晶圆的剥离面进行平坦化热处理时，能对剥离面进行平坦化而不会在台地部形成不必要的凹陷。
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公开(公告)号：CN104603910B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201380045827.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/26533 , H01L21/31105
Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有如下工序：在贴合前，至少在接合晶圆的整个表面形成绝缘膜，在保护接合晶圆的与贴合面相反侧的背面的绝缘膜的同时，通过使在离子注入层剥离接合晶圆之前的贴合晶圆接触可溶解绝缘膜的液体，或者暴露在可溶解绝缘膜的气体中，将位于接合晶圆与基底晶圆之间的绝缘膜从贴合晶圆的外周端向中心方向蚀刻。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其在接合晶圆上形成绝缘膜进行贴合时，在控制平台的宽度，并防止产生SOI岛的同时，能够抑制擦痕及SOI膜厚分布异常。
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公开(公告)号：CN104620384B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201380047666.6
申请日：2013-10-11
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/26506 , H01L21/31111
Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，在由半导体单晶基板构成的接合晶圆上形成氧化膜，通过该氧化膜将氢气及稀有气体中至少一种气体离子进行离子注入，在所述接合晶圆上形成离子注入层，在将该接合晶圆进行了离子注入的表面与基底晶圆表面通过所述氧化膜进行贴合后，在所述离子注入层剥离所述接合晶圆，由此制作SOI晶圆，其中，将形成在所述接合晶圆上的氧化膜设为贴合面的背面的氧化膜厚于贴合面的氧化膜。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其能够抑制在通过离子注入剥离法剥离的情况下产生的由于SOI晶圆与剥离后的接合晶圆的翘曲形状而导致产生的擦痕或SOI膜厚异常。
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公开(公告)号：CN103988284B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201280061446.4
申请日：2012-11-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，该方法具有通过对于SOI晶片实施牺牲氧化处理而对上述SOI晶片的SOI层进行减厚调整的工序，其中，上述牺牲氧化处理是对SOI层表面进行热氧化并去除所形成的热氧化膜的处理，上述SOI晶片的制造方法其特征在于，通过使用分批式热处理炉至少在升温中、以及降温中的一方进行上述牺牲氧化处理中的热氧化，而在上述SOI层的表面形成大致同心圆形状的氧化膜厚分布。由此，通过进行形成大致同心圆形状的氧化膜并去除所形成的热氧化膜的牺牲氧化处理，提供一种能够以高生产率制造改进了面内膜厚分布的SOI晶片的SOI晶片的制造方法。
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