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公开(公告)号：CN105280745A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410247480.1
申请日：2014-06-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种四结级联太阳电池及其制作方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池进行单片集成，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池。本发明采用具有特殊结构形态的石墨烯键合面，石墨烯键合面优异的导电性和透光性使其可有效抑制键合界面电损耗和光损耗，其延展性有助于释放应力。因此制备得到的四结单片高效太阳电池可以获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，获得较高的转换效率。
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公开(公告)号：CN103247637B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310152953.5
申请日：2013-04-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射和抗光盲双色量子点红外探测器，包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构，其特征在于：所述第一量子点探测结构主要由N+下接触层、第一量子点有源区、第一N+中间接触层构成，所述第二量子点探测器结构主要由第二N+中间接触层、第二量子点有源区、N+上接触层结构，各接触层上设有对应的引出电极，其特征在于在所述第一量子点探测器结构和第二量子点探测器结构之间，设置有P+公共接触层，所述P+公共接触层设有公共电极，所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连，分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流，具有双色探测、抗光盲和抗辐照功能。
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公开(公告)号：CN114005895A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111247579.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结。与传统的异质结相比，MXene材料具有较高的透光率、金属导电性以及可调的功函数，所形成的范德瓦尔斯异质结不受晶格匹配的限制，缺陷极少，能够极大地提升界面质量，因此，基于所述MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结形成的光电探测器，不仅有利于提高光电探测器的光吸收效率和光生电流的传输效率，提高光响应度，还能有效地降低光电探测器的制造成本，为光电探测器的规模化应用提供新的契机。此外，所述光电探测器的制作方法缩减了工艺步骤，制作方法简单。
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公开(公告)号：CN103305809B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310258291.X
申请日：2013-06-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 一种温度连续可调的喷淋头，用于进行金属有机化学沉积反应，包括：进气单元；反应室上盖；连接于进气单元和反应室上盖的喷淋管；其特征在于，还包括：调温盘组件，调温盘组件包括调温盘及分设两边的入口通道和出口通道，调温盘内设有供冷却介质流通的空腔，相对密封的空腔与入口通道和出口通道与空腔连通，调温盘上还对应喷淋管设有通孔，喷淋管穿插于通孔中，高温盘可上下移动连接于反应室上盖和进气单元之间；位移装置，用于调节调温盘组件上下移动。本发明可通过改变调温盘与反应室上盖的距离来调整反应室内顶端空间的温度，在生长HEMT器件、LED行业广泛应用，不仅可以解决反应室内温度梯度的有效控制问题，还能提高源的使用效率。
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公开(公告)号：CN104103697B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201310118672.8
申请日：2013-04-08
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种红外探测器，包括半绝缘砷化镓单晶衬底以及依次形成于所述半绝缘砷化镓单晶衬底上的n+下电极接触层、暗电流阻挡层、量子点有源区、n+中间电极接触层和p+上电极接触层，所述的n+下电极接触层、n+中间电极接触层和p+上电极接触层上分别形成有下电极、中间电极和上电极，所述n+中间电极接触层的厚度小于空穴载流子的扩散长度。本发明还公开了一种红外探测器的制作方法和红外探测系统。本发明通过设置上电极接触层，利用差分放大电路互连，可以削弱、甚至消除可见光和高能粒子、射线照射引起的探测器噪声信号，不仅能够直接吸收正入射的红外辐射光子，而且具有抗可见光致盲和抗辐照功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104103697A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310118672.8
申请日：2013-04-08
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种红外探测器，包括半绝缘砷化镓单晶衬底以及依次形成于所述半绝缘砷化镓单晶衬底上的n+下电极接触层、暗电流阻挡层、量子点有源区、n+中间电极接触层和p+上电极接触层，所述的n+下电极接触层、n+中间电极接触层和p+上电极接触层上分别形成有下电极、中间电极和上电极，所述n+中间电极接触层的厚度小于空穴载流子的扩散长度。本发明还公开了一种红外探测器的制作方法和红外探测系统。本发明通过设置上电极接触层，利用差分放大电路互连，可以削弱、甚至消除可见光和高能粒子、射线照射引起的探测器噪声信号，不仅能够直接吸收正入射的红外辐射光子，而且具有抗可见光致盲和抗辐照功能。
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公开(公告)号：CN103247637A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310152953.5
申请日：2013-04-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射和抗光盲双色量子点红外探测器，包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构，其特征在于：所述第一量子点探测结构主要由N+下接触层、第一量子点有源区、第一N+中间接触层构成，所述第二量子点探测器结构主要由第二N+中间接触层、第二量子点有源区、N+上接触层结构，各接触层上设有对应的引出电极，其特征在于在所述第一量子点探测器结构和第二量子点探测器结构之间，设置有P+公共接触层，所述P+公共接触层设有公共电极，所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连，分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流，具有双色探测、抗光盲和抗辐照功能。
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公开(公告)号：CN102856452A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210326905.9
申请日：2012-09-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，涉及半导体材料与器件技术领域。本发明提供的多波长发光二极管包括一衬底、一缓冲层、一第一氮化镓层、一第二氮化镓层、一具有台阶化量子阱柱状结构的有源区、一电子阻挡层、一第三氮化镓层；本发明还提供所述多波长发光二极管的制备方法，包括：生长形成一具有多层结构的半导体结构；形成具有台阶化量子阱柱状结构的有源区；生长第三氮化镓层；沉积N型电极和P型电极。本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，优点在于拓展发光二极管发光谱线范围，简化驱动电路的复杂性，提高电子或空穴的注入效率，降低接触电阻，提高了色度的调节和显色性指数。
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公开(公告)号：CN101859731B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010165560.4
申请日：2010-05-07
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/782 , H01L41/22
Abstract: 本发明揭示了一种纳米线压电器件的制作方法，利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列；再采用微米级或纳米级光刻法，在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和漏极；最后在源极和漏极一侧添设连接用的接点及引线，并对压电器件表面采用聚二甲基硅氧烷封装。本发明制作方法具有制作工艺简单、适用范围广泛、节省成本等优点，极大地提高了压电器件的产品率；其应用实施后制得的纳米线压电器件，能实现大量纳米线同时工作产生电能，并结合封装工艺提高了该压电器件的稳定性和输出功率。
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公开(公告)号：CN111785786B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010878088.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/88 , H01L21/329 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿二极管，包括衬底以及在衬底上形成的外延部，外延部包括依序层叠在衬底上的第一势垒层、势阱层和第二势垒层，第一势垒层和第二势垒层均由AlN材料制成，势阱层由GaN材料制成。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有的共振隧穿二极管的功率较低的问题。
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