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公开(公告)号：CN106132902A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580013205.6
申请日：2015-05-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78693 , C04B35/01 , C04B35/03 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/082 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/332 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/0257 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和镁。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.08以上且小于0.20，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的镁的含量优选为0.0001以上且小于0.05，并且优选以1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度小于1.0×1018cm‑3、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN106132901A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580012984.8
申请日：2015-03-09
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L21/02565 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/62695 , C04B2235/3286 , C04B2235/3852 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 在通过溅射法制作氧化物半导体薄膜的情况下，提供得到低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体，以及使用所述氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟和镓、含有氮、并且不含有锌。以Ga/(In+Ga)原子数比计，镓的含量为0.20以上且0.60以下，并且实质上不含有GaN相。另外，优选不含有Ga2O3相。对于将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜而言，能够使载流子浓度3×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN106103379A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580012927.X
申请日：2015-03-09
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L21/02565 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/62695 , C04B2235/3286 , C04B2235/3852 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟和镓，含有氮而不含有锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.005以上且小于0.20，并且实质上不含GaN相。另外，所述氧化物烧结体优选不具有Ga2O3相。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为1.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN105009298A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480012738.8
申请日：2014-03-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , C01B21/0821 , C01P2006/40 , H01L21/02521 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66969
Abstract: 本发明的目的是通过氧氮化物结晶质薄膜提供一种具有相对高的载流子迁移率并且适合作为TFT的沟道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明对含有In、O以及N的非晶质的氧氮化物半导体薄膜或者含有In、O、N以及添加元素M(M是从Zn、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、W、Mg、Al、Y以及稀土类元素中选出的一种以上的元素)的非晶质的氧氮化物半导体薄膜进行加热温度为200℃以上、加热时间为1分钟～120分钟的退火处理，由此，得到结晶质的氧氮化物半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN107001144A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063271.4
申请日：2015-11-16
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/203 , H01L21/363
CPC classification number: H01L21/02565 , C03C17/245 , C03C2217/23 , C03C2218/156 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01B1/08 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L21/465 , H01L29/247 , H01L29/7869
Abstract: 一种氧化物烧结体、以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶，对所述氧化物烧结体而言，通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时，能够得到低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及铝。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.15以上且0.49以下，以Al/(In+Ga+Al)原子数比计的铝的含量为0.0001以上且小于0.25。对于将该氧化物烧结体用作溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜而言，载流子浓度为4.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率10cm2V‑1sec‑1以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106458759A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029802.8
申请日：2015-06-24
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/465 , H01L29/2206 , H01L29/245 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制造氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及选自由镍、钴、钙、锶和铅组成的组中的一种以上的正二价元素。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.08以上且小于0.20，以M/(In+Ga+M)原子数比计的所述正二价元素M的含量为0.0001以上且0.05以下。将所述氧化物烧结体作为溅射靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，载流子浓度小于1.0×1018cm-3，载流子迁移率为10cm2V-1sec-1以上。
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公开(公告)号：CN106132903A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015792.2
申请日：2015-04-15
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C04B35/45 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。由Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，由Cu/(In+Ga+Cu)原子数比计的铜的含量优选为0.001以上且小于0.03，并且优选在1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为3.0×1018cm‑3以下、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN106103380A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013163.6
申请日：2015-05-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78693 , C04B35/01 , C04B35/03 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/082 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/332 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/0257 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和镁。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的镁的含量优选为0.0001以上且小于0.05，并且优选以1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度小于3.0×1018cm‑3、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN102792786B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180013870.7
申请日：2011-03-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H05K3/381 , H05K1/0393 , H05K3/022
Abstract: 本发明提供2层挠性基板及其制造方法，所述2层挠性基板不会有因在绝缘体薄膜上利用干式镀敷处理形成基底金属层时所产生的针孔而造成的铜箔膜层与铜层缺损，基底金属层的缺损少，且绝缘体薄膜与基底金属层的密合性、耐蚀性、耐水性均优异，特别是适用于精细图案形成、COF安装的2层挠性基板。本发明的2层挠性基板是在绝缘体薄膜的至少单面上，于未经由粘接剂的情况下，利用干式镀敷法形成基底金属层，在该基底金属层上利用干式镀敷法形成铜薄膜层及/或铜层的2层挠性基板，其中，上述绝缘体薄膜是经施行表面处理，经表面处理后的上述绝缘体薄膜的低聚物量，是表面处理前的绝缘体薄膜的低聚物量的70%以下。
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公开(公告)号：CN102792786A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013870.7
申请日：2011-03-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H05K3/381 , H05K1/0393 , H05K3/022
Abstract: 本发明提供2层挠性基板及其制造方法，所述2层挠性基板不会有因在绝缘体薄膜上利用干式镀敷处理形成基底金属层时所产生的针孔而造成的铜箔膜层与铜层缺损，基底金属层的缺损少，且绝缘体薄膜与基底金属层的密合性、耐蚀性、耐水性均优异，特别是适用于精细图案形成、COF安装的2层挠性基板。本发明的2层挠性基板是在绝缘体薄膜的至少单面上，于未经由粘接剂的情况下，利用干式镀敷法形成基底金属层，在该基底金属层上利用干式镀敷法形成铜薄膜层及/或铜层的2层挠性基板，其中，上述绝缘体薄膜是经施行表面处理，经表面处理后的上述绝缘体薄膜的低聚物量，是表面处理前的绝缘体薄膜的低聚物量的70%以下。
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