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公开(公告)号：CN101728403B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200910226302.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/498 , H01L21/60 , G01J1/02
CPC classification number: H01L2224/73204
Abstract: 本专利公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。
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公开(公告)号：CN100424894C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200510111360.X
申请日：2005-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器，该器件的特征是：在光敏元的二侧各有一个通过离子刻蚀至衬底的圆洞，圆洞内依次镀有铬金属层和黄金层，其总高度与光敏元的高度齐平。在黄金层上再依次镀上铟金属层和黄金层，该铟金属层和黄金层的尺寸要超过圆洞面积，部分覆盖至光敏元的边缘，以便取出光敏元的光电信号。本发明的优点是：井伸电极不存在台阶和坡度，因此也就不存在台阶和坡度连接处发生金属膜翘起和龟裂。井伸电极特别适合于各种面积的红外探测器芯片制造，它可以成型单元、多元，也可以成型线列、面列。井伸电极完全解决了集成化常规延伸电极不能在面列上进行的难题。信号引线焊接可实行机械化操作，提高了产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN1937233A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610031016.4
申请日：2006-09-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L31/09 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法，所述的抗反膜是置在光敏元列阵、信号引出电极区和公共电极区上的。置于光敏元列阵上的抗反膜是0.8－1.5微米厚的ZnS材料，置在信号引出电极区和公共电极区上的抗反膜是厚度在150～200的铟膜。所述制备方法的特征在于：在抗反膜铟膜形成后再对其进行氧等离子再处理，使铟膜的表面更光滑致密，使本身灰暗的铟更为暗淡，反射系数达到此材料的低极限水平。本发明的优点是能最大限度接收入射光的信号，提高了器件的光电效率。本发明特别适合大面积电极区的器件，如带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器。
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公开(公告)号：CN103855251A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020943.0
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02327 , H01L31/1832
Abstract: 本发明公开了一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法，该方法工艺上采用光刻套刻结合ICP干法刻蚀的手段，然后采用化学湿法腐蚀制备出曲率半径均匀的微透镜线列。本方法为优化单片集成红外微透镜列阵的聚光能力提供了依据，对于提高器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN101866974B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010182345.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本专利的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102376824A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110317200.6
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。
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公开(公告)号：CN101997052A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010276213.9
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器，其特征在于：该曲线延伸电极由内弧形结构区和电极延伸结构区组成，内弧形结构区和电极延伸结构区两者交界处为一个半椭圆曲线。采用该曲线延伸电极结构的碲镉汞芯片具有如下的优点：曲线延伸电极结构更加简单，延伸性更好，这种电极结构不仅可使用在大尺寸的光敏面器件上，而且可用于井伸电极所不能使用的小尺寸光敏面器件上；曲线延伸电极的电极可焊接区域面积更大，能够更加方便的进行电极引出操作；曲线延伸电极的电极引出可实行机械化操作，从而保证了焊点的一致性和稳定性，提高了产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN101866974A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010182345.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本发明的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN109148623B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810945383.8
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法，其结构为在双抛透明蓝宝石衬底上依次有缓冲层，非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层，n型Al0.45Ga0.55N层，倍增区非故意掺杂AlN层，p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区弱p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区p型Al0.45Ga0.55N层，p型GaN帽层；在p型GaN帽层与n型Al0.45Ga0.55N层上分别有p型与n型欧姆接触电极；一钝化层，覆盖在刻蚀到n型Al0.45Ga0.55N层的台面上，对刻蚀台面进行保护。该器件最大的优点是利用弱p型Al0.45Ga0.55N层作为吸收区，AlN作为倍增区，这能够有效降低AlGaN基雪崩二极管的过剩噪声，提高器件的信噪比，而且有助于提高器件的紫外抑制比。
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公开(公告)号：CN107978670A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711275340.5
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件及其制备方法，其特征在于，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次有聚酰亚胺，环氧胶，锰钴镍，金电极。其中所述的蓝宝石衬底为双面抛光的蓝宝石，所述的聚酰亚胺为亚胺化的聚酰亚胺，厚度为1～40微米，所述的锰钴镍是通过环氧胶粘贴到聚酰亚胺上，其厚度为8～10微米，所述的金电极位于锰钴镍表面两端。本发明有以下几个优点：1、工艺简单，易实施。2、可以通过控制聚酰亚胺厚度来决定时间常数，可精准满足不同时间常数的应用需求。
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