公开(公告)号：CN104576882A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410547298.8

申请日：2014-10-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 和田聪

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光装置，包括：布置在板的表面上的半导体发光元件；包括磷光体的透明磷光板；将半导体发光元件的上表面固定接合至磷光板的下表面的透明接合构件；以及包围半导体发光元件和磷光板并且包含反光微粒的反射层。该半导体发光元件包括露出部，露出部设置在半导体发光元件的上表面的外周边缘附近并且没有被磷光板覆盖而是被露出。该磷光板的外周端表面的位于磷光板的上表面附近的部分没有被接合构件覆盖。

公开(公告)号：CN110323666B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201910073137.2

申请日：2019-01-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 大沢政明 ,  神谷真央 ,  和田聪 ,  河村有毅 ,  林健人

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/042

Abstract: 一种发光装置，包括：激光二极管元件；波长转换构件，其吸收从激光二极管元件发射的光并且对光的波长进行转换；以及透明导电膜，其布置在波长转换构件的光提取侧表面和激光二极管元件侧表面中的至少之一上。透明导电膜被配置成使得：当波长转换构件损坏时，与波长转换构件交叠的区域中的电阻增加。

公开(公告)号：CN110323666A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910073137.2

申请日：2019-01-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 大沢政明 ,  神谷真央 ,  和田聪 ,  河村有毅 ,  林健人

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/042

Abstract: 一种发光装置，包括：激光二极管元件；波长转换构件，其吸收从激光二极管元件发射的光并且对光的波长进行转换；以及透明导电膜，其布置在波长转换构件的光提取侧表面和激光二极管元件侧表面中的至少之一上。透明导电膜被配置成使得：当波长转换构件损坏时，与波长转换构件交叠的区域中的电阻增加。

公开(公告)号：CN104916765B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510079304.6

申请日：2015-02-13

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 和田聪 ,  福井康生 ,  野野川贵志

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/165 ,  H01L29/866 ,  H01L33/46 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H05B33/0803 ,  H05B33/089 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种发光装置，其即便以不使光反射性树脂直接覆盖于ZD的上表面的方式将其注入，也能够可靠地覆盖ZD的上表面。另外，在使光反射性树脂为ZD的底部填料的情况下，不使ZD的下方产生空隙。发光装置具备：基板；LED；重叠在LED上的荧光体板；安装于LED的旁边的ZD；包围LED以及ZD的框状的坝材；以及注入于坝材的内侧并覆盖LED的侧面并且覆盖ZD的侧面以及上表面的光反射性树脂，框状的坝材的一部分向外鼓出而包围ZD的三个侧面。从分配器喷嘴的开口部，以不使光反射性树脂直接覆盖于荧光体板以及ZD的上表面的方式，将其注入荧光体板与ZD的侧面之间，而使其进入LED的下方的缝隙以及ZD的下方的缝隙。

公开(公告)号：CN100511732C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200410059261.7

申请日：2004-06-15

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 末广好伸 ,  东门领一 ,  加藤英昭 ,  和田聪

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 一种制造发光器件的方法，包含如下步骤：在玻璃板上形成磷光体层；在所述玻璃板上叠加另外的玻璃板以将所形成的磷光体层夹在所述玻璃板和另外的玻璃板之间；热黏结玻璃板和另外的玻璃板以形成一个波长转换部分；设置波长转换部分从而磷光体层远离并面对发光器件；和向着发光器件热压波长转换部分以密封发光器件。

公开(公告)号：CN118206184A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311708795.7

申请日：2023-12-13

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 和田聪 ,  林贵文 ,  铃木智行 ,  立花和也

IPC: C02F1/32

Abstract: 本发明提供一种小型且轻量的流体杀菌装置。流体杀菌装置具有：光源部(30)，放射紫外线；和流路空间(70)，是使流体流动的空间，且供来自光源部(30)的紫外线入射，光源部(30)具有：安装基板(32)；和LED封装(31)，安装于上述安装基板(32)上，LED封装(31)具有：发光元件(LED35)，放射紫外线；和盖部(37)，透射来自发光元件(LED35)的紫外线，配置为与流路空间(70)相接，构成为使从发光元件(LED35)传导来的热向在流路空间(70)流通的流体传导。

公开(公告)号：CN103325912B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310084374.1

申请日：2013-03-15

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 青木真登 ,  五所野尾浩一 ,  和田聪

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/145 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 公开了一种容易形成非发光区域的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。活化Mg以将p型层转换为p型，接着在p型层上形成p电极。将Ag膏施加到p电极上的与在下面的步骤中形成的n电极重叠的区域。进行热处理以固化Ag膏，从而形成Ag膏固化体。通过这些步骤，将p型层的在平面视图中与Ag膏固化体重叠的区域转换为具有高电阻的区域，从而形成高电阻区域。因此，发光层的在平面视图中与高电阻区域重叠的区域变成非发光区域。

公开(公告)号：CN103325912A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310084374.1

申请日：2013-03-15

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 青木真登 ,  五所野尾浩一 ,  和田聪

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/145 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 公开了一种容易形成非发光区域的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。活化Mg以将p型层转换为p型，接着在p型层上形成p电极。将Ag膏施加到p电极上的与在下面的步骤中形成的n电极重叠的区域。进行热处理以固化Ag膏，从而形成Ag膏固化体。通过这些步骤，将p型层的在平面视图中与Ag膏固化体重叠的区域转换为具有高电阻的区域，从而形成高电阻区域。因此，发光层的在平面视图中与高电阻区域重叠的区域变成非发光区域。

公开(公告)号：CN101789482B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201010117674.1

申请日：2004-03-10

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社住田光学玻璃

Inventor： 末广好伸 ,  井上光宏 ,  加藤英昭 ,  甚目邦博 ,  东门领一 ,  和田聪 ,  太田光一 ,  相田和哉 ,  渡部洋己 ,  山本吉记 ,  大塚正明 ,  沢登成人

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/56 ,  C03B23/20 ,  C03C8/24 ,  C03C27/06 ,  H01L24/17 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种固体元件装置，其可实现低温下的玻璃封固加工、且提供具有高可靠性封固结构的固体元件装置。对于搭载有GaN系LED元件(2)的含玻璃Al2O3基片(3)，平行地设置P2O5-ZnO系低熔点玻璃，且在氮气氛中，将压力设为60kgf，并在415℃及其以上的温度下进行热压加工。该条件下的低熔点玻璃的粘度为109泊，低熔点玻璃通过在含玻璃Al2O3基片(3)的表面上形成的氧化物而被粘接。

公开(公告)号：CN1759492A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200480006403.1

申请日：2004-03-10

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社住田光学玻璃

Inventor： 末广好伸 ,  井上光宏 ,  加藤英昭 ,  甚目邦博 ,  东门领一 ,  和田聪 ,  太田光一 ,  相田和哉 ,  渡部洋己 ,  山本吉记 ,  大塚正明 ,  沢登成人

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/02 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L33/56 ,  C03B23/20 ,  C03C8/24 ,  C03C27/06 ,  H01L24/17 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种固体元件装置，其可实现低温下的玻璃封固加工、且提供具有高可靠性封固结构的固体元件装置。对于搭载有GaN系LED元件(2)的含玻璃Al2O3基片(3)，平行地设置P2O5－ZnO系低熔点玻璃，且在氮气氛中，将压力设为60kgf，并在415℃及其以上的温度下进行热压加工。该条件下的低熔点玻璃的粘度为109泊，低熔点玻璃通过在含玻璃Al2O3基片(3)的表面上形成的氧化物而被粘接。