一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法

    公开(公告)号:CN105869679B

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201610183678.7

    申请日:2016-03-28

    Abstract: 本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法,步骤如下:(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N;(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入,运行FPGA,记录FPGA输出是否出现错误;(3)重复第(2)k次,直到失效率在30%到70%;(4)根据实际条件,按照最终选定的N,进行尽量多次的故障注入,获得较好的统计性,推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次;(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN,然后用1‑(1‑λN)M/N估计电路的失效率上限,得到电路设计的SEU数目M‑电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入,即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价,大大减少了实验的次数和评估的周期。

    一种重离子加速器单粒子试验降能片厚度快速确定方法

    公开(公告)号:CN104764421B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201510146078.9

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种重离子加速器单粒子试验降能片厚度快速确定方法,步骤如下:根据加速器重离子类型和初始能量,确定重离子在硅中的初始射程;根据加速器重离子类型和要求的重离子LET值,确定对应的重离子在硅中的射程;根据重离子初始射程和与要求重离子LET值对应的重离子在硅中的射程,确定当降能片材料为硅时,屏蔽材料的厚度;确定硅材料厚度与降能片厚度的厚度转换系数;将硅材料的厚度转化为降能片的厚度。本发明快速确定降能片的厚度,节省了成本,提高了效率。

    一种模拟星表材料在轨剂量分布的地面辐照试验方法

    公开(公告)号:CN115438559B

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202211262139.4

    申请日:2022-10-14

    Abstract: 本发明公开了一种模拟星表材料在轨剂量分布的地面辐照试验方法,包括:基于卫星轨道参数和设计寿命,分析卫星在寿命期内遭遇的包含低能等离子体的电子和质子能谱;基于星表材料面密度、应用状态以及轨道上的粒子能谱,分析星表材料在轨剂量‑深度分布曲线;计算地面容易获得的单能质子或电子在材料中沉积的电离剂量随深度分布数据,形成地面试验单能粒子剂量分布数据库;基于星表材料的在轨剂量‑深度分布曲线,从试验粒子数据库中挑选合适的粒子能量、粒子类型及总通量,使选取的试验粒子产生的剂量‑深度分布曲线组合后,完整包络星表材料厚度范围内的在轨剂量‑深度分布曲线;基于此,本发明完整重现星表材料在轨服役期间遭受的电离剂量分布。

    一种用于伽马射线暴监测定位的方法及系统

    公开(公告)号:CN110007330A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910218758.5

    申请日:2019-03-21

    Abstract: 一种用于伽马射线暴监测定位的方法及系统,(1)将探测器阵列布局在卫星上,在地面采用理论分析或试验的方法获取探测器阵列理论响应函数;(2)卫星入轨后,当出现伽马射线暴时,获取探测器阵列在伽马射线暴中的测量数据;(3)根据步骤(1)的探测器阵列理论响应函数和探测器阵列在伽马射线暴中的测量数据,反推伽马射线的入射方向,实现伽马射线暴的监测定位,解决了伽马射线暴由于其能量较高,可以穿透绝大部分准直型X射线探测航天器的前端屏蔽和航天器本体结构,因此从各向入射的伽马射线暴均能引起探测器阵列产生响应,从而难以通过准直方法对伽马射线暴入射方向进行测量的问题。

    一种基于紫外LED的航天器表面充电防护方法

    公开(公告)号:CN104732094B

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201510145191.5

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于紫外LED的表面充电防护方法,属于微电子技术领域、空间辐射技术领域。计算航天器表面材料的光电流与入射光频率和功率的关系;首先获取航天器表面材料的光电子发射系数,建立光电流与入射光光谱辐照度的关系;(2)根据步骤(1)得到的光电流与入射光光谱辐照度的关系,选择一种合适的入射光频率;计算航天器表面材料在轨充电电流密度I;计算足以抵消充电电流所需的入射光功率,令J=I,得到p(λ)。

    一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法

    公开(公告)号:CN104732031B

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201510145019.X

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,步骤如下:确定质子能量;确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度;确定器件敏感区的材料和厚度;分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱;将敏感区中的能量沉积微分谱转化为等效LET微分谱;计算器件在质子辐照下的翻转截面。本发明考虑了器件金属布线层、氧化层中核反应的影响,使得该方法更适合现代工艺条件下的器件,使得器件对质子影响的计算更加准确,可靠性大大增强。

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