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公开(公告)号：CN101257079B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810089385.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供发光元件及半导体基板的制作方法。该发光元件包含：β-Ga2O3基板、在所述β-Ga2O3基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。该半导体基板的制作方法包含：在β-Ga2O3基板上形成GaN系半导体层的步骤；在所述GaN系半导体层上形成GaN系外延层的步骤；以及从所述GaN系外延层削除所述β-Ga2O3基板和所述GaN系半导体层，制作所述GaN系外延层的基板的步骤。
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公开(公告)号：CN102418865A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110382002.8
申请日：2007-05-02
Applicant: 株式会社光波
IPC: F21S2/00 , F21V7/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/58 , G02B19/0028 , G02B19/0066 , G02B19/0071 , G02F1/133603 , G02F2001/133612 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有通用性，能够简化安装作业、降低制造成本，并且可充分抑制发光不均和色不均的发生的光源模块、面发光组件以及面发光装置。光源模块具有光方向转换用光学元件(29)、和LED(28)，该光方向转换用光学元件(29)具有：具有入射光的光入射面(29A)的凹部(290)、反射从光入射面(29A)入射的光的光反射面(29B)、和把在光反射面(29B)反射的光向侧方射出的光射出面(29C)，该LED(28)被留有空隙地配置在光方向转换用光学元件(29)的凹部(290)中，向光入射面(29A)入射光。
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公开(公告)号：CN101320780B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810128878.8
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
CPC classification number: H01L33/42 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0256 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0025 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/06102 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明涉及一种发光元件，所述发光元件包括：Ga2O3基板；n型AlzGa1-zN包覆层，形成在所述Ga2O3基板的第一表面上，其中0≤z＜1；InmGa1-mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型AlpGa1-pN包覆层，形成在所述InGaN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述Ga2O3基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型AlpGa1-pN包覆层上。
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公开(公告)号：CN101490465A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780025912.2
申请日：2007-05-02
Applicant: 株式会社光波
IPC: F21S2/00 , F21V7/10 , G09F13/04 , H01L33/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/58 , G02B19/0028 , G02B19/0066 , G02B19/0071 , G02F1/133603 , G02F2001/133612 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有通用性，能够简化安装作业、降低制造成本，并且可充分抑制发光不均和色不均的发生的光源模块、面发光组件以及面发光装置。光源模块具有光方向转换用光学元件29、和LED28，该光方向转换用光学元件29具有：具有入射光的光入射面29A的凹部290、反射从光入射面29A入射的光的光反射面29B、和把在光反射面29B反射的光向侧方射出的光射出面29C，该LED28被留有空隙地配置在光方向转换用光学元件29的凹部290中，向光入射面29A入射光。
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公开(公告)号：CN101320780A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810128878.8
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
CPC classification number: H01L33/42 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0256 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0025 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/06102 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明涉及一种发光元件，所述发光元件包括：Ga2O3基板；n型AlzGa1－zN包覆层，形成在所述Ga2O3基板的第一表面上，其中0≤z＜1；InmGa1－mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型AlpGa1－pN包覆层，形成在所述InGaN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述Ga2O3基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型AlpGa1－pN包覆层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100405618C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN03138280.0
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
Abstract: 本发明提供一种发光元件及其制造方法，利用该方法能够得到从可见区透过紫外区光的无色透明的导电体，该导电体可用于基板作为垂直结构，可将基板一侧作为取光面。在可控制的气体保护高温炉中设置坩埚(6)，坩埚(6)中装有原料熔液(9)和具有缝隙(8a)的缝模(8)，原料熔液(9)利用毛细管现象连续沿缝隙(8a)上升到熔液表面，通过缝模(8)和坩埚(6)，用EFG法培养截面形状与上述缝模(8)的上面相同的单晶体，如此将原料熔液(9)制造成基板。在该基板上，用MOCVD法生长III-V族、II-VI族、或两者的薄膜。
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公开(公告)号：CN108538991A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810385637.5
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种发光装置的CIE色度(x，y)的调整方法，上述发光装置包含：光源，其发出发光峰值波长为430～480nm的蓝色系的光；以及荧光体，其将从上述光源发出的上述蓝色系的光的一部分吸收而变换为黄色系的光，上述发光装置发出上述蓝色系的光与上述黄色系的光的合成光，上述发光装置的CIE色度(x，y)的调整方法是调整上述合成光的CIE色度(x，y)的方法，其特征在于，上述荧光体具有用(Y1-a-bLuaCeb)3+cAl5-cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，-0.016≤c≤0.315)表示的组分，通过调整上述a的值，得到与上述a的值对应的CIE色度(x，y)。
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公开(公告)号：CN107180906A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710400618.0
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/28 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体构件以及使用该荧光体构件的发光装置。作为一实施方式，提供一种平板状的荧光体构件，激励光的波长为460nm、温度从25℃上升到100℃时的荧光强度的降低不到3％，包括以YAG晶体为母晶体的多个颗粒状的单晶，所述YAG晶体具有用Y3‑x‑yGdxCeyAl5O12‑w表示的组分，其中，0.03≤x≤0.2，0.003≤y≤0.2，‑0.2≤w≤0.2。
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公开(公告)号：CN107154454A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710546650.X
申请日：2014-10-20
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B29/28 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 作为目的之一，提供即使在高温条件下也发挥优异特性的单晶荧光体以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供具有由组成式(Y1‑x‑y‑zLuxGdyCez)3+aAl5‑aO12(0≤x≤0.9994，0≤y≤0.0669，0.0002≤z≤0.0067，‑0.016≤a≤0.315)表示的组成的单晶荧光体。
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公开(公告)号：CN105684170A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480042506.7
申请日：2014-08-08
Applicant: 株式会社光波 , 株式会社田村制作所 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 提供一种利用了远程荧光体的发光装置，该发光装置适于如投影仪这样的需要高亮度且大光量的照明器具，使用时发光强度的下降、发光色的变化小。作为一实施方式，提供发光装置(10)，该发光装置(10)具有：LED元件(12)；侧壁(13)，其包围LED元件(12)；荧光体层(15)，其通过粘合层(14)固定于侧壁(13)，位于LED元件(12)的上方；以及金属衬垫(11)，其作为散热部件。侧壁(13)具有：绝缘性的基体(13b)，其包围LED元件(12)；以及金属层(13a)，其形成于基体(13b)的LED元件(12)侧的侧面并与金属衬垫(11)和粘合层(14)接触。粘合层(14)是由含有粒子的树脂构成且粒子的导热率比树脂的导热率高的树脂层，或者是由焊料构成的层。
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