-
公开(公告)号：CN111918988A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201980019491.5
申请日：2019-02-18
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其中，使碳化硅原材料在碳化硅单晶生长装置内升华而使碳化硅单晶在晶种基板上生长，所述碳化硅单晶生长装置至少具备生长容器与在该生长容器的周围具有温度测量用的孔的隔热容器，所述制造方法的特征在于，在所述碳化硅单晶进行生长时，通过所述温度测量用的孔而测量所述生长容器的温度，在所述碳化硅单晶的生长结束并将该碳化硅单晶冷却时，用遮蔽构件塞住所述温度测量用的孔。由此，提供一种减少碳化硅单晶锭及晶圆的破裂或裂缝的碳化硅单晶的制造方法及制造装置。
-
公开(公告)号：CN111542651A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880083603.9
申请日：2018-11-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测定用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器内的上部的中心配置晶种基板，于生长容器下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基底面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心及孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基底面的法线矢量的与主面平行的分量的方向与孔的偏心方向为反方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了贯穿缺陷的碳化硅单晶的制造方法。
-
公开(公告)号：CN1292453C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN02118666.9
申请日：2002-04-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/00
Abstract: 一种半导体晶片的剥离方法，将贴有半导体晶片(1)的粘合片(2)重叠在具有直线状的边缘和支承面的支承体(40)的该支承面上，同时通过将从支承体(40)延伸的粘合片(2)在边缘处进行折曲，一边在边缘部将粘合片(2)上已从半导体晶片(1)剥离的部分、即已剥离区域与除此以外的部分、即未剥离区域之间的边界保持成直线状，一边使粘合片(2)相对支承体(40)作相对移动，由此使边界沿着半导体晶片(1)的主面移动，以将粘合片(2)从半导体晶片(1)上剥离。采用这种方法，不会对半导体晶片(1)施加过份的力，能可靠地从粘合片(2)上剥离。
-
公开(公告)号：CN111819311A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017792.4
申请日：2019-02-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为使固体碳化硅原料于生长容器内升华并使碳化硅单晶在晶种基板上生长的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，将钽(Ta)的粉末与碳的粉末一同混合，并使其附着于所述生长容器内的所述固体碳化硅原料，进行热处理并烧结，在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜后使碳化硅单晶生长、或一边在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜一边使碳化硅单晶生长。由此提供一种减少了碳内含物的碳化硅单晶的制造方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100530723C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200680003703.3
申请日：2006-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , B23K1/0016 , B23K35/001 , B23K35/262 , B23K35/3013 , B23K2101/40 , H01L24/31 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/29144 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/4823 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , H01L2924/0105 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 形成在发光元件1的化合物半导体层100第二主表面的第二电极16，具备接合合金化层31与焊料层34，该接合合金化层31与化合物半导体层100的第二主表面接触设置，同时用于降低与该化合物半导体层100的接合阻抗，该焊料层34用于将该接合金属层连接于通电支持体52。该焊料层34，是由设置在接合合金化层31侧、以Sn为主成分且熔点低于接合合金化层31的Sn系金属构成的Sn系焊料层34s，以及位在该Sn系焊料层34s的接合合金化层31的相反侧、与Sn系焊料层34s接触的Au-Sn系焊料层34m所构成，且该Au-Sn系焊料层34m含有30质量%～90质量%的Au、与10质量%～70质量%的Sn，Au与Sn的合计含有量大于或等于80质量%，且熔点高于Sn系焊料层34s。藉此，在以Au-Sn系焊料层进行安装为前提的发光元件中，提供一种Au-Sn系焊料层与接合合金化层之间具有更加优异的接合可靠性，进而不易产生Au-Sn系焊料层的剥离等现象的组件构造。
-
公开(公告)号：CN100433388C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200580013481.9
申请日：2005-04-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/308
CPC classification number: H01L33/30 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L33/22 , H01L2224/48091 , Y10S438/964 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光元件的制造方法，是将具有发光层部24(具有由AlGaInP所组成的双异质结构)、以及GaP光取出层20(以本身的第一主表面成为晶圆的第一主表面的形式设置于发光层部上)的发光元件晶圆，以GaP光取出层的第一主表面成为(100)面的方式来制造。其是通过面粗糙用蚀刻液，将由该(100)面所形成的GaP光取出层20的第一主表面进行蚀刻，而形成面粗糙突起部40f；该蚀刻液，是含有醋酸、氢氟酸、硝酸、碘与水合计量在90%以上，且醋酸、氢氟酸、硝酸与碘的总质量含有率较水的质量含有率为高。由此，本发明可提供一种发光元件的制造方法，其具有以(100)作为主表面的GaP光取出层，且可轻易地在该(100)主表面进行面粗糙处理。
-
公开(公告)号：CN101111946A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003703.3
申请日：2006-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , B23K1/0016 , B23K35/001 , B23K35/262 , B23K35/3013 , B23K2101/40 , H01L24/31 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/29144 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/4823 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , H01L2924/0105 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 形成在发光元件1的化合物半导体层100第二主表面的第二电极16，具备接合合金化层31与焊料层34，该接合合金化层31与化合物半导体层100的第二主表面接触设置，同时用于降低与该化合物半导体层100的接合阻抗，该焊料层34用于将该接合金属层连接于通电支持体52。该焊料层34，是由设置在接合合金化层31侧、以Sn为主成分且熔点低于接合合金化层31的Sn系金属构成的Sn系焊料层34s，以及位在该Sn系焊料层34s的接合合金化层31的相反侧、与Sn系焊料层34s接触的Au－Sn系焊料层34m所构成，且该Au－Sn系焊料层34m含有30质量％～90质量％的Au、与10质量％～70质量％的Sn，Au与Sn的合计含有量大于或等于80质量％，且熔点高于Sn系焊料层34s。藉此，在以Au－Sn系焊料层进行安装为前提的发光元件中，提供一种Au－Sn系焊料层与接合合金化层之间具有更加优异的接合可靠性，进而不易产生Au－Sn系焊料层的剥离等现象的组件构造。
-
公开(公告)号：CN1947269A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580013382.0
申请日：2005-04-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/308
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/30
Abstract: 本发明是对具有发光层部24、以及以结晶方位与该发光层部24一致的方式做积层的GaP透明半导体层20，90而成的发光元件晶圆，以GaP透明半导体层的侧面成为{100}面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式(AlxGa1－x)yIn1－yP(其中，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，以与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层6、活性层5以及第二导电型包覆层4，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为(100)面。藉此提供一种在具有AlGaInP发光层部与GaP透明半导体层的发光元件中，进行切割时不易产生边缘裂片等不良的制造方法。
-
公开(公告)号：CN1274034C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN02131970.7
申请日：2002-08-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L24/32 , H01L33/22 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在GaP系半导体衬底70中，以p型层侧的主表面作为第一主表面10，以其相反侧的主表面作为第二主表面12。在第二主表面，借由研磨后用王水蚀刻来集中形成向半导体衬底70内侧突出的镜面状凹曲面51，以提高光全反射；另一方面，在半导体衬底70上除第一接触层62和第二主表面11的形成区域以外的区域中，借由实施异向性蚀刻来集中形成向外侧突出的凸曲面53，以降低光全反射。形成于第二主表面11上的第二接触层64(第二电极63)是用Au、Si及Ni所组成的合金形成，而形成于第一主表面10上的第一接触层62是用Au和Be或Zn的合金形成。借此，可提供出就算在间接跃迁型的发光形态也能充分的提高亮度的GaP系半导体发光组件。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.077 seconds)
