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公开(公告)号：CN1572908A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047497.9
申请日：2004-05-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够持续最佳的电解状态并稳定操作，且无需靠人工就能够发生氟或氟化物气体的气体发生装置的电流控制方法和电流控制装置。本发明是一种使由含有氟化氢的混合熔化盐构成的电解浴(5)，用碳电极作为阳极(4a)进行电解而发生氟或氟化物气体的气体发生装置的电流控制方法，测定在气体发生装置上施加了一定电流后的阴极(4b)、阳极(4a)之间的电压变动幅度，并一边按照电压变动幅度改变投入电流量一边施加电流。
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公开(公告)号：CN104744063A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510097339.2
申请日：2012-05-22
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: B05D7/24 , B22F3/105 , B22F7/062 , B23K20/02 , B23K35/0233 , B23K35/327 , B23K35/3613 , B32B37/12 , C04B35/522 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/62802 , C04B37/005 , C04B37/006 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/3826 , C04B2235/3865 , C04B2235/422 , C04B2235/425 , C04B2235/6023 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/086 , C04B2237/09 , C04B2237/122 , C04B2237/34 , C04B2237/36 , C04B2237/363 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/40 , C04B2237/403 , C04B2237/52 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , Y10T403/479
Abstract: 本发明提供能够在高温使用的金属材料与陶瓷－碳复合材料的接合体、其制造方法、新型的碳材料接合体、碳材料接合体用接合材料以及碳接合体的制造方法。金属材料(4)与陶瓷－碳复合材料(1)的接合体(6)是由金属构成的金属材料(4)与陶瓷－碳复合材料(1)的接合体。陶瓷－碳复合材料(1)具有多个碳颗粒(2)和由陶瓷构成的陶瓷部(3)。陶瓷部(3)形成于多个碳颗粒(2)之间。金属材料(4)与陶瓷－碳复合材料(1)通过接合层(5)接合。接合层(5)含有金属的碳化物和陶瓷。
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公开(公告)号：CN102482165A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039227.7
申请日：2010-09-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 制造在石墨等碳基材的表面致密且均匀地包覆有碳化硅覆膜的碳化硅包覆碳基材。其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP2碳结构构成的基部、和由具有悬空键的SP2碳结构构成的边缘部的碳基材的工序；和通过在温度1400～1600℃、压力1～150Pa的气氛中使碳基材的表面与SiO气体反应而形成碳化硅，制造由碳化硅所包覆的碳基材的工序。
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公开(公告)号：CN101379592A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780005002.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 东洋炭素株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F17D1/04 , C01B7/19 , F17C2250/032 , F17C2270/0518 , H01L21/67017 , H01L21/67276
Abstract: 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。
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公开(公告)号：CN101300693A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680041102.1
申请日：2006-10-06
Applicant: 东洋炭素株式会社 , SEI株式会社 , 日本化学工业株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M2/16 , H01M4/131 , H01M4/1315 , H01M4/1391 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/625 , H01M10/058
Abstract: 本发明获得高容量化且维持高放电电压、而且能够反复大电流充放电的高输出功率的锂离子二次电池。所述锂离子二次电池，具备电极组和浸渍有该电极组的含有锂盐的非水电解液，所述电极组通过介由合成树脂制的隔板层压或卷绕负极材料层和正极材料层来形成，该负极材料层含有能够包藏、释放锂离子的材料，该正极材料层含有含锂离子金属氧化物，该锂离子二次电池的特征在于，上述正极材料层以经氟处理的含锂金属氧化物为主剂，而且，上述隔板具有亲水基。上述正极材料优选含有由LiNixCoyMnzO2形成的主剂，其中，0.4≤x≤1、0≤y≤0.2、0≤z≤0.2、x+y+z＝1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101296881A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680040106.8
申请日：2006-10-12
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C04B35/52 , C01B31/04 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , C04B35/522 , C04B35/532 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01J37/16 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
Abstract: 一种在高电流低能量型离子注入装置中用于离子注入装置束流线(beam line)内部部件的石墨部件，该石墨部件能够显著减少结合到晶片表面中的颗粒的数量。还提供了用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件，该部件具有1.80Mg/m3或更高的堆积密度和9.5μΩ·m或更低的电阻。优选地，在石墨部件的自然断裂(natural fracture)表面的拉曼光谱中用1370cm－1处的D谱带强度除以1570cm－1处的G谱带强度得到的R值为0.20或更低。
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公开(公告)号：CN101248216A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680030920.1
申请日：2006-06-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 一种氟系气体产生装置，在具备阳极室和阴极室的电解槽内具有由含有氟化氢的混合熔融盐构成的电解浴，通过对前述电解浴进行电解来产生含氟的气体，该氟系气体产生装置具有：原料供给配管，在前述电解槽中到达电解浴中，用于供给电解用原料；常闭型阀，设置在前述原料供给配管的中途；和设置有常开型阀的迂回用配管，将比前述常闭型阀靠向下游侧的前述原料供给配管与前述电解槽的气相部分连接。由此，电解浴不会被吸入到氟系气体产生装置的原料供给配管内，可事先防止在原料供给配管内发生固化。
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公开(公告)号：CN100354199C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN01823915.3
申请日：2001-12-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C01B31/06 , B01J3/06 , C04B35/528
CPC classification number: C04B35/645 , B01J3/062 , B01J3/065 , B01J3/067 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B30B11/004 , B30B11/007 , C04B35/52 , C04B35/522 , C04B2235/421 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
Abstract: 在由高压合成法制备含硼的半导体金刚石时，向旨在转化为半导体金刚石的石墨材料中按使其均匀的方式加入硼或硼化合物，使之致密、高纯度化，降低含氢量。
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公开(公告)号：CN1266031C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200310119692.3
申请日：2003-11-20
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C01B7/20
CPC classification number: C25B1/245
Abstract: 目的在于即使在氟气发生装置的HF的供给停止或异常时，也不会使电解液腐蚀上游管路，且管路内不会残留HF。是用来电解由含有氟化氢的混合熔融盐构成的电解液而产生氟气的氟气发生装置，具有：向前述电解液中提供氟化氢气体的氟化氢气体供给管路；配置在前述氟化氢气体供给管路上且在前述氟化氢气体的供给停止时关闭的第1自动阀；在前述氟化氢气体的供给停止时，排出残存在前述氟化氢气体供给管路的比前述第1自动阀更下游侧的管路内的氟化氢气体并置换为惰性气体的惰性气体置换机构。
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公开(公告)号：CN1582257A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN01823915.3
申请日：2001-12-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C01B31/06 , B01J3/06 , C04B35/528
CPC classification number: C04B35/645 , B01J3/062 , B01J3/065 , B01J3/067 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B30B11/004 , B30B11/007 , C04B35/52 , C04B35/522 , C04B2235/421 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
Abstract: 在由高压合成法制备含硼的半导体金刚石时，向旨在转化为半导体金刚石的石墨材料中按使其均匀的方式加入硼或硼化合物，使之致密、高纯度化，降低含氢量。
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