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公开(公告)号:CN114720165B
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202210197053.1
申请日:2022-03-01
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种光纤水听器封装检测方法、装置、系统、计算机设备,所述方法包括:确定光纤水听器的第一待测样本处于第一检测环境中的第一试验时间;实时监测所述第一待测样本的第一光路数据,根据所述第一光路数据获取所述第一待测样本在所述第一试验时间内的第一光路损耗数据;确定所述第一待测样本中所述第一光路损耗数据小于第一阈值的第二待测样本;实时监测所述第二待测样本处于第二检测环境的第二光路数据,根据所述第二光路数据获取所述第二待测样本在第二试验时间内的第二光路损耗数据;将所述第二待测样本中所述第二光路损耗数据小于第二阈值的第二待测样本记录为合格样本。本公开可以准确评价长期海水环境下光纤水听器封装退化情况。
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公开(公告)号:CN118445767A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410626485.9
申请日:2024-05-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F18/27 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了光纤声敏元件可靠性评价方法,涉及光纤声敏元件评价技术领域,基于光纤声敏元件实际应用工况以及可靠性指标要求,提出了一种光纤声敏元件可靠性评价方法,可实现光纤声敏元件热海水加速退化激发和评估,建立考虑海水服役环境下光纤声敏元件加速寿命模型,具有更加贴近实际服役环境和较高效费比的特点,可以更好的满足产品研发、鉴定以及应用等多个环节对于光纤声敏元件可靠性评价需求。
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公开(公告)号:CN116164935A
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN202211680976.9
申请日:2022-12-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种大功率半导体激光器合束模块的寿命评估方法及评估系统,包括:提供待测大功率半导体激光器合束模块;获取待测大功率半导体激光器子模块在温度应力加速寿命试验条件下的加速因子;基于待测大功率半导体激光器子模块的寿命指标和加速因子,得到加速验证时间;基于加速验证时间对多个待测大功率半导体激光器子模块进行温度应力加速寿命试验;判断在加速验证时间内是否存在待测大功率半导体激光器子模块发生失效;若否,则确定待测大功率半导体激光器子模块的寿命符合寿命指标;若是,则确定待测大功率半导体激光器子模块的寿命不符合寿命指标;进而,在短时间内准确评估合束模块是否符合寿命指标,提高评估效率,降低评估成本。
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公开(公告)号:CN114896750A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210419899.5
申请日:2022-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20
Abstract: 本申请涉及一种光电探测器寿命评估方法、装置。通过确定光电探测器的击穿电压以及位于光电探测器的工作电压与击穿电压之间的多个第一测试电压,在多个第一测试电压一一对应的多个光电探测器组中各光电探测器满足预设环境条件下,对各光电探测器施加对应的第一测试电压,按照预设的时间间隔,获取各光电探测器的暗信号值,进一步根据暗信号值以及预设失效暗信号值,确定各光电探测器的有效使用时长,从而根据有效使用时长以及多个第一测试电压,确定寿命评估模型,实现对待评估光电探测器的寿命评估。由于光电探测器在失效机理方面对电场更加敏感,可以加快光电探测器的失效退化,确定寿命评估模型,从而实现对光电探测器寿命的快速评估。
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公开(公告)号:CN111707348B
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202010588188.1
申请日:2020-06-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01H9/00
Abstract: 本申请涉及一种光纤水听器寿命评价方法。所述方法包括:判断是否存在封装交界面;如果不存在封装交界面,则根据产品退化模型评估实际温度应力下的待测产品寿命;如果存在封装交界面,则根据产品退化模型、界面退化模型以及竞争失效原理,评估实际温度应力下的待测产品寿命。本申请综合考虑了器件自身退化与封装界面退化对产品寿命的影响,建立了更加贴近产品实际应用工况的寿命评价方法,从而有效提高了评估准确性。
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公开(公告)号:CN119714393A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411862129.3
申请日:2024-12-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种近红外光电探测器性能测试方法、装置以及设备。所述方法包括:在对目标探测器进行性能测试的过程中,获取多种测试策略对应的测试参数,根据各测试参数分别对目标探测器进行性能测试,可以得到各测试参数对应的性能参数,根据各性能参数能够确定目标探测器的性能测试结果,其中,多种测试策略包括应力测试、脉冲光响应测试以及噪声测试中的至少两种。采用本方法能够提高测试的准确性。
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公开(公告)号:CN119667452A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202510200107.9
申请日:2025-02-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28 , G01M11/00 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的硅基光互连芯片动态评估系统,涉及芯片评估技术领域,该系统公开了基本性能分析模块、光学器件筛查模块、光学器件评估模块、动态评估模块,设置光学器件筛查模块、光学器件评估模块以及动态评估模块,在开启光学器件筛查工作后,通过构建一个硅基光互连芯片的模拟模型,可以模拟硅基光互连芯片在当前性能参数下各光学器件可能的性能表现,综合分析每个光学器件的测试评估需求,根据测试评估需求的动态筛选以及排序光学器件的测试评估顺序,不再需要对每个光学器件进行测试评估,可以快速确定硅基光互连芯片中的异常光学器件,提高光学器件的测试评估精度与效率。
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公开(公告)号:CN119416720A
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202411483652.5
申请日:2024-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/36 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本申请涉及一种双极型运算放大器的可靠性预计模型的构建方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。方法包括:对晶体管进行恒定应力加速寿命试验,获得归一化β值随时长的变化关系数据,对变化关系数据进行参数拟合,获得晶体管的加速退化系数、时间幂系数和待定系数,并建立晶体管的退化轨迹模型,建立差分输入结构的电路仿真模型,正交试验获得归一化β值对双极型运算放大器的输入失调电压的影响数据;根据影响数据,建立归一化β值与双极型运算放大器的输入失调电压之间的映射关系;利用退化轨迹模型和映射关系,建立双极型运算放大器的可靠性预计模型。采用本方法能够提高双极型运算放大器的可靠性预计准确率和效率。
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公开(公告)号:CN119276351A
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN202411270105.9
申请日:2024-09-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H04B10/077 , H04B10/079 , G01M11/02
Abstract: 本申请涉及一种调制器故障定位方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括:控制光频域反射设备,向待测调制器出射第一光线,得到待测调制器的反射光谱数据;根据反射光谱数据,确定待测调制器中的故障区域;控制激光器向待测调制器的故障区域出射第二光线;控制光发射显微设备采集故障区域在第二光线下的照射图像;根据照射图像,确定故障区域中的故障位置。采用本方法能够通过光频域反射设备粗略确定出待测调制器中的故障区域,再通过光发射显微设备精准确定出待测调制器中的故障位置,提高了待测调制器中故障定位的准确性和定位效率。
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公开(公告)号:CN112540247B
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202011215483.9
申请日:2020-11-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及微光探测器性能表征技术领域,公开了一种预先老化方法。对电子器件提供驱动条件使其处于正常工作状态,通过调节所述电子器件的增益电压以及对所述电子器件的输入光信号的光照强度进行调节,使所述电子器件连续工作在倍增寄存器接近饱和的状态,实现器件增益的快速老化,最终使所述电子器件达至增益稳定状态。对刚生产出来的所述电子器件进行预先老化,使其达至增益稳定状态后再投入实际生产使用。克服了所述电子器件在早期应用中增益稳定性不佳且测试结果偏差较大的问题,便于在连续信号采集应用中获得稳定成像效果。可为所述电子器件的研制生产和性能参数检测提供良好的技术支撑,使其具有良好的工程应用价值。
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