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公开(公告)号：CN112098793A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010820386.6
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种单端口在片校准件模型确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN112098791A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010819042.3
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法，该在片校准模型包括：表征在片校准件串扰的电阻和表征在片校准件串扰的电容；所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路串联，所述表征在片校准件串扰的电容的一端连接在所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路的一端之间，所述表征在片校准件串扰的电容的另一端连接在原校准件模型中的元件构成的电路的另一端。本实施例提供的在片校准模型，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度。
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公开(公告)号：CN112054270A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010731682.9
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种波导接口组件互联结构，属于微波射频领域，包括安装面板、波导接口组件和隔离垫；安装面板上设有面板接口；波导接口组件上设有与面板接口一一对应的组件接口；隔离垫被夹持固定于波导接口组件和安装面板之间，隔离垫上设有与面板接口一一对应的过渡开口，过渡开口外周设有多个与隔离垫板面呈夹角设置的弹性触针，多个弹性触针的自由端分别向隔离垫的两侧倾斜；向隔离垫一侧倾斜的弹性触针用于与面板接口边缘导电抵接，向隔离垫另一侧倾斜的弹性触针用于与组件接口边缘导电抵接。本发明提供的波导接口组件互联结构，可以有效遮挡、消除相邻波导接口之间的缝隙，提高隔离度指标，也不会影响面板接口和组件接口之间的电流传导。
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公开(公告)号：CN111025213A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911183042.2
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于非实时在片负载牵引测量技术领域，提供了一种在片负载牵引输出功率的测量方法及终端设备，该方法包括：获取在片负载牵引系统中的各个组件的S参数和反射系数，基于信号源的不同源功率，对接入在片负载牵引系统中的直通件的输出功率进行校准，并根据S参数和反射系数得到直通件的各个功率测量端面的输出功率以及直通件的输入功率；对接入功率校准后的在片负载牵引系统中的被测件进行输出功率测量，获得测量结果，根据测量结果、S参数测量和反射系数得到功率测量模型；根据功率测量模型进行仿真得到被测件的输出功率，从而可以在非线性状态下，有效测量功率器件时系统输测量指标及性能，并且简化测量过程。
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公开(公告)号：CN109710997A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811494606.X
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种在片噪声参数传递标准件的设计方法、系统及终端设备，包括：建立S参数与噪声参数的函数关系；按照所述函数关系，定量分析在不同的S参数条件下，噪声参数的量值及不确定度的变化规律；根据所述变化规律，将噪声参数的最佳不确定度所对应的S参数作为初步设计参数；按照所述初步设计参数，结合加工工艺和物理边界条件，确定最佳的设计参数对应的理想传递标准件。本发明基于S参数与噪声参数的函数关系，定量分析S参数变化对于噪声参数的量值及不确定度的影响，从而确定最佳的设计参数对应的理想传递标准件，提高了准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106249187B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610763763.0
申请日：2016-08-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种在片共面波导多线TRL校准件的设计与准确定义方法，涉及散射参数校准技术领域。该方法包括：根据算法分析及工艺加工能力设定多线TRL校准件传输线在目标频带下的几何尺寸及个数，并制作多线TRL校准件；测量多线TRL校准件的几何量；通过测量多线TRL校准件传输线的线电容，并结合传播常数得到多线TRL校准件传输线的特征阻抗。上述在片共面波导多线TRL校准件的设计与准确定义方法给出了传输线长度、导体厚度的选取准则，实现多线TRL校准件的准确定义，且经验证多线TRL校准件设计合理，准确度较高。
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公开(公告)号：CN108107392A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711159640.7
申请日：2017-11-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了多线TRL校准方法及终端设备，该方法包括：对TRL校准过程中的误差进行分析，建立用于求解传播常数和校准常数的误差分析模型；利用多根、冗余的传输线作为标准覆盖每一个频点，根据有效相移规则选取公共线，并将公共线与其它每个传输线组成线对，每组线对之间形成独立测量，并根据所述误差分析模型得到多组传播常数和校准常数的观测值；通过预处理方法对传输线的测量结果进行处理，并根据处理结果更新公共传输线。上述方法及终端设备，能够提高在片S参数测试准确度。
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公开(公告)号：CN106446337A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610737112.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F2217/82
Abstract: 本发明公开了一种无源器件噪声标准值的计算方法，涉及噪声测量技术领域。该方法包括以下步骤：建立无源器件的散射参数-噪声模型；根据所述无源器件的散射参数-噪声模型得出所述无源器件的噪声相关矩阵；所述无源器件的噪声相关矩阵中包含无源器件的环境温度；根据所述无源器件的噪声相关矩阵获得所述无源器件的噪声参数标准值；根据所述无源器件的噪声参数标准值得出所述无源器件的噪声系数标准值。上述无源器件噪声标准值的计算方法，能够提高噪声标准值的计算准确度，提升噪声测量系统计量验证水平。
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公开(公告)号：CN115290997B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202210743223.1
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于重心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的重心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据负载校准件修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN114114120B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202111291413.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种校准件制备的方法及校准件。该方法包括：确定传输线横截面尺寸；当所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；基于所述最优横截面尺寸设置多组传输线，确定所述多组传输线中特征阻抗与预设阻抗值最接近的目标传输线，并基于所述目标传输线确定对应的校准件尺寸；根据所述校准件尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值。本发明能够提高设计成功率和效率，有效克服工艺误差带来的偏差。
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