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公开(公告)号：CN1661688A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510051713.1
申请日：2005-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/667 , G11B5/7315 , H01F10/16 , H01F41/24 , H01F41/32
Abstract: 如果用于双层型垂直磁记录介质的软磁层由电镀形成，那么会产生在组成软磁层的电镀膜表面上几毫米至几厘米范围内在特定方向上被磁化的大量磁畴，且在这些磁畴的边缘上产生磁畴壁。如果包含这些磁畴壁的软磁层用于双层垂直磁记录介质，那么由于已知为尖锋噪音的隔离的脉冲噪音的产生会引起信号再现特性的巨大损坏的问题，这里通过由磁畴壁部分产生的漏磁场产生隔离的脉冲噪音。为了解决这个问题，磁记录介质基片包含了直径不超过90毫米的基片，和软磁膜电镀层，该软磁膜电镀层包含包括选自包含钴、镍和铁的组的至少两种金属的合金，且被设置在基片上，其中，关于在基片平面内的同心圆方向，用VSM磁化测量法获得的矫顽力值小于30奥斯特，且饱和磁化强度与剩余磁化强度的比率从50∶1至5∶1。
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公开(公告)号：CN1595499A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410075226.4
申请日：2004-09-13
Applicant: 学校法人早稻田大学 , 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/00 , G11B5/7315 , G11B5/74 , G11B5/8404 , G11B2005/001 , G11B2005/0029
Abstract: 当通过镀膜方法形成用于双层型垂直磁记录介质的软磁层时，存在着称作尖峰噪声的孤立脉冲噪声发生的问题，以使得信号的再现特性丢失。为了解决此问题，提供一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括一个直径不大于90mm的衬底；及一个设置在衬底上面或上方的由包含Co，Ni和Fe一组中选择的至少两种金属的合金镀膜形成的软磁层；其中该软磁层在平行于衬底表面的方向上的矫顽磁力少于20奥斯特(Oe)，并且其中在平行于衬底表面的方向上的饱和磁化与剩余磁化强度的比率为4∶1到4∶3；以及一种包含磁记录介质衬底的磁记录介质。
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公开(公告)号：CN1577508A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410069808.1
申请日：2004-07-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G11B5/667
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7315 , G11B5/8404 , Y10T428/31
Abstract: 本发明提供一种经表面处理的磁记录介质用衬底，其在无磁性衬底上方具有均匀的成膜性并且可含有厚膜，以及提供包括记录层的磁记录介质。更具体的，本发明提供包括无磁性衬底以及位于无磁性衬底上的底镀层的经表面处理的磁记录介质用衬底是有效的，其中无磁性衬底进行了亲水性处理。还发现，包括进表面处理的磁记录介质用衬底、软磁层和记录层的磁记录介质优选作为垂直记录介质。此外，提供一种包括无磁性衬底和位于无磁性衬底上的底镀层的经表面处理的磁记录介质用衬底是有效的，其中无磁性衬底的表面包含有直径至少为50nm且小于1000nm，且其深度小于其直径的凹坑形状。
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公开(公告)号：CN106030188B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201480076403.2
申请日：2014-11-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: F21K9/20 , C09K11/00 , C09K11/08 , C09K11/61 , C09K11/66 , C09K11/67 , C09K11/80 , F21S8/08 , F21Y115/10
Abstract: 本发明为照明装置，其具备在波长420～480nm具有最大峰的蓝色LED芯片、和在该蓝色LED芯片的发光方向前方配置的含有荧光体的树脂层，该含有荧光体的树脂层通过使由Lu3Al5O12：Ce3+表示并且相对于Lu的Ce活化率为2摩尔％以下的LuAG荧光体、和由A2(B1‑xMnx)F6(式中，A为选自Li、Na、K及Cs中的1种以上的元素，B为选自Si、Ti、Nb、Ge及Sn中的1种以上的元素，x为满足0.001≤x≤0.1的范围的正数)表示的复合氟化物荧光体在树脂中混合分散而成，为黑体放射线附近的发光色，在暗处视觉条件下、微明视觉条件下更为感到明亮，获得高可视性和宽范围的明亮感。
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公开(公告)号：CN106030188A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201480076403.2
申请日：2014-11-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: F21K9/20 , C09K11/00 , C09K11/08 , C09K11/61 , C09K11/66 , C09K11/67 , C09K11/80 , F21S8/08 , F21Y115/10
Abstract: 本发明为照明装置，其具备在波长420～480nm具有最大峰的蓝色LED芯片、和在该蓝色LED芯片的发光方向前方配置的含有荧光体的树脂层，该含有荧光体的树脂层通过使由Lu3Al5O12：Ce3+表示并且相对于Lu的Ce活化率为2摩尔％以下的LuAG荧光体、和由A2(B1‑xMnx)F6(式中，A为选自Li、Na、K及Cs中的1种以上的元素，B为选自Si、Ti、Nb、Ge及Sn中的1种以上的元素，x为满足0.001≤x≤0.1的范围的正数)表示的复合氟化物荧光体在树脂中混合分散而成，为黑体放射线附近的发光色，在暗处视觉条件下、微明视觉条件下更为感到明亮，获得高可视性和宽范围的明亮感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105190160A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480011664.6
