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公开(公告)号：CN102385075A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110253150.X
申请日：2011-08-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B1/118 , G02B1/02 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B27/0018
Abstract: 光学部件包括：光线有效区域，光线无效区域，在该光线有效区域和至少部分该光线无效区域配置的至少一层连续的保护膜，在位于该光线无效区域的保护膜上配置的遮光膜，和在位于该光线有效区域的保护膜上配置的板状晶体膜，该板状晶体膜主要包括氧化铝并且在其表面上具有凹凸结构；和光学系统包括该光学部件。
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公开(公告)号：CN1156022C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN97122850.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件，其特征是，该元件包括第1导电类型半导体层，非晶i型半导体层，微晶第2导电类型半导体层，这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备，其特征是，有效地而连续地大量生产光生伏打元件，它具有优良的电流电压特性，和优良的光电转换效率。光生伏打元件，在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性，该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
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公开(公告)号：CN1507011A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310116461.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/513
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1197997A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN98109428.7
申请日：1998-03-09
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/1055 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺,在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层;在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层;在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层,同时降低它的膜形成速度;以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此,可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。
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公开(公告)号：CN102645681B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210033810.8
申请日：2012-02-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B1/118 , C23C14/10 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/542 , C23C14/5853 , G02B1/02 , G02B2207/107 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供光学部件和该光学部件的制造方法，该光学部件能够在防止全反射条件下的雾化的同时维持高水平的减反射性。该光学部件包括：依次层叠的基材；中间层；和氧化铝层，该氧化铝层有具有由氧化铝晶体制成的不规则结构的表面。该中间层包括相对于基材表面倾斜的多个柱状结构体，并且在该柱状结构体之间包括空隙。光学部件的制造方法包括：通过倾斜沉积在基材表面上形成包括多个柱状结构体的中间层；和通过在该中间层上涂布含有铝化合物的溶液来形成膜并且对该膜进行热水处理以在该膜表面上形成氧化铝层，该氧化铝层具有由氧化铝晶体制成的不规则结构。
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公开(公告)号：CN102645681A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210033810.8
申请日：2012-02-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B1/118 , C23C14/10 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/542 , C23C14/5853 , G02B1/02 , G02B2207/107 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供光学部件和该光学部件的制造方法，该光学部件能够在防止全反射条件下的雾化的同时维持高水平的减反射性。该光学部件包括：依次层叠的基材；中间层；和氧化铝层，该氧化铝层有具有由氧化铝晶体制成的不规则结构的表面。该中间层包括相对于基材表面倾斜的多个柱状结构体，并且在该柱状结构体之间包括空隙。光学部件的制造方法包括：通过倾斜沉积在基材表面上形成包括多个柱状结构体的中间层；和通过在该中间层上涂布含有铝化合物的溶液来形成膜并且对该膜进行热水处理以在该膜表面上形成氧化铝层，该氧化铝层具有由氧化铝晶体制成的不规则结构。
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公开(公告)号：CN1160483C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN97102271.2
申请日：1997-01-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J37/3277 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在本发明的淀积设备中，安装在辉光放电空间(即与放电接触的空间)内的射频功率施加阴极的表面积大于包括带状构件在内的接地(阳极)电极整体的表面积，从而使安装在辉光放电空间的阴极电位(自偏置)相对于接地(阳极)电极自动保持在正电位。该偏置使得等离子体放电中的离子更加有效地朝带状构件加速，由此通过离子轰击有效地将能量施与淀积薄膜表面。该设备能在相当高的淀积速度下以高效率、高均匀性和高重复性生成微晶半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN1056016C
公开(公告)日：2000-08-30
申请号：CN94120757.9
申请日：1994-12-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制造光电池的方法及由该方法制得的光电池。在基片上形成包括硅基非晶或微晶半导体层的步骤包括：用高频等离子CVD法分别形成第一导电类型半导体区和在其上形成i-型半导体区的步骤；用等离子掺杂法在所述i-型半导体区上形成导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型半导体区的步骤。本发明的光电池能控制特性变化并可提供高光电转换效率和高输出电压，其特性不变而且均匀。
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