公开(公告)号：CN108085547A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711344245.6

申请日：2017-12-15

Applicant: 东北大学

Inventor： 崔伟斌 ,  杨洋 ,  谢义高 ,  钟辉 ,  周小倩 ,  王强

IPC: C22C22/00 ,  C22C1/02 ,  C22F1/16 ,  H01F1/01

Abstract: 本发明属于磁性材料领域，具体涉及具有反常矫顽力温度系数和磁制冷能力的磁性材料及其制备方法。本发明的技术方案如下：具有反常矫顽力温度系数和磁制冷能力的磁性材料，由Mn、Sb、Sn三种元素组成，其化学式为Mn2Sb1-xSnx，其中x为0.1、0.2或0.3。本发明提供的具有反常矫顽力温度系数和磁制冷能力的磁性材料在100～250K范围内可作为磁制冷材料使用，在250K-450K下随着温度升高，矫顽力逐渐增大，在此范围内可作为永磁材料使用。

公开(公告)号：CN107134341A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710266362.9

申请日：2017-04-21

Applicant: 东北大学

Inventor： 崔伟斌 ,  王强 ,  张同博 ,  钟辉 ,  周小倩 ,  付艳请 ,  于德东

IPC: H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/28 ,  H01F10/30 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18 ,  H01F41/20 ,  H01F41/22

CPC classification number: H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/28 ,  H01F10/30 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18 ,  H01F41/20 ,  H01F41/205 ,  H01F41/22

Abstract: 本发明涉及一种强磁性介质薄膜，具体涉及一种垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法。本发明的技术方案如下：一种垂直取向强磁性介质薄膜，包括依次层叠的衬底、缓冲层、垂直取向强磁性介质层和保护层，所述衬底为单晶、多晶或非晶基片，所述缓冲层材质为具有六方晶体结构的无机非金属氮化物陶瓷，所述垂直取向强磁性介质层为钐钴薄膜、铝镍钴薄膜、鉄铂薄膜、铁钯薄膜、钴铂薄膜和/或钴钯薄膜，所述保护层为过渡金属、氮化物膜体材料或氧化物膜体材料。本发明提供的垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法，具有体积小、垂直磁化方向、作为存储单元的晶粒尺寸小、矫顽力大、稳定性高等优点，制备工艺简单，应用领域更广。