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公开(公告)号：CN102306631A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110203161.7
申请日：2011-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu，之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微米，而后Sn-Ag焊料电镀之后接着电镀约为Sn-Ag焊料厚度1/10的In。最后回流以促使Sn、Ag和In原子混合均匀。本发明针对微电子封装中Cu与Sn-Ag之间焊接温度高、Sn-Ag焊料润湿性差以及焊料中容易出现大块Ag3Sn等缺陷，结合微电子封装中经常使用的电镀工艺，采用在Sn-Ag电镀之后接着电镀一薄层In的方法很好地解决了Sn-Ag焊料的上述缺陷。
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公开(公告)号：CN102222630A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110149550.6
申请日：2011-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法，其特征在于采用分步电镀法在芯片基板上电镀三元无铅焊料。首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层后正面溅射铝导电层，沉积二氧化硅钝化层，光刻并干法腐蚀钝化层开口，之后在基板上溅射金属种子层，涂覆厚光刻胶并光刻电镀窗口，然后分两步分别电镀锡银和铟，电镀完成后去除厚光刻胶和多余的种子层，回流焊料形成凸点。本发明充分利用了电镀法制备凸点所具备的凸点一致性好、凸点尺寸和节距小、凸点产量高、成本低等优点，克服了电镀法在三元合金上的局限性，并为电镀法制备Sn-Ag-In三元高密度微小尺寸无铅凸点奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097672B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201010522672.0
申请日：2010-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01P11/00 , H01L21/768 , H01P3/06
Abstract: 本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光敏BCB，经过光刻得到同轴线的电镀图形，然后使用BCB键合工艺将硅片(1)和(2)的A面对准并低温键合；使用化学机械抛光工艺将硅片(1)的B面研磨至露出通孔，电镀同轴线；最后将硅片(2)从B面磨掉，去除种子层金属。本发明采用光刻等与微电子工艺相兼容的圆片级工艺，保证了传输线的精度，能实现大批量制造。该穿硅同轴传输线降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免了穿硅传输线损耗过大。
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公开(公告)号：CN101834159B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010156047.9
申请日：2010-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明利用有机物BCB低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作TSV封装(Through Silicon Via，穿硅通孔)的方法，所述的TSV封装的制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面DRIE刻蚀出TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆正面经对准后在键合机中进行BCB低温键合；将TSV晶圆减薄后制作TSV后续工艺。本发明提供的TSV封装制作工艺具有较高的可靠性，采用的设备和工艺均为半导体加工的常规工艺和设备。
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公开(公告)号：CN102064120B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010515444.0
申请日：2010-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L24/11 , C25D3/46 , C25D3/54 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/50 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03849 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05666 , H01L2224/11462 , H01L2224/11502 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13099 , H01L2224/13109 , H01L2224/13562 , H01L2224/13639 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2224/05647 , H01L2224/11 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种基于铟凸点的无助焊剂回流的工艺方法，其特征在于包括基板金属化、钝化层开口、凸点下金属化层增厚、电镀铟凸点、电镀银层包覆铟凸点、凸点回流。采用本发明提供的工艺可实现铟凸点阵列的无助焊回流，该工艺可应用于某些特殊的光电芯片，MEMS芯片和生物检测芯片中的倒装互连中。
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公开(公告)号：CN101996906A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010275967.2
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/81
Abstract: 本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；(c)采用倒扣焊机实现锡凸点与斜槽中焊盘之间的对准，凸点插入斜槽内并和焊盘进行焊接。本发明提供的工艺最终可以实现焊盘间距74μm/焊盘宽度50μm的焊盘结构，优于目前的“减法工艺”和“半加法工艺”得到的焊盘面积与焊盘间间距的关系参数。而且该倒扣焊工艺不需要制作阻焊层结构，利用腐蚀槽的阻挡作用凹槽可限制焊料的流动，防止回流过程中焊料的流动造成相邻焊盘之间的短接。
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公开(公告)号：CN101840856A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010156028.6
申请日：2010-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/302 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法，其特征在于所述的腐蚀槽壁具有垂直的特征，腐蚀槽表面积为经光刻后涂覆的BCB的表面积的1.2-1.3倍，腐蚀槽的垂直槽壁的深度略小于涂覆的BCB厚度，BCB是涂覆在裸支撑晶圆上。涂覆的所述的腐蚀槽的制作材料是TSV晶圆。所述的TSV封装制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面首先DRIE刻蚀出腐蚀槽，腐蚀槽位置与支撑晶圆上光刻后的BCB位置相对应，然后DRIE刻蚀TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆的正面经对准后在键合机中键合，熔融BCB在延展过程中被腐蚀槽阻挡，该结构起到控制BCB的键合尺寸的作用。
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