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公开(公告)号：CN118221949A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311749844.1
申请日：2023-12-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G79/12 , C09D185/00 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用聚合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供具有优异的干蚀刻耐性，且兼具高程度填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用聚合物、使用了该聚合物的含金属的膜形成用组成物、使用了该组成物的图案形成方法。本发明为一种含金属的膜形成用聚合物，其特征在于：前述聚合物具有下列通式(1A)表示的重复单元，[化1]#imgabs0#式中，W1为碳数1～31的2价有机基团，Q表示选自由碳数1～20的烷基、碳数3～20的环烷基、含有1个以上的双键或三键的碳数2～20的脂肪族不饱和有机基团、碳数6～30的芳基、碳数7～31的芳烷基构成的群组中的基团。
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公开(公告)号：CN118005930A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311472003.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用该组成物于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，是半导体制造中使用的含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为前述化合物以下列通式(A)表示。[化1]#imgabs0#。
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公开(公告)号：CN117215155A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310673371.5
申请日：2023-06-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，在半导体装置制造步骤的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，即使在具有宽广的沟渠结构等特别难平坦化的部分的被加工基板上，仍能形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜且进一步给予具有适当蚀刻特性的抗蚀剂下层膜，并提供使用了前述材料的图案形成方法及抗蚀剂下层膜形成方法。一种抗蚀剂下层膜材料，其特征为包含(A)含有苯酚性羟基的化合物或树脂、(B)碱产生剂、及(C)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN117024997A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310508624.3
申请日：2023-05-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法。本发明提供一种金属氧化膜形成用组成物，其对于已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性、对于已知的金属硬掩膜具有优良的填埋特性，能减小伴随厚膜化的裂纹且保存稳定性优异。一种金属氧化膜形成用组成物，包含：金属氧化物纳米粒子，含有具有下列通式(1)表示的结构单元的树脂的流动性促进剂，由含有2个以上的苯环、或1个苯环及下列通式(C‑1)表示的结构且分子量为500以下的含芳香族的化合物构成的分散稳定化剂，有机溶剂，流动性促进剂相对于组成物全体的含量为9质量％以上，Mw/Mn为2.50≤Mw/Mn≤9.00，不含卡多(cardo)结构。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115877657A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211182821.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种有机膜形成用组成物、图案形成方法以及有机膜形成用化合物及聚合物。本发明的解决手段是一种有机膜形成用组成物，其特征在于含有下述通式表示的有机膜形成材料及有机溶剂。该通式中，R1为氢原子、烯丙基、或炔丙基，R2表示硝基、卤素原子、羟基、碳数1～4的烷基氧基、碳数2～4的炔基氧基、碳数2～4的烯基氧基、碳数1～6的直链状、分支状、或环状的烷基、三氟甲基、或三氟甲基氧基；m＝0、1，n＝1、2，l＝0、1，k表示0～2的整数，W是碳数1～40的2价有机基团；V各自独立地表示氢原子或连接部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111995751A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010451030.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G73/12 , C08J5/18 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中，在钝性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料，其含有(A)聚合物，具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团，W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者，也可组合使用2种以上的R1。
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公开(公告)号：CN108807140A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810366118.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02071 , B08B3/08 , B81C1/00857 , B81C1/00952 , C11D7/28 , C11D7/5018 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/02041 , H01L21/02082 , H01L21/67023 , H01L21/67034
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗干燥方法，其可在不用特殊装置的情况下，抑制对清洗基板后的清洗液进行干燥时发生的图案倒塌或损坏及图案底部的树脂分解，能有效去除清洗液，其特征在于包括以下工序：(I)用清洗液清洗形成图案的半导体基板；(II)用包含含通式(1)所示的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物置换所述基板上残留的清洗液并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂；(III)通过将所述半导体基板保持0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体，从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A)。
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公开(公告)号：CN120020643A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411651359.5
申请日：2024-11-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/76 , G03F7/004 , G03F7/025 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40
Abstract: 本发明涉及图案形成方法。本发明提供可形成边缘不粗糙的微细图案的图案形成方法。一种图案形成方法，包括下列步骤：在被加工基板上，按顺序叠层有机下层膜、含硅硬掩膜、含硅抗反射膜、及光致抗蚀剂膜，于光致抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案，形成硬掩膜中间膜图案，形成有机下层膜图案，以及于被加工基板形成图案；含硅抗反射膜使用含有含下列通式(Sx‑1)表示的重复单元、下列通式(Sx‑2)表示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)表示的部分结构中的任1个以上的聚硅氧烷及交联剂的含硅抗反射膜形成用组成物形成。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116478617B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202310058295.7
申请日：2023-01-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09D179/08 , C08G73/10 , H01L23/29 , H01L21/56 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物、半导体装置制造用基板、保护膜的形成方法。本发明的课题为提供一种使用了含有酰亚胺基的聚合物的保护膜形成组成物，其能形成不只是耐热性、基板上形成的图案的填埋、平坦化特性优异，对于基板的密合性亦为良好的保护膜，且能形成具备优良的碱性过氧化氢水耐性的保护膜。一种对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物，含有(A)，是具有下列通式(1A)表示的含有至少1个以上的氟原子及羟基的重复单元且末端基团为下列通式(1B)及(1C)中的任一者表示的基团的聚合物；及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中，R1为下式(1D)表示的基团中的任一者，亦可将2种以上的R1组合使用。#imgabs1#
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公开(公告)号：CN119493337A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411112335.2
申请日：2024-08-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 由等离子体照射显示优异的耐干式蚀刻性、膜厚均匀性的抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。抗蚀剂下层膜形成方法包括(i)涂布含(A)聚合物和(B)有机溶剂的组合物进行热处理的工序；(ii)进行等离子体照射形成抗蚀剂下层膜的工序，(A)聚合物含式(1)的结构单元，重均分子量2500～20000。式(1)中Ar1、Ar2为苯环或萘环，X为式(1A)的结构，Y为有机基团，k为0或1。式(1A)中n1为0或1，n2为1或2，R2为氢原子、有机基团或式(1B)的结构。R3为氢原子、烷基、芳基或式(1C)的基团，n3为0～2。式(1B)中RA为有机基团，RB为氢原子或有机基团。式(1C)中R4为氢原子或烃基。#imgabs0#
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