公开(公告)号：CN104752182B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201310746120.1

申请日：2013-12-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  侯春雷 ,  狄增峰 ,  张苗 ,  赵清太

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法，至少包括以下步骤：1）提供一Si1‑xGex层，于所述Si1‑xGex层表面形成Ti金属薄膜，其中，0.05≤x≤0.9；2）于所述Ti掺入层表面形成Ni金属层；3）采用快速退火工艺使所述Ni金属穿过所述Ti金属薄膜与所述Si1‑xGex层反应生成NiSi1‑xGex层，其中，0.05≤x≤0.9。本发明具有以下有益效果：由于特定温度可以提供Ni与Si1‑xGex层反应所需的热激活能，并使只有极少量的Ti与Si1‑xGex反应并保持在Si1‑xGex层与NiSi1‑xGex层的界面处，产生几个原子层的缺陷聚集区，隔断了表层薄膜应力的释放向底层的传递，同时使Ni与Si1‑xGex的反应以较缓慢的速度进行。因此，本发明对于保持Si1‑xGex的应变起到了一定的作用，可以获得连续、均一、稳定的NiSiGe材料。

公开(公告)号：CN103558279B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310574812.2

申请日：2013-11-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 俞文杰 ,  刘畅 ,  赵清太 ,  王曦

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4146

Abstract: 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅纳米线隧穿场效应管的具体步骤包括：提供包括顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底；刻蚀所述顶层硅形成硅纳米线沟道，在所述沟道表面沉积栅介质层；采用离子注入工艺对所述顶层硅进行离子注入，在所述沟道两端形成源极和漏极；在所述底层硅的背面形成背栅。本发明的基于硅纳米线的隧穿场效应管具有更加陡峭的亚阈值斜率，对沟道表面电荷的变化相应更加灵敏，从而使生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。

公开(公告)号：CN103137538B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201110383797.4

申请日：2011-11-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  俞文杰 ,  赵清太 ,  狄增峰 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物NiSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入NiSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN103594517A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310505168.3

申请日：2013-10-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  于利希研究中心股份有限公司

Inventor： 赵清太 ,  徐大伟 ,  西格弗里德曼特尔 ,  俞跃辉 ,  程新红

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种多栅SOI-LDMOS器件结构，包括：SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层及顶硅层；有源区，形成于所述顶硅层中，包括依次相连的源区、沟道区、漂移区、浅掺杂漏区、及漏区；多晶硅栅，包括结合于所述沟道区表面的栅氧层及多晶硅层，所述多晶硅栅被至少一个介质层隔成至少两个短栅结构，且对应所述介质层下方的沟道区中形成有与所述沟道区掺杂类型相反的重掺杂区域。本发明的多栅SOI-LDMOS器件结构，有较高的击穿电压，跨导特性较好，正向导通电阻较小，自热效应较低等特点；由于短栅之间存在与沟道掺杂类型相反的重掺杂区域，当器件受到辐照时，这些重掺杂区域相当于复合中心，为辐照产生的电子空穴对提供了大量的复合中心，从而提高器件整体的抗辐照性能。

公开(公告)号：CN103558279A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310574812.2

申请日：2013-11-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 俞文杰 ,  刘畅 ,  赵清太 ,  王曦

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4146

Abstract: 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅纳米线隧穿场效应管的具体步骤包括：提供包括顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底；刻蚀所述顶层硅形成硅纳米线沟道，在所述沟道表面沉积栅介质层；采用离子注入工艺对所述顶层硅进行离子注入，在所述沟道两端形成源极和漏极；在所述底层硅的背面形成背栅。本发明的基于硅纳米线的隧穿场效应管具有更加陡峭的亚阈值斜率，对沟道表面电荷的变化相应更加灵敏，从而使生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。

公开(公告)号：CN103137537A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110383790.2

申请日：2011-11-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  俞文杰 ,  赵清太 ,  狄增峰 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi2，通过刻蚀工艺可以控制不同区域的顶层硅厚度，以合理选择用于制备双极电路和用于制备CMOS电路的顶层硅厚度。最后通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物CoSi2，代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入CoSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减少双极电路所需的顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN102751232A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210225391.8

申请日：2012-07-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  叶林 ,  赵清太 ,  张苗

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法，该方法通过将图形化和锗浓缩的方法相结合，获得一种保证产量和质量的SiGe和Ge纳米线的可控生长。本发明可以获得均匀而笔直的Ge或SiGe纳米线阵列，并且通过对氧化时间的控制可以获得不同组分的SiGe纳米线、以及Ge纳米线，最终形成的纳米线长度可达几百微米，直径达到几十纳米，通过图形的设计为之后纳米线器件打下基础。

公开(公告)号：CN108231901A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810007579.2

申请日：2018-01-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 高安然 ,  韩清华 ,  赵兰天 ,  赵清太 ,  李铁 ,  王跃林

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明提供一种基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及制备方法，场效应晶体管的制备包括：提供半导体衬底，包括底层硅、埋氧层以及顶层硅；定义出沟道图形及连接于两端的源区图形和漏区图形；向所述源区图形及所述漏区图形对应的位置进行性离子注入，形成沟道区以及源区和漏区；于沟道区的表面形成介质层；于介质层表面形成导电层，于导电层表面形成铁电掺杂的铁电性材料层；制作源电极、漏电极以及栅电极。通过上述方案，本发明将传统的场效应晶体管与铁电负电容集成，降低器件的亚阈值摆幅，提高传感灵敏度和响应速度，利于器件功率的降低，另外，本发明采用铁电掺杂的氧化铪作为铁电负电容介质，解决了无机铁电材料难以与CMOS工艺兼容的问题。

公开(公告)号：CN103560153B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201310574824.5

申请日：2013-11-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘畅 ,  俞文杰 ,  赵清太 ,  王曦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一具有顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底，在所述顶层硅两侧进行离子注入分别形成源极和漏极；在所述SOI衬底表面自下而上依次形成本征硅层、栅介质层和栅极层；利用光刻和刻蚀技术刻蚀所述本征硅层、栅介质层和栅极层形成堆叠结构，所述堆叠结构与所述源极部分交叠、与所述漏极在水平方向上具有一预设距离。本发明利用所述堆叠结构与源极的交叠，可以增大隧穿面积，进而增大驱动电流；另外，所述堆叠结构与所述漏极在水平方向上具有一预设距离，通过该预设距离可以抑制隧穿场效应晶体管中的双极性效应，降低亚阈电流。

公开(公告)号：CN103137546B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110384180.4

申请日：2011-11-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 俞文杰 ,  张波 ,  赵清太 ,  狄增峰 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8248

Abstract: 本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过退火工艺使Ni层与Si衬底反应生成NiSi2，通过刻蚀工艺控制不同区域的顶层硅厚度，以合理选择用于制备双极电路和用于制备CMOS电路的顶层硅厚度。最后通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物NiSi2，代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入NiSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减少双极电路所需的顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。