公开(公告)号：CN102498542B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201080038691.4

申请日：2010-09-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 山田永 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二 ,  高木秀树 ,  卜部友二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而在常温下仅使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。

公开(公告)号：CN103474354A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310343762.7

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN102498542A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080038691.4

申请日：2010-09-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 山田永 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二 ,  高木秀树 ,  卜部友二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而仅在常温下使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。

公开(公告)号：CN102484077A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038652.4

申请日：2010-09-06

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  福原升 ,  高木信一 ,  竹中充 ,  横山正史 ,  安田哲二 ,  卜部友二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/26553 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66522

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0＜x1≤1，0≤y1≤1)，所述第2半导体结晶层是Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，y2≠y1)，所述第1半导体结晶层的电子亲和力Ea1比所述第2半导体结晶层的电子亲和力Ea2小。

公开(公告)号：CN101960605A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107412.2

申请日：2009-03-26

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  住友化学株式会社

Inventor： 竹中充 ,  高木信一 ,  秦雅彦 ,  市川磨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

Abstract: 以实用且简单的手法，形成良好的3-5族化合物半导体与氧化层的界面。本发明公开了一种半导体基板，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；以及，邻接于所述第1半导体层而形成的且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的能够相对于所述笫1半导体层选择性的氧化的第2半导体层。另外，公开一种半导体装置，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；将邻接于所述第1半导体层而形成且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的第2半导体层的至少一部分相对于所述第1半导体层进行选择性的氧化而形成的氧化层；以及控制电极，对形成于所述第1半导体层的通道施加电场。