公开(公告)号：CN101515541A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910126384.0

申请日：2005-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  铃木公贵

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种为了大幅降低颗粒的产生量而进行改良后的基板旋转装置、以及具备该基板旋转装置的基板处理装置。基板处理装置，其特征在于，包括：间隔用于处理基板的处理空间的处理容器；在所述处理容器内支承所述基板的基板支承体；直接或间接地连接在所述基板支承体上、由陶瓷材料形成的从动旋转体；和在所述处理容器内，经由缓冲部件与所述从动旋转体接触，支撑所述从动旋转体并且旋转驱动所述从动旋转体的，由陶瓷材料形成的驱动旋转体。

公开(公告)号：CN100527379C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200580028801.8

申请日：2005-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  铃木公贵

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种为了大幅降低颗粒的产生量而进行改良后的基板旋转装置、以及具备该基板旋转装置的基板处理装置。基板旋转装置包括：直接或者间接地连接在基板支承体上的从动旋转体、例如从动环；和在与可动部件接触的状态下，进行旋转从而旋转驱动上述从动旋转体的驱动旋转体、例如，驱动转子。从动旋转体和驱动旋转体，由JIS R1607标准规定的破坏韧性的值以及/或者JIS R1601标准规定的三点弯曲强度的值不同的陶瓷材料构成。

公开(公告)号：CN101405842A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009418.7

申请日：2007-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  宫下大幸 ,  米田昌刚 ,  铃木智博 ,  田中澄 ,  野村正道 ,  清水美和

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种不会发生因热的影响导致发光量下降而引起的光能效率低这样的问题，从而能够保持稳定的性能的退火装置。其具有收纳晶片W的处理室1；面对晶片W的面而设置的、具有向晶片W照射光的多个LED33的加热源17a、17b；与加热源17a、17b对应而设置的、透过来自发光元件33的光的光透过部件18a、18b；以支承光透过部件18a、18b的与处理室1相反侧、直接接触上述加热源17a、17b的方式设置的由高热传导性材料构成的冷却部件4a、4b；通过冷却介质对冷却部件4a、4b进行冷却的冷却机构。

公开(公告)号：CN100377319C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03817478.2

申请日：2003-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  田中澄 ,  齐藤哲也 ,  山本纪彦 ,  柳谷健一

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/448

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4481 ,  Y10T137/0324

Abstract: 本发明提供一种可以将在材料贮存槽内产生的原料气体几乎不产生压力损失地供给至处理装置的处理系统。该处理系统具有，为了对被处理体W实施预定处理，设置有向处理容器26内喷射由低蒸汽压的金属化合物M所形成的预定原料气体的气体喷射装置42的处理装置22；和向所述气体喷射装置供给所述预定原料气体的气体供给装置24。所述气体喷射装置是喷射头部，所述气体供给装置具备，从所述喷射头部向上方延伸的气体通路56；安装于所述气体通路的上端部，且内部收容所述金属化合物材料的材料贮存槽58；和开闭所述气体通路的开关阀60；在所述材料贮存槽中设置有用于向其导入载体气体的第一载体气体供给装置。

公开(公告)号：CN113284784B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202110172280.4

申请日：2021-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  川上聪 ,  田中澄

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。期待能够在基板的边缘附近高效地产生等离子体的载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。在一个例示性的实施方式中，提供一种具有载置面的载置台。该载置台的特征在于，载置台具有厚度，包括埋设有高频电极的载置台主体，载置台主体包含陶瓷，高频电极在载置面的外周部下方区域沿上述的厚度的方向延伸。

公开(公告)号：CN112466776A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202010876608.6

申请日：2020-08-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种对基片进行处理的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：能够在上表面载置基片并对所载置的该基片进行加热的载置台；构成为能够从上述载置台的上表面伸出或没入该上表面，并且能够支承基片的基片支承销；和光照射机构，其对载置于上述载置台的上表面的基片中的与上述基片支承销的伸出或没入位置对应的特定的部分照射光，以对该特定的部分进行加热。根据本发明，在用载置台来对载置于基片支承销所伸出或没入的载置台的上表面的基片进行加热的情况下，能够改善基片的温度的面内均匀性。

公开(公告)号：CN102651923A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210044596.6

申请日：2012-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  山崎良二 ,  芦田光利 ,  小畑雄治 ,  田中澄

IPC: H05B6/80 ,  H05B6/68 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H05B6/806

Abstract: 本发明提供一种微波照射装置，能够对被处理体照射微波，同时与此分别独立地进行被处理体的温度控制。在对被处理体(W)照射微波来进行处理的微波照射装置(2)中，具备：可以进行真空排气的处理容器(4)；支承被处理体的支承台(6)；导入处理气体的处理气体导入装置(106)；导入微波的微波导入装置(72)；加热被处理体的加热装置(16)；通过冷却气体冷却被处理体的气体冷却装置(104)；测量被处理体的温度的辐射温度计(64)；和基于辐射温度计的测量值来控制加热装置与气体冷却装置，从而调整被处理体的温度的温度控制部(70)。由此，一边对被处理体照射微波，一边与此分别独立地进行被处理体的温度控制。

公开(公告)号：CN101689486B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880022566.7

申请日：2008-06-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  川崎裕雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供一种载置台构造和热处理装置，该载置台构造包括：载置台，其具有由在分割成同心圆状的多个加热区域的每个分别配置的多个加热器部构成的加热单元，并且用于将作为热处理对象的被处理体载置在其上；在上述多个加热区域分别设置的多个温度测定单元；和用于立起并支承上述载置台的中空的支柱。上述支柱的直径从其下端部侧向上端部逐渐扩大，上述支柱的上端部与上述载置台的背面接合。各温度测定单元的测定单元主体插通上述中空的支柱内或在上述支柱的侧壁设置的插通路内。

公开(公告)号：CN101641459B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200880008882.9

申请日：2008-03-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4485 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明涉及的气化器(300)连接有多个块状的气化组件(310)，各气化组件具有：液态原料的喷出口；使从喷出口喷出的液态原料气化、生成原料气体的气化室(370)；贯通与其它气化组件接合的接合面而形成的液态原料流路(320)；和在液态原料流路的途中连通，将在该流路流通的液态原料导入喷出口的喷雾喷嘴，各气化组件利用其接合面与其它气化组件接合，由此各气化组件的液态原料流路全部连通。据此，在要求从小流量到大流量的各种原料气体的流量的情况下，能够不降低气化效率而根据该原料气体流量简单地变更气化器的构成。

公开(公告)号：CN101405842B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200780009418.7

申请日：2007-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  宫下大幸 ,  米田昌刚 ,  铃木智博 ,  田中澄 ,  野村正道 ,  清水美和

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种不会发生因热的影响导致发光量下降而引起的光能效率低这样的问题，从而能够保持稳定的性能的退火装置。其具有收纳晶片W的处理室1；面对晶片W的面而设置的、具有向晶片W照射光的多个LED33的加热源17a、17b；与加热源17a、17b对应而设置的、透过来自发光元件33的光的光透过部件18a、18b；以支承光透过部件18a、18b的与处理室1相反侧、直接接触上述加热源17a、17b的方式设置的由高热传导性材料构成的冷却部件4a、4b；通过冷却介质对冷却部件4a、4b进行冷却的冷却机构。