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    真空处理装置
    11.
    发明公开
    真空处理装置 失效

    公开(公告)号：CN1742113A

    公开(公告)日：2006-03-01

    申请号：CN200480002736.7

    申请日：2004-02-12

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 河西繁 ,  河东进 ,  小松智仁 ,  齐藤哲也 ,  田中澄

    IPC: C23C16/458 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/455

    Abstract: 本发明的真空处理装置具有以下部件：具有底部且可真空排气的处理容器；设置在所述处理容器内的载置台；对载置台上的基板进行加热的加热部；向处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；包围载置台和处理容器底部之间的空间，使该空间与处理容器内的处理空间隔离的隔离部；向由隔离部包围的空间内供给清洗气体的清洗气体供给部；从由隔离部包围的空间内对清洗气体进行排气的清洗气体排气部；应调整由隔离部包围的空间内的压力，控制清洗气体供给部及/或清洗气体排气部的控制部；和贯通处理容器底部，插入由所述隔离部包围的空间内，并具有与载置台接触的前端部的温度检测部，隔离部具有与处理容器底部面接触的下端部，控制部将被隔离部包围的空间内的压力调整到比处理容器内的处理空间内的压力高。

    气体供给装置及处理系统
    12.
    发明公开
    气体供给装置及处理系统 失效

    公开(公告)号：CN1672247A

    公开(公告)日：2005-09-21

    申请号：CN03817478.2

    申请日：2003-08-25

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 河西繁 ,  田中澄 ,  齐藤哲也 ,  山本纪彦 ,  柳谷健一

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/448

    CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4481 ,  Y10T137/0324

    Abstract: 本发明提供一种可以将在材料贮存槽内产生的原料气体几乎不产生压力损失地供给至处理装置的处理系统。该处理系统具有，为了对被处理体W实施预定处理，设置有向处理容器26内喷射由低蒸汽压的金属化合物M所形成的预定原料气体的气体喷射装置42的处理装置22；和向所述气体喷射装置供给所述预定原料气体的气体供给装置24。所述气体喷射装置是喷射头部，所述气体供给装置具备，从所述喷射头部向上方延伸的气体通路56；安装于所述气体通路的上端部，且内部收容所述金属化合物材料的材料贮存槽58；开闭所述气体通路的开关阀60。

    载置台、基板处理装置以及载置台的组装方法
    13.
    发明公开
    载置台、基板处理装置以及载置台的组装方法 无效

    公开(公告)号：CN112185881A

    公开(公告)日：2021-01-05

    申请号：CN202010599609.0

    申请日：2020-06-28

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 我妻雄一郎 ,  朝仓贤太朗 ,  齐藤哲也 ,  渡边将久

    IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

    Abstract: 本发明提供载置台、基板处理装置以及载置台的组装方法。抑制盖构件相对于载置台主体的位置偏移，利用用于抑制该位置偏移的机构防止载置台主体热膨胀或者热收缩时该载置台主体产生破损。载置基板的载置台包括：载置台主体，该载置台主体在上表面载置基板；盖构件，其覆盖载置台主体的上表面的外缘部；以及位置偏移防止用构件，其设于载置台主体的上表面与盖构件的下表面之间，能够滚动或者滑动，在载置台主体的上表面形成有收容位置偏移防止用构件的主体侧凹部，在盖构件的下表面形成有收容被主体侧凹部收容的位置偏移防止用构件的盖侧凹部，主体侧凹部和盖侧凹部中的至少任一者形成为具有沿着载置台主体的径向的倾斜面的研钵状。

    基板处理装置
    14.
    发明公开
    基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN111834281A

    公开(公告)日：2020-10-27

    申请号：CN202010275474.2

    申请日：2020-04-09

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 齐藤哲也 ,  我妻雄一郎

    IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。在利用载置台加热或冷却被载置到该载置台的基板的情况下，改善基板的温度的面内均匀性。一种基板处理装置，其是对基板进行处理的基板处理装置，其具备：载置台，其具有在上下方向上贯通的贯通孔，在上表面载置基板并进行所载置的该基板的加热和冷却中的至少任一者；升降销，其构成为，贯穿所述贯通孔，并且能够经由所述贯通孔从所述载置台的上表面突出；以及支承构件，其构成为能够支承所述升降销，所述升降销具有位于比所述载置台的下表面靠下侧的位置的凸缘部，所述支承构件通过与所述凸缘部卡合来支承所述升降销，所述载置台的所述贯通孔比所述升降销的所述凸缘部细。

    气体供给装置及处理系统
    15.
    发明授权
    气体供给装置及处理系统 失效

    公开(公告)号：CN100377319C

    公开(公告)日：2008-03-26

    申请号：CN03817478.2

    申请日：2003-08-25

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 河西繁 ,  田中澄 ,  齐藤哲也 ,  山本纪彦 ,  柳谷健一

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/448

    CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4481 ,  Y10T137/0324

    Abstract: 本发明提供一种可以将在材料贮存槽内产生的原料气体几乎不产生压力损失地供给至处理装置的处理系统。该处理系统具有，为了对被处理体W实施预定处理，设置有向处理容器26内喷射由低蒸汽压的金属化合物M所形成的预定原料气体的气体喷射装置42的处理装置22；和向所述气体喷射装置供给所述预定原料气体的气体供给装置24。所述气体喷射装置是喷射头部，所述气体供给装置具备，从所述喷射头部向上方延伸的气体通路56；安装于所述气体通路的上端部，且内部收容所述金属化合物材料的材料贮存槽58；和开闭所述气体通路的开关阀60；在所述材料贮存槽中设置有用于向其导入载体气体的第一载体气体供给装置。

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