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公开(公告)号：CN101819918A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010102641.X
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
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公开(公告)号：CN100495654C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200480003417.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。
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公开(公告)号：CN101042992B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710089464.4
申请日：2007-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的立式等离子体处理装置，其包括一体地附设在处理容器上并由具有绝缘性内面的壳体形成的气密的附属室。附属室横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而具有等离子体发生区域。在处理区域与等离子体发生区域之间配设具有绝缘性表面的分隔板。分隔板具有横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而形成的气体流路。处理气体在通过等离子体发生区域时被激发，通过气体流路而被供给处理区域。
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公开(公告)号：CN101051606B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710095828.X
申请日：2007-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/318 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C23C16/00 , C23C16/455 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45536 , C23C16/45546 , C23C16/45574
Abstract: 一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，包括处理容器，该处理容器具有收纳隔开间隔而层积的多个被处理基板的处理区域和偏离上述处理区域的边缘空间。当处理被处理基板时，通过同时从处理气体供给系统将处理气体供给处理区域、和从阻挡气体供给系统将阻挡气体供给边缘空间，抑制处理气体流入边缘空间。
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公开(公告)号：CN100474526C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200580029854.1
申请日：2005-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供一种对被处理体(W)实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，该装置包括：能够抽成真空的处理容器(12)、保持上述被处理体的被处理体保持单元(20)、产生高频电压的高频电源(58)和将经过等离子体化的等离子体化气体供给至上述处理容器内的等离子体气体供给单元(38)。为了在上述处理容器内产生等离子体，通过配线(60)使均处于激发电极状态的一对等离子体电极(56A、56B)与上述高频电源的输出侧连接。并且，在上述配线的中途设置有高频匹配单元(72)，进一步使等离子体电极(56A、56B)均不接地。由此，能够增高等离子体密度，并提高等离子体生成效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101051606A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710095828.X
申请日：2007-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/318 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C23C16/00 , C23C16/455 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45536 , C23C16/45546 , C23C16/45574
Abstract: 一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，包括处理容器，该处理容器具有收纳隔开间隔而层积的多个被处理基板的处理区域和偏离上述处理区域的边缘空间。当处理被处理基板时，通过同时从处理气体供给系统将处理气体供给处理区域、和从阻挡气体供给系统将阻挡气体供给边缘空间，抑制处理气体流入边缘空间。
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公开(公告)号：CN100337313C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN03807528.8
申请日：2003-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供了一种可提高处理区域内的处理气体排气效率，和可以可靠抑制等离子体泄漏的等离子体处理装置。磁控管式平行平板等离子体处理装置(30)具有处理室容器(3)；处理室容器(3)包括：在其顶部有多个气体导入孔的上部电极(1)；在其下部有顶部带有载置作为被处理体的半导体晶片(W)的载置面的下部电极(2)；和在下部电极(2)的顶部位置上，将处理室容器(3)内部隔离成处理区域(8)和排气区域(9)的隔离板(50)。隔离板(50)具有应将处理区域(8)内的处理气体排出至排气区域(9)的、连通处理区域(8)和排气区域(9)的多个气体通路孔(5a)；同时由非导电性部(5b)构成。在与气体通路孔(5a)相对的气体通路侧面(20b)上配置导电性部件(5c)。在导电性部件(5c)上，由电源(21)加电压(V)，使气体通路侧面(20b)的电位比处理区域面(20a)的电位高。
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公开(公告)号：CN101010786A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029854.1
申请日：2005-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供一种对被处理体(W)实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，该装置包括：能够抽成真空的处理容器(12)、保持上述被处理体的被处理体保持单元(20)、产生高频电压的高频电源(58)和将经过等离子体化的等离子体化气体供给至上述处理容器内的等离子体气体供给单元(38)。为了在上述处理容器内产生等离子体，通过配线(60)使均处于激发电极状态的一对等离子体电极(56A、56B)与上述高频电源的输出侧连接。并且，在上述配线的中途设置有高频匹配单元(72)，进一步使等离子体电极(56A、56B)均不接地。由此，能够增高等离子体密度，并提高等离子体生成效率。
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公开(公告)号：CN1908228A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610108370.2
申请日：2006-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在第一、第二、第三和第四工序中，分别供给第一处理气体、吹扫气体、第二处理气体以及吹扫气体，停止剩下的两种气体的供给。在第一工序至第四工序，通过配置开度调整用阀的排气通路继续给处理区域内真空排气。将第一工序的阀开度设定为第二和第四工序的阀开度的5～95％。
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公开(公告)号：CN103354202B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310258380.4
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
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