一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法

    公开(公告)号:CN105866573B

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201610183676.8

    申请日:2016-03-28

    Abstract: 本发明一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法,涉及一种基于加速器试验数据的系统单粒子防护效果验证的重离子和质子等效试验验证领域;包括:(1)采用基于LET值确定的地面加速器重离子试验;(2)分析质子静态翻转截面;(3)分析系统在任意工作模式下的敏感位因子;(4)分析系统在重离子辐照下的动态翻转截面;(5)分析系统在质子辐照下的动态翻转截面;本发明提供一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法,该方法可用于单粒子防护效果验证,解决国内加速器时间紧张以及难以实现高能质子试验的问题。

    一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法

    公开(公告)号:CN105869679A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610183678.7

    申请日:2016-03-28

    CPC classification number: G11C29/10 G11C29/56

    Abstract: 本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法,步骤如下:(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N;(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入,运行FPGA,记录FPGA输出是否出现错误;(3)重复第(2)k次,直到失效率在30%到70%;(4)根据实际条件,按照最终选定的N,进行尽量多次的故障注入,获得较好的统计性,推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次;(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN,然后用1?(1?λN)M/N估计电路的失效率上限,得到电路设计的SEU数目M?电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入,即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价,大大减少了实验的次数和评估的周期。

    一种FPGA单粒子软错误影响评估方法

    公开(公告)号:CN104461808A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410636120.0

    申请日:2014-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种FPGA单粒子软错误影响评估方法,能够针对未采取防护措施的SRAM型FPGA的具体配置,综合考虑SRAM型FPGA的设计结构和资源占用量,获得了FPGA内部单元单粒子软错误故障的传递概率,并分析得到单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响,使得卫星电子产品设计师能够掌握单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响,有利于指导SRAM型FPGA的抗单粒子软错误设计。

    一种瞬态电磁发射特性概率评估方法

    公开(公告)号:CN118070639A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202311301322.5

    申请日:2023-10-09

    Abstract: 本发明公开了一种瞬态电磁发射特性概率评估方法,针对瞬态电磁发射特性,采用概率评估方法从概率层面进行电磁兼容性评估解决了瞬态电磁发射特性强随机性的问题,采用机器学习方法实现将瞬态电磁发射特性延拓到航天器系统关注的宽频段,并通过将测试数据进行预处理解决了电磁兼容性测试数据相位缺失和不连续性的问题,由此本发明将机器学习方法与概率评估方法相结合提高了瞬态电磁发射特性评估的准确性,克服了传统确定量级评估方法准确度较低的问题。

    一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法

    公开(公告)号:CN105869679B

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201610183678.7

    申请日:2016-03-28

    Abstract: 本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法,步骤如下:(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N;(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入,运行FPGA,记录FPGA输出是否出现错误;(3)重复第(2)k次,直到失效率在30%到70%;(4)根据实际条件,按照最终选定的N,进行尽量多次的故障注入,获得较好的统计性,推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次;(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN,然后用1‑(1‑λN)M/N估计电路的失效率上限,得到电路设计的SEU数目M‑电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入,即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价,大大减少了实验的次数和评估的周期。

    一种重离子加速器单粒子试验降能片厚度快速确定方法

    公开(公告)号:CN104764421B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201510146078.9

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种重离子加速器单粒子试验降能片厚度快速确定方法,步骤如下:根据加速器重离子类型和初始能量,确定重离子在硅中的初始射程;根据加速器重离子类型和要求的重离子LET值,确定对应的重离子在硅中的射程;根据重离子初始射程和与要求重离子LET值对应的重离子在硅中的射程,确定当降能片材料为硅时,屏蔽材料的厚度;确定硅材料厚度与降能片厚度的厚度转换系数;将硅材料的厚度转化为降能片的厚度。本发明快速确定降能片的厚度,节省了成本,提高了效率。

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