公开(公告)号：CN1274034C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN02131970.7

申请日：2002-08-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 鈴木金吾 ,  池田均 ,  金子康继

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L24/32 ,  H01L33/22 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在GaP系半导体衬底70中，以p型层侧的主表面作为第一主表面10，以其相反侧的主表面作为第二主表面12。在第二主表面，借由研磨后用王水蚀刻来集中形成向半导体衬底70内侧突出的镜面状凹曲面51，以提高光全反射；另一方面，在半导体衬底70上除第一接触层62和第二主表面11的形成区域以外的区域中，借由实施异向性蚀刻来集中形成向外侧突出的凸曲面53，以降低光全反射。形成于第二主表面11上的第二接触层64(第二电极63)是用Au、Si及Ni所组成的合金形成，而形成于第一主表面10上的第一接触层62是用Au和Be或Zn的合金形成。借此，可提供出就算在间接跃迁型的发光形态也能充分的提高亮度的GaP系半导体发光组件。

公开(公告)号：CN1292453C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02118666.9

申请日：2002-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 池田均 ,  鈴木金吾

IPC: H01L21/00

Abstract: 一种半导体晶片的剥离方法，将贴有半导体晶片(1)的粘合片(2)重叠在具有直线状的边缘和支承面的支承体(40)的该支承面上，同时通过将从支承体(40)延伸的粘合片(2)在边缘处进行折曲，一边在边缘部将粘合片(2)上已从半导体晶片(1)剥离的部分、即已剥离区域与除此以外的部分、即未剥离区域之间的边界保持成直线状，一边使粘合片(2)相对支承体(40)作相对移动，由此使边界沿着半导体晶片(1)的主面移动，以将粘合片(2)从半导体晶片(1)上剥离。采用这种方法，不会对半导体晶片(1)施加过份的力，能可靠地从粘合片(2)上剥离。

公开(公告)号：CN1407636A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02131970.7

申请日：2002-08-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 鈴木金吾 ,  池田均 ,  金子康继

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L24/32 ,  H01L33/22 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在GaP系半导体基体70中，以p型层侧的主面作为第一主面10，以其相反侧的主面作为第二主面12。在第二主面，藉由研磨后用王水蚀刻，以形成可提高光全反射之向半导体基体70内侧凸之镜面状凹曲面51的集合；另一方面，在半导体基体70之第一接触层62形成区域及第二主面11以外，藉由实施异向性蚀刻，以形成为降低光全反射之向外侧凸之凸曲面53的集合。又，将形成于第二主面11上之第二接触层64(第二电极63)，用Au、Si及Ni所组成的合金所形成，将形成于第一主面10上之第一接触层62，用Au和Be或Zn之合金所形成。藉此，可提供出就算在间接跃迁型的发光形态也能充分的提高亮度之GaP系半导体发光组件。