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公开(公告)号：CN119890183A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510022215.1
申请日：2025-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种传输线结构、制备方法及其应用，该传输线结构包括衬底、绝缘介质层及导电布线层，其中，衬底中设有多个贯穿衬底的通孔，且通孔的内壁倾斜设置，绝缘介质层覆盖衬底的第一表面、第二表面及通孔的内壁，导电布线层位于绝缘介质层表面，导电布线层包括中心导线，中心导线作为信号线。本发明通过在通孔内壁上直接形成中心导线(即孔内传输线)，实现了与第一表面和第二表面上的中心导线(平面传输线)结构设计的一致性，从而保证了阻抗匹配，避免了信号在孔内传输线与平面传输线之间传递时因阻抗不匹配而导致的信号损耗，从而显著提升信号传输的完整性和效率，有助于实现更高频信号的稳定传输。
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公开(公告)号：CN119208248A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310753733.1
申请日：2023-06-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H01L23/535 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种封装转接板及其制作方法，包括：自基板的第一主面沿其厚度方向刻蚀形成至少一盲孔；至少于盲孔的侧壁和底部形成钝化层；将烧结前驱物施加到盲孔中，以及采用震荡方式将烧结前驱物混合并填满于所述盲孔，烧结前驱物呈粉末状且主要由金属粉和玻璃粉组成；于保护气氛下将所述烧结前驱物烧结形成为金属柱。本发明通过在盲孔内表面形成钝化层之后，无需形成阻挡层和导电层，随后可采用粉状烧结前驱物填充所述盲孔，即可在保护气氛下执行的烧结工艺形成金属连接柱，避免了阻挡层和导电层的沉积，以及金属层的电镀等系列复杂的工艺，大幅降低了设备成本及材料成本，有效降低工艺复杂度及制造成本。
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公开(公告)号：CN118448362A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410466463.0
申请日：2024-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种具备背面石墨烯散热层的扇出封装结构及其制备方法，本发明使用较传统的更高导热效率的石墨烯散热材料，并通过晶圆级芯片封装技术，将石墨烯散热材料集成于芯片级封装结构中，同时，由于扇出封装结构，能够形成比芯片尺寸更大的散热面积，使得芯片热量能够通过芯片衬底背面更高效均匀地分布到大面积石墨烯层上，从而大大提高芯片散热效率。
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公开(公告)号：CN117613015A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311752480.2
申请日：2023-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/485 , H01L23/373 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种具有散热功能的芯片封装结构及其制备方法，通过在金属基板上设置由散热通道、第一通道、第二通道及孔形成可与外界连通的散热腔将芯片进行立体围绕，可通过将冷却液等冷却物质通入该散热腔对芯片进行立体围绕式散热，再加之直接采用金属基板作为芯片的封装体，大大提高芯片的散热效率、降低芯片封装结构的体积；另外，芯片嵌入进金属基板中，可使芯片具有更佳的保护强度；再者，将芯片的嵌入和芯片的散热通道、第一和第二通道一次性加工成型，极大降低芯片封装的复杂性以及封装成本；最后以晶圆级形式进行整体封装，一次性可完成整片晶圆，有效提高封装效率以及进一步降低封装成本。
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公开(公告)号：CN116281844A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310314044.0
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
Abstract: 本发明提供一种晶圆级腔体式封装结构及其制备方法，该制备方法包括：提供可伐合金晶圆，并对其进行减薄至预设厚度；于减薄后的可伐合金晶圆表面形成至少一个沿其厚度方向延伸的盲腔，相邻两盲腔之间形成为可伐合金墙；提供表面形成有键合金属层的芯片晶圆，并将键合金属层与可伐合金墙键合，以使盲腔与芯片晶圆之间形成为真空腔体，且该真空腔体内的芯片晶圆上设置有芯片。以可伐合金材料作为盖板晶圆，可直接刻蚀形成盲腔，避免在盖板晶圆上制备键合金属层的过程，工艺简单且成本低廉，还能明显提高产品屏蔽性能和散热性，提高产品良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118866693A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310467619.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
IPC: H01L21/48 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供一种基于金属载体的封装转接板及其制备方法，采用金属载体作为封装转接板的基板，可以直接对金属进行刻蚀形成盲孔，避免了通过涂胶、曝光、显影、干法刻蚀及湿法去胶等系列复杂的工艺及昂贵的设备成本及材料成本制备盲孔，有效降低工艺复杂度及制造成本；另外，金属载板与盲孔中的填充材料均为金属，两者的CTE相近且抗拉伸强度大，不存在金属在退火过程中的碎片和隐裂问题，且通过对金属载体进行电镀工艺形成金属氧化物钝化层，其具有比二氧化硅更好的抗吸水性和绝缘性能，有效提高器件的绝缘性能。
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公开(公告)号：CN118851084A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310463159.6
申请日：2023-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
Abstract: 本发明提供一种晶圆级多腔体多级真空封装结构及其制备方法，以金属材料作为盖板晶圆，可直接刻蚀形成盲腔及空腔，避免了真空刻蚀机台的使用，金属本身就可以作为键合材料，避免了在盖板晶圆上制备键合金属层的过程，且使用两块金属晶圆即可实现第二真空腔体，有效降低工艺复杂度及制造成本；另外，金属具有较佳的导电属性且具有较小的热膨胀系数和较好的力学强度，导电性能使其具有较强的电磁屏蔽效应，较小的热膨胀系数使其在后续加工过程中不易变形，较好的力学强度可使第一晶圆做的比较薄，避免在后续的工艺过程中，例如键合过程、抽真空过程，对芯片晶圆造成损伤，提高产品良率；最后，金属材质的盖板更能提高封装体的散热效果。
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公开(公告)号：CN118553704A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410505485.3
申请日：2024-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于TSV结构的2.5D封装结构及其制备方法和应用，包括转接板(1)，所述转接板(1)中设置硅通孔TSV(101)和重布线RDL(102)；所述转接板(1)的正面与光集成电路PIC芯片(2)通过第一凸点(201)连接；所述转接板(1)的反面与电集成电路EIC芯片(3)通过第二凸点(301)连接；所述电集成电路EIC芯片(3)埋入陶瓷基板(4)中。本发明的PIC芯片与EIC芯片位于转接板芯片两侧，且EIC芯片埋入陶瓷基板中，转接板芯片面积更小，2.5D封装与光纤耦合封装方案基于同一陶瓷基板，进一步提升了集成度，并且可靠性更高，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN118553703A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410505484.9
申请日：2024-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于TSV结构的光电合封结构及其制备方法和应用，包括转接板(1)，所述转接板(1)中设置有硅通孔TSV(101)和重布线RDL(102)；所述转接板(1)的一面与光集成电路PIC芯片(2)通过第一凸点(201)连接；所述转接板(1)的另一面与电集成电路EIC芯片(3)通过第二凸点(301)连接，并通过支撑柱(5)与印刷电路板PCB(4)进行固定。本发明采用带有TSV结构的硅转接板与金属引线的方案实现光芯片和电芯片的封装，该方案集成度高，灵活度高，可以进一步提升封装系统的集成度，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN118448397A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410466469.8
申请日：2024-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 肖克来提
Abstract: 本发明涉及一种高密度MIM电容器及其制备方法，所述电容器通过在电容区域内增加金字塔状区域，实现单位芯片面积内实际电容结构面积的提升，能显著增加电容密度，提高器件集成度，同时，由于仅增加了一步预刻蚀工艺，其制作难度也较低，不会显著增加制作成本和工艺难度，具有良好的市场应用前景。
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