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公开(公告)号：CN117410311A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310856180.2
申请日：2023-07-13
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 半导体装置具有包括元件区域与周边区域的半导体基板。半导体基板具有：n型的高浓度层，从元件区域跨越所述周边区域而分布，与下部电极相接，具有薄板部与厚板部；n型的漂移层，与厚板部的上表面相接；以及n型的低浓度层，从元件区域跨越周边区域而分布，与薄板部的上表面相接，且与台阶部的侧面相接。在使下部电极的电位上升时，由台阶部的侧面、使台阶部的侧面向周边区域一侧偏移了台阶部的高度的虚拟线、薄板部的上表面以及使薄板部的上表面向上侧偏移了高度的虚拟线构成的四边形的区域中的一半以上的区域不会被耗尽。
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公开(公告)号：CN116364764A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211686457.3
申请日：2022-12-26
IPC: H01L29/24 , H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件包括具有矩形形状的半导体衬底，所述矩形形状包括在第一方向上延伸的边和在第二方向上延伸的另一边。所述半导体衬底在第一方向上的热导率不同于所述半导体衬底在第二方向上的热导率。所述半导体衬底配置为满足L1/L2＝(K1/K2)0.5的数学关系且容差范围为‑5％至+5％，其中L1表示所述半导体衬底在第一方向上的长度，L2表示半导体衬底在第二方向上的长度，K1表示半导体衬底在第一方向上的热导率，并且K2表示半导体衬底在第二方向上的热导率。
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公开(公告)号：CN114695076A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111576467.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种用于生产包括掺杂有第一金属的第二金属的氧化物膜(6)的产品(2)的方法包括由其中溶解有第一金属和第二金属的原料溶液(23)产生雾(23m)；和将雾供应到基材(4)的表面，以在基材的表面上形成氧化物膜。原料溶液的pH小于7。
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公开(公告)号：CN114592182A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111458265.2
申请日：2021-12-02
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/02 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 晶圆处理设备配置为通过将雾供给到晶圆表面来处理晶圆。晶圆处理设备包括其内布置晶圆的炉、配置为向炉中供给气体的气体供给装置、向炉中供给雾的雾供给装置、以及控制器。控制器配置为通过控制气体供给装置和雾供给装置以分别将气体和雾供给到炉中来执行处理步骤。控制器还配置为在处理步骤结束时控制气体供给装置以停止将雾供给到炉中同时控制气体供给装置以保持将气体供给到炉中。
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公开(公告)号：CN110050349B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780075779.5
申请日：2017-12-12
Abstract: 在保护环部中，通过在n‑型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118610080A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410240748.2
申请日：2024-03-04
IPC: H01L21/263 , H01L21/02
Abstract: 半导体装置的制造方法进行以下工序：准备由β－氧化镓构成的半导体衬底；将半导体衬底(30)配置在配置于腔室(10)内的基座(20)上；将腔室(10)密闭；通过调整基座(20)的温度，进行通过传热而在使半导体衬底升温后使半导体衬底(30)降温的加热处理；将腔室(10)的密闭解除而设为能够从腔室(10)将半导体衬底(30)取出的状态。在准备半导体衬底(30)的工序中，准备一面(30a)或另一面(30b)相对于(100)面或(001)面处于45～90°的范围内的衬底，在加热处理中，通过以基座(20)的升温速率为100℃/min以下的条件使基座(20)升温，使半导体衬底(30)升温到300℃以上。能够使得使用β－氧化镓作为半导体衬底、即使进行了加热处理也难以断裂。
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公开(公告)号：CN110622320B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201880019440.8
申请日：2018-01-26
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 半导体装置具备：半导体基板，具有上表面和下表面；上表面电极，设置在半导体基板的上表面；及下表面电极，设置在半导体基板的下表面。在俯视观察时，半导体基板具有包含半导体基板的中心的第一范围和位于第一范围与半导体基板的外周缘之间的第二范围。在第一范围和第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构。MOSFET结构在第一范围与第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的体二极管的正向电压在第一范围中比在第二范围中高。
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公开(公告)号：CN106057912A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610211107.X
申请日：2016-04-06
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/0607 , H01L29/0611 , H01L29/6609
Abstract: 本发明提供一种二极管以及二极管的制造方法，该二极管使具有p型接触区和n型接触区的二极管的耐压提高。二极管具有：多个p型接触区，它们与阳极电极接触；n型接触区，其在相邻的两个p型接触区之间与阳极电极接触；阴极区，其被配置于p型接触区与n型接触区的背面侧，且与阴极电极接触。p型接触区具有：第一区域，其与阳极电极接触；第二区域，其被配置于第一区域的背面侧，并具有与第一区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度；第三区域，其被配置于第二区域的背面侧，并具有与第二区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度。所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度相比较厚。
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公开(公告)号：CN102376709A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110241326.X
申请日：2011-08-17
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/861 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397 , H01L29/8613
Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。
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公开(公告)号：CN111952148A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010409492.5
申请日：2020-05-14
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/463 , C30B25/20 , C30B29/16
Abstract: 本发明的课题是，在以晶体层为基底使与该晶体层不同的半导体层生长的情况下，形成晶体缺陷密度较低的半导体层。本发明提供一种半导体层的生长方法，其具有下述工序：在表面有晶体层露出的基板的所述表面，使材料和晶体结构的至少其中一者与所述晶体层不同的第一半导体层生长的工序；将所述第一半导体层以从其表面贯穿至其背面的方式进行切割的工序；以及在所述第一半导体层的切割面，使材料及晶体结构与所述第一半导体层相同的第二半导体层生长的工序。
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