申请日：2014-02-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: F21S8/10 , C09K11/00 , C09K11/02 , C09K11/08 , C09K11/59 , C09K11/66 , C09K11/67 , F21V9/08 , H01L33/50 , C09K11/64 , F21W101/14 , F21Y101/02
CPC classification number: F21S48/2218 , C09K11/592 , C09K11/675 , F21S43/14 , F21S43/255 , F21S43/26 , H01L33/502
Abstract: 本发明的红色灯是包含作为光源的发出蓝色光的蓝色LED、和被照射蓝色光的红色发光构件的红色灯，红色发光构件包含树脂，和吸收蓝色光而发出包含红色成分的光、作为用锰活化的复合氟化物盐的复合氟化物荧光体。本发明的红色灯的效率高，发光强，在灯正面和灯的侧方两者给予良好的视认性，适合用作红色后灯、红色制动灯等车辆用灯光装置。
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公开(公告)号：CN104885238A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068227.3
申请日：2013-12-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/616 , C09K11/02 , C09K11/617 , C09K11/7774 , H01L33/502 , H01L33/507
Abstract: 波长转换部件，是包含以30质量％以下的含量分散复合氟化物荧光体的、选自聚烯烃、聚苯乙烯、苯乙烯共聚物、氟树脂、丙烯酸系树脂、尼龙、聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、氯乙烯树脂和聚醚树脂中的1种或2种以上的热塑性树脂的树脂成型体，该复合氟化物荧光体由A2(M1-xMnx)F6(式中，M为选自Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn中的1种或2种以上的4价元素，A为选自Li、Na、K、Rb和Cs并且至少包含Na和/或K的1种或2种以上的碱金属，x为0.001～0.3。)表示，粒度分布中的体积累计50％的粒径D50为2μm以上200μm以下。
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公开(公告)号：CN100479038C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510051713.1
申请日：2005-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/667 , G11B5/7315 , H01F10/16 , H01F41/24 , H01F41/32
Abstract: 如果双层型垂直磁记录介质的软磁层由电镀形成，那么会产生在组成软磁层的电镀膜表面上几毫米至几厘米范围内特定方向上被磁化的大量磁畴，且在这些磁畴的边缘上产生磁畴壁。如果包含这些磁畴壁的软磁层用于双层垂直磁记录介质，那么由已知为尖锋噪音的通过由磁畴壁部分产生的漏磁场而产生的隔离的脉冲噪音的产生会引起信号再现特性的巨大损坏的问题。为了解决这个问题，磁记录介质基片包含直径不超过90毫米的基片；和软磁膜电镀层，其包含包括选自钴、镍和铁设置在基片上的至少两种金属的合金，关于在基片平面内的同心圆方向，用VSM磁化测量法获得的矫顽力值小于30奥斯特，且饱和磁化强度与剩余磁化强度的比率从50∶1至5∶1。
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公开(公告)号：CN1577510A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071638.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质用衬底，优选提供一种具有不大于65mm直径的小直径衬底，其在物理特性和成本方面都具有优势。更具体地，本发明提供一种使用了之前经历过至少一次加热和/或腐蚀的单晶硅晶片的磁记录介质用衬底。此外，本发明提供一种制造磁记录介质用衬底的方法，该方法包括：取芯步骤，用于从经历过至少一次加热和/或腐蚀的直径至少为150mm和至多为300mm的单晶硅晶片上裁剪得到多个外径不大于65mm的环形衬底。所述方法优选地进一步包括倒棱步骤，用于将所述环形衬底内外圆周面上的棱除去；以及圆周面抛光步骤，用于抛光经过倒棱的内外圆周面。
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公开(公告)号：CN1577506A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063203.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , Y10T428/24372 , Y10T428/24388 , Y10T428/24421 , Y10T428/265
Abstract: 一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底和包含记录层的磁记录介质，其中经表面处理的衬底可包含具有足够强的粘合力的厚膜，能够承受调平加工，如在硅衬底上成膜过程中的抛光。一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底及位于Si衬底上的底镀层，其中底镀层是包含金属和Si氧化物的膜。此外，提供一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底及位于Si衬底上的底镀层，其中底镀层的表面上每100μm2存在至少5个和至多50个高度至少为100nm的凸起。进一步，提供一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底、位于Si衬底上的底镀层、以及位于底镀层上方的软磁性层，其中底镀层和软磁性层之间存在一个无磁性中间层。
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