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公开(公告)号：CN102693900A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210174632.0
申请日：2012-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有周期结构的半导体及其制备方法，首先提供一的AAO模板，所述AAO模板包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层，于各该孔道内填充光刻胶，并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层，然后去除所述铝基底，接着去除各该孔道的底部以使所述孔道形成通孔，接着键合一半导体衬底及所述氧化铝层，并去除光刻胶，接着于所述通孔内填充半导体材料，最后去除所述氧化铝层，以完成所述具有周期结构的半导体的制备。本发明利用AAO模板实现了半导体周期结构的制备，工艺简单，成本低、可靠性和重复性好、且与半导体工艺兼容，采用本方法可制备出具有纳米级周期结构的半导体，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN102347267A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110324597.1
申请日：2011-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法，首先在一衬底上按周期交替生长Ge层（Si层）与Si1-xGex层形成超晶格结构，然后再低温生长Si1-mGem材料，控制此外延层的厚度，使其小于临界厚度。紧接着对样品进行退火或离子注入加退火处理，使顶层的Si1-mGem材料弛豫。最后采用智能剥离的方法将顶层的Si1-mGem及超晶格结构转移到SiO2/Si结构的支撑材料上，形成多层材料。使用研磨或CMP的方法制备高质量的SGOI。由此，利用超晶格结构材料，我们制备出高质量、低成本、低缺陷、厚度可控的SGOI。
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公开(公告)号：CN111952183B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202010849605.3
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法，包括：1)制备衬底结构，包括半导体衬底，半导体衬底中插入有介质牺牲层；2)定义器件区域，对器件区域进行阱掺杂，并器件区域外围形成隔离区；3)刻蚀介质牺牲层上方的半导体层，以形成线型半导体沟道，线型半导体沟道两端连接有半导体层；4)采用湿法腐蚀去除介质牺牲层以在线型半导体沟道下方形成空腔；5)形成包围线型半导体沟道的栅介质层及栅电极层，以形成栅极结构；6)在线型半导体沟道两端的半导体层中形成源区及漏区。本发明可避免介质牺牲层的侧向腐蚀，本发明的器件具有较高的电学性能，同时具有较小的工艺难度，以及更广泛的工艺兼容性。
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公开(公告)号：CN116949564A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210406596.X
申请日：2022-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：提供一绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括位于顶层硅、埋氧层、背衬底中的任一者中或任意相邻两者之间的界面处的多个空腔；在第一生长温度下于顶层硅上外延生长AlN缓冲层；在第二生长温度下于AlN缓冲层上外延生长第一AlN层；在第三生长温度下于第一AlN层上外延生长第二AlN层。本发明利用内嵌空腔的绝缘体上硅衬底，减少高温生长单晶AlN薄膜时晶格失配及热失配所带来的影响，从而可以实现无裂纹的单晶AlN薄膜生长。
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公开(公告)号：CN116248069A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310229636.2
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出一种体声波谐振器及其制备方法，体声波谐振器包括第一电极、第二电极，以及夹在第一电极及第二电极之间的压电薄膜，其中压电薄膜由n层相邻两层极性相反的极性压电薄膜构成，第一电极与第二衬底被腔体结构隔开，腔体结构被嵌入第二衬底上，第二电极上方也由空气包围；本发明的体声波谐振器的制备方法利用分层制备极性相反的极性压电薄膜，在不降低压电薄膜总厚度或引入过渡电极的条件下提高谐振器谐振频率，简化工艺，降低对工艺及设备要求的同时提高滤波器工作频率，为高频体声波谐振器提供了一种新的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115094516A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210731188.1
申请日：2022-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法，所述生长方法至少包括：1)提供硅衬底，图形化刻蚀所述硅衬底；2)进行第一次热处理，所述刻蚀形成的刻蚀孔的上表面逐渐闭合，在所述硅衬底中形成分立的空腔结构；3)进行第二次热处理，分立的所述空腔结构逐渐合并；4)在所述硅衬底表面外延生长第一氮化铝薄膜；5)在所述第一氮化铝薄膜表面外延生长第二氮化铝薄膜。本发明利用表面图形化刻蚀和两次热处理工艺在硅衬底中形成大尺寸空腔结构，空腔结构对氮化铝或者铝钪氮薄膜外延过程中因为晶格失配或者热失配产生的应力进行有效释放，形成高晶体质量、低应力的氮化铝或者铝钪氮薄膜。
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公开(公告)号：CN114878605A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210345490.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/20008 , G01N23/207
Abstract: 本发明提供一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法，装置包括：同步辐射光源光束发射器、光接收器、可移动样品台、电源及电极选择器、加热测温装置。本发明通过对同一衬底的压电薄膜移动定位实现薄膜压电性能的高通量表征；同时利用同步辐射光源照射下采集到的X射线图谱对特定材料的唯一性，避免了衬底的干扰；另外利用同步辐射光源对物体晶格常数超高的分辨能力，有效提高了压电系数的测量精度；最后，配合原位加热和测温装置，在测量压电系数后可以在同一实验中对同一压电薄膜区域的居里温度进行即时原位测量，提高了对压电薄膜压电性能综合表征的效率。
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公开(公告)号：CN111952183A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010849605.3
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法，包括：1)制备衬底结构，包括半导体衬底，半导体衬底中插入有介质牺牲层；2)定义器件区域，对器件区域进行阱掺杂，并器件区域外围形成隔离区；3)刻蚀介质牺牲层上方的半导体层，以形成线型半导体沟道，线型半导体沟道两端连接有半导体层；4)采用湿法腐蚀去除介质牺牲层以在线型半导体沟道下方形成空腔；5)形成包围线型半导体沟道的栅介质层及栅电极层，以形成栅极结构；6)在线型半导体沟道两端的半导体层中形成源区及漏区。本发明可避免介质牺牲层的侧向腐蚀，本发明的器件具有较高的电学性能，同时具有较小的工艺难度，以及更广泛的工艺兼容性。
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公开(公告)号：CN104752309B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201310732418.7
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供种剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法,包括以下步骤:S1:提供Si衬底,在其表面外延生长掺杂单晶层;所述掺杂单晶层厚度大于15 nm;S2:在所述掺杂单晶层表面外延生长单晶薄膜;S3:在所述单晶薄膜表面形成SiO层;S4:进行离子注入,使离子峰值分布在所述SiO层以下预设范围内;S5:提供表面具有绝缘层的基板与所述单晶薄膜表面的SiO层键合形成键合片,并进行退火以使所述键合片在预设位置剥离,得到绝缘体上材料。本发明利用较厚掺杂单晶层对注入离子的吸附作用,并控制注入深度,使剥离界面为所述掺杂单晶层的上表面、下表面或其中离子分布峰值处,从而达到精确控制剥离位置的目的。
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公开(公告)号：CN104934294B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201410100517.8
申请日：2014-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上应变薄膜结构，包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的埋氧层及形成于所述埋氧层上的顶层应变半导体层；所述顶层应变半导体层中形成有预设图形微结构；所述微结构包括一主体及分布于所述主体边缘的至少两条桥线；所述微结构下方的埋氧层被挖空，所述微结构处于悬空状态；所述桥线处于拉伸状态。本发明通过图形化在绝缘体上应变半导体层中形成预设图形微结构，并通过腐蚀去除微结构下方的埋氧层，使得微结构悬空，得到了悬浮条件下顶层应变半导体层的应力分布，从而改变顶层半导体层中微结构本身的固有应力，实现应力的调控。通过切断微结构的部分桥线，可以进一步增加应力，制备得到高质量、大应力的纳米应变薄膜。
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