公开(公告)号：CN115571853A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211305026.8

申请日：2022-10-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王潇悦 ,  吴亚明 ,  凌必赟 ,  陈栋 ,  徐巧

IPC: B81C99/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种蚀刻测量图形结构及钻蚀量的测量方法，所述蚀刻测量图形结构用于测量晶圆蚀刻量，所述蚀刻测量图形结构包括以线性阵列排布的测量图形；各所述测量图形之间的间距依次构成等差数列。本发明的钻蚀量的测量方法中，通过设置蚀刻测量图形结构，测量图形成等差数列排布；在不影响晶圆整体工艺的情况下，基于测量图形的边缘连接情况获得钻蚀的数值，测量精度高。

公开(公告)号：CN115453746A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211248795.9

申请日：2022-10-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 凌必赟 ,  吴亚明 ,  王潇悦 ,  陈栋 ,  徐巧

IPC: G02B26/08

Abstract: 本发明提供一种无轴间耦合的双轴静电驱动微反射镜及阵列式器件，无轴间耦合的双轴静电驱动微反射镜包括：衬底；绕着外轴扭转的外框架，及将其固定在衬底上的外轴扭转梁和锚点；布置在外轴两侧的外轴驱动单元，每个外轴驱动单元包括两个高低插指分布的梳齿集；绕着内轴扭转的反射镜体、及将其与外框架连接的内轴扭转梁；布置在反射镜体上表面的反射膜；布置在内轴两侧的内轴驱动单元，每个内轴驱动单元包括两个高低插指交错分布的梳齿集；导线及绝缘介质。本发明将反射镜体、内轴扭转梁和内轴驱动单元均作为外框架的随动结构，实现了内轴驱动和外轴驱动的物理隔离，消除了轴间耦合干扰。

公开(公告)号：CN119220927A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411361612.3

申请日：2024-09-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王潇悦 ,  吴亚明 ,  凌必赟

IPC: C23C14/04

Abstract: 本发明提供一种硬掩模版及其制备方法、应用方法和镀膜治具，硬掩模版包括镀膜通孔；镀膜通孔的侧壁设置有阶梯结构，阶梯结构包括一个以上镀膜台阶，镀膜台阶的踏面与第二表面之间的距离小于第一表面与第二表面之间的距离。本发明通过在硬掩模版的镀膜通孔侧壁设置镀膜台阶，避免镀膜通孔边缘被遮挡而造成镀膜不均匀的问题，并保证硬掩模版的机械强度；同时在硬掩模版设置与MEMS晶圆对应的卡合微结构，实现精准定位，提高镀膜位置精度；另外设置芯片区内多个镀膜通孔之间连接区域的高度，避免间距小的镀膜通孔之间的连接区域的遮挡导致镀膜不均匀，并保证连接区域的机械强度；最后设置镀膜治具对对准的硬掩模版和MEMS晶圆紧固定位，提高镀膜位置精度。

公开(公告)号：CN119002041A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411257227.4

申请日：2024-09-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴亚明 ,  周碧青 ,  凌必赟 ,  王潇悦

IPC: G02B26/08 ,  G02B27/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种高带宽MEMS扫描镜器件及其设计方法，高带宽MEMS扫描镜器件最大驱动扭矩τ，微反射镜最大扫描角度θmax，柔性扭转梁扭转刚度Kθ＝τ/(θmaxN2)，N大于1；反馈控制芯片接收单片集成角度传感器感知的实时扭转角度和目标扫描角度，处理得到调整闭环反馈驱动信号闭环反馈控制微反射镜扭转。本发明中柔性扭转梁扭转刚度为常规扭转刚度的1/N2，配合反馈控制提高扫描镜器件扫描工作带宽，并打破了MEMS扫描镜提高带宽的思维惯性；同时不同尺寸微反射镜的扭转梁扭转刚度不同，保证扫描镜结构强度并优化扫描工作带宽；另外PID算法反馈控制微反射镜扭转，大幅提高扫描工作带宽。

公开(公告)号：CN116395633A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310340962.0

申请日：2023-03-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 凌必赟 ,  吴亚明 ,  周碧青 ,  王潇悦 ,  全刚

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明涉及一种基于粉末填充的低阻硅式TSV制造方法，包括：步骤S10，提供低阻硅片；步骤S20，在低阻硅片的第一面蚀刻形成环形盲孔；步骤S30，在环形盲孔中填充待固化粉末；步骤S40，清除低阻硅片表面残留的待固化粉末；步骤S50，对待固化粉末进行固化，形成固定于环形盲孔侧壁的电绝缘的环形支撑层；步骤S60，在低阻硅片的第二面蚀刻形成环形盲孔，用于形成从低阻硅片分离出的导电硅柱，并重复步骤S30～步骤S50；或在低阻硅片的第二面减薄至环形支撑层完全露头，形成从低阻硅片分离出的导电硅柱；步骤S70，在导电硅柱上下表面的部分区域蚀刻形成开口，使硅暴露，制造完成。本发明还涉及相应的基于粉末填充的低阻硅式TSV结构。本发明提高了TSV技术与MEMS工艺的兼容性，并优化了填充质量。