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公开(公告)号：CN110677967A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910883278.0
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于法拉第杯的卫星表面等离子体充电电流监测方法。通过确定卫星表面充电电流的测量对象及范围；设计法拉第杯探头；法拉第杯探头在卫星上的安装；确定卫星表面充电电流真实数据与法拉第杯探头测量数据的关系，实现对空间等离子对卫星表面充电电流的包络和有效反演。本发明的方法能够有效反映卫星表面等离子体充电电流大小，为卫星表面带电状态和带电风险的评估提供依据。
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公开(公告)号：CN110646833A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910882312.2
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本发明涉及一种基于单片阵列粒子探测器的卫星单粒子翻转监测方法，包括步骤如下：设计粒子探测器；不同种类粒子的鉴别和处理；建立敏感器件与粒子探测器中粒子数目和LET值的关系；建立敏感器件单粒子翻转位数与粒子探测器测量数据的关系；确定卫星敏感器件在轨异常与空间高能粒子的关联性。本发明的方法实现了卫星敏感器件单粒子翻转效应的在轨监测，能够获得卫星单粒子翻转敏感器件位置处的高能粒子环境，确定卫星异常与空间高能粒子的关联性。
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公开(公告)号：CN105869679B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610183678.7
申请日：2016-03-28
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法，步骤如下：(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N；(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入，运行FPGA，记录FPGA输出是否出现错误；(3)重复第(2)k次，直到失效率在30％到70％；(4)根据实际条件，按照最终选定的N，进行尽量多次的故障注入，获得较好的统计性，推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次；(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN，然后用1‑(1‑λN)M/N估计电路的失效率上限，得到电路设计的SEU数目M‑电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入，即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价，大大减少了实验的次数和评估的周期。
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公开(公告)号：CN104764421B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510146078.9
申请日：2015-03-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01B15/02
Abstract: 本发明涉及一种重离子加速器单粒子试验降能片厚度快速确定方法，步骤如下：根据加速器重离子类型和初始能量，确定重离子在硅中的初始射程；根据加速器重离子类型和要求的重离子LET值，确定对应的重离子在硅中的射程；根据重离子初始射程和与要求重离子LET值对应的重离子在硅中的射程，确定当降能片材料为硅时，屏蔽材料的厚度；确定硅材料厚度与降能片厚度的厚度转换系数；将硅材料的厚度转化为降能片的厚度。本发明快速确定降能片的厚度，节省了成本，提高了效率。
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公开(公告)号：CN104462658A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410638260.1
申请日：2014-11-06
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种三模冗余防护结构FPGA单粒子翻转失效概率的评估方法，根据FPGA器件中划分的功能模块，将待评估的FPGA器件划分成多组，每个组包括三个具有相同比特位数的单元，由此模拟三模冗余防护结构，分别计算器件的单粒子本征翻转率和无防护时的失效率，最后得到带有三模冗余防护结构的失效概率，为抗单粒子效应的评估提供一套实用的理论方法，同时得到的失效概率能够真实反映三模冗余防护结果抗单粒子翻转性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115391713A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210838677.7
申请日：2022-07-18
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F17/10
Abstract: 本发明提出一种基于斜入射的卫星电离总剂量解析分析方法，考虑了斜入射带来的屏蔽厚度增厚、总剂量变低效应，显著降低电离总剂量数据。具体包括以下步骤：步骤一、根据卫星运行轨道参数分析卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效屏蔽厚度的关系；步骤二、根据所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效铝屏蔽厚度的关系获取所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效屏蔽铝厚度关系的拟合公式及拟合系数；步骤三、利用所述拟合公式及拟合系数分析考虑斜入射效应的各向同性入射条件下的卫星电离总剂量与等效铝屏蔽厚度的计算公式；步骤四、根据所述计算公式分析卫星内部单机中器件的电离总剂量。
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公开(公告)号：CN112257226A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010982709.1
申请日：2020-09-17
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种不依赖器件工艺参数的重离子单粒子翻转率分析方法，属于空间辐射技术领域。本发明通过获取器件重离子单粒子翻转截面试验数据及拟合结果；建立器件单粒子翻转率分析模型；计算器件所处轨道的重离子LET谱；分析器件在轨单粒子翻转率。本发明的方法仅采用器件重离子单粒子翻转试验数据，就可以构建确定的单粒子翻转率分析模型，并进行单粒子翻转率分析，解决了以往单粒子模型参数依赖器件工艺参数、难以确定、无法形成统一标准的问题。
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公开(公告)号：CN104462658B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410638260.1
申请日：2014-11-06
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种三模冗余防护结构FPGA单粒子翻转失效概率的评估方法,根据FPGA器件中划分的功能模块，将待评估的FPGA器件划分成多组，每个组包括三个具有相同比特位数的单元，由此模拟三模冗余防护结构，分别计算器件的单粒子本征翻转率和无防护时的失效率，最后得到带有三模冗余防护结构的失效概率，为抗单粒子效应的评估提供一套实用的理论方法，同时得到的失效概率能够真实反映三模冗余防护结果抗单粒子翻转性能。
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公开(公告)号：CN104881519B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510217843.1
申请日：2015-04-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于电路仿真的单粒子翻转效应判别方法，结合空间重离子与SRAM器件的物理相互作用过程，建立理论模型。通过电路仿真的形式，获得SRAM器件电信号故障模式的响应结果，能够分析不同重离子类型、不同粒子入射倾角等条件下器件能否发生单粒子翻转效应。本发明方法不需要地面重离子试验，仅仅通过电路仿真的形式即可判定在空间辐射环境下，不同条件下的粒子能否引起电路发生单粒子翻转，判别方法直观简便。
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公开(公告)号：CN104881519A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510217843.1
申请日：2015-04-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于电路仿真的单粒子翻转效应判别方法，结合空间重离子与SRAM器件的物理相互作用过程，建立理论模型。通过电路仿真的形式，获得SRAM器件电信号故障模式的响应结果，能够分析不同重离子类型、不同粒子入射倾角等条件下器件能否发生单粒子翻转效应。本发明方法不需要地面重离子试验，仅仅通过电路仿真的形式即可判定在空间辐射环境下，不同条件下的粒子能否引起电路发生单粒子翻转，判别方法直观简便。
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