公开(公告)号：CN103594517A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310505168.3

申请日：2013-10-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  于利希研究中心股份有限公司

Inventor： 赵清太 ,  徐大伟 ,  西格弗里德曼特尔 ,  俞跃辉 ,  程新红

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种多栅SOI-LDMOS器件结构，包括：SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层及顶硅层；有源区，形成于所述顶硅层中，包括依次相连的源区、沟道区、漂移区、浅掺杂漏区、及漏区；多晶硅栅，包括结合于所述沟道区表面的栅氧层及多晶硅层，所述多晶硅栅被至少一个介质层隔成至少两个短栅结构，且对应所述介质层下方的沟道区中形成有与所述沟道区掺杂类型相反的重掺杂区域。本发明的多栅SOI-LDMOS器件结构，有较高的击穿电压，跨导特性较好，正向导通电阻较小，自热效应较低等特点；由于短栅之间存在与沟道掺杂类型相反的重掺杂区域，当器件受到辐照时，这些重掺杂区域相当于复合中心，为辐照产生的电子空穴对提供了大量的复合中心，从而提高器件整体的抗辐照性能。