公开(公告)号：CN116804825A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310292012.5

申请日：2023-03-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小林直贵 ,  泷泽彼方 ,  三井亮 ,  矢野俊治

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及含硅的金属硬掩膜形成用组成物及图案形成方法。本发明课题为提供在多层抗蚀剂法中抑止超微细图案的崩塌的效果高，可形成LWR优良的抗蚀剂图案，且相对于已知的含硅的下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性及湿式剥离性，同时兼顾相对于已知的金属硬掩膜材料具有优良的填埋特性的含硅的金属硬掩膜形成用组成物。该课题的解决手段为一种含硅的金属硬掩膜形成用组成物，其特征为含有：(A)金属氧化物纳米粒子，(B)不含含芳香环的有机基团的热交联性聚硅氧烷(Sx)，及(C)溶剂。

公开(公告)号：CN120020643A

公开(公告)日：2025-05-20

申请号：CN202411651359.5

申请日：2024-11-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小林直贵 ,  泷泽彼方 ,  三井亮 ,  郡大佑

IPC: G03F1/76 ,  G03F7/004 ,  G03F7/025 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明涉及图案形成方法。本发明提供可形成边缘不粗糙的微细图案的图案形成方法。一种图案形成方法，包括下列步骤：在被加工基板上，按顺序叠层有机下层膜、含硅硬掩膜、含硅抗反射膜、及光致抗蚀剂膜，于光致抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案，形成硬掩膜中间膜图案，形成有机下层膜图案，以及于被加工基板形成图案；含硅抗反射膜使用含有含下列通式(Sx‑1)表示的重复单元、下列通式(Sx‑2)表示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)表示的部分结构中的任1个以上的聚硅氧烷及交联剂的含硅抗反射膜形成用组成物形成。#imgabs0#

公开(公告)号：CN119087742A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202410713093.6

申请日：2024-06-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小林直贵 ,  泷泽彼方 ,  佐藤裕典 ,  岩森颂平 ,  郡大佑

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及图案形成方法。本发明提供一种图案形成方法，借由使用对比已知的KrF抗蚀剂具有优良的干蚀刻耐性且成膜性及基板密合性优异的抗蚀剂下层膜形成用组成物，能够以高精度形成阶梯形状图案。一种图案形成方法，具有下列步骤：在被加工基板上利用抗蚀剂下层膜形成用组成物形成抗蚀剂下层膜，在抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂中间膜，在抗蚀剂中间膜上形成抗蚀剂上层膜，在抗蚀剂上层膜形成图案，在抗蚀剂中间膜转印图案，在抗蚀剂下层膜转印图案，在被加工基板形成图案，将抗蚀剂下层膜予以修整，在被加工基板形成阶梯形状的图案；就前述抗蚀剂下层膜形成用组成物而言，含有树脂、及有机溶剂，且使用下式(1)表示者作为树脂。#imgabs0#