公开(公告)号：CN110476225B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201880022445.6

申请日：2018-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  浅田泰生 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种在相对于Si层、SiO2层以及SiN层中的至少一种层选择性地对形成于晶圆的SiGe层进行蚀刻时使蚀刻量一致的技术。在交替地层叠的SiGe层(100)和Si层(101)在凹部(103)内露出的晶圆(W)中通过侧向蚀刻对SiGe层HF气体。因此，各SiGe层(100)的蚀刻速度变得均匀，能够使各SiGe层(100)的蚀刻量一致。(100)进行蚀刻时，向晶圆W同时供给ClF3气体和

公开(公告)号：CN111755329A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010200967.X

申请日：2020-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  萩原彩乃 ,  浅田泰生 ,  山口达也

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，具体来说，[课题]防止蚀刻气体通过多孔膜的孔部而使蚀刻非对象膜被蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对基板供给蚀刻气体，对设置于该基板的含硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下工序：胺气体供给工序，对依次相邻地设有前述含硅膜、多孔膜、对前述蚀刻气体具有被蚀刻性的蚀刻非对象膜的基板供给胺气体，使胺吸附于前述多孔膜的形成孔部的孔壁；和，蚀刻气体供给工序，对前述孔壁上吸附有胺的基板供给用于对前述含硅膜进行蚀刻的蚀刻气体。

公开(公告)号：CN110504165B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910375455.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 折居武彦 ,  浅田泰生 ,  林军 ,  萩原彩乃 ,  入江伸次 ,  田内启士 ,  和田翔

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F2气的第一含氟气体和至少包含ClF3气体、IF7气体、IF5气体或SF6气体的第二含氟气体两者。

公开(公告)号：CN109979815B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201811610534.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅田泰生 ,  折居武彦 ,  入江伸次 ,  高桥信博 ,  萩原彩乃 ,  山口达也

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在向沿着横向按照含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的顺序相邻地设置有含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的基板供给蚀刻气体而将含硅膜去除时，防止非蚀刻对象膜的蚀刻。实施如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，供给成膜气体(21、22)，在多孔质膜(15)的孔部(16)成膜穿过防止膜(23)，该穿过防止膜(23)用于防止对含硅膜(14)进行蚀刻的蚀刻气体(24)穿过该孔部(16)而向非蚀刻对象膜(11)供给；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，在形成有穿过防止膜(23)的状态下，供给蚀刻气体(24)而对含硅膜(14)进行蚀刻。

公开(公告)号：CN115244661A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180020371.4

申请日：2021-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  清水昭贵 ,  浅田泰生

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一种基板的处理方法，是交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板的处理方法包括以下工序：使用被利用远程等离子体自由基化后的、包含氟和氧的气体，选择性地将所述硅锗层的露出面的表层氧化来形成氧化膜；以及去除所形成的所述氧化膜。

公开(公告)号：CN110504165A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910375455.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 折居武彦 ,  浅田泰生 ,  林军 ,  萩原彩乃 ,  入江伸次 ,  田内启士 ,  和田翔

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F2气的第一含氟气体和至少包含ClF3气体、IF7气体、IF5气体或SF6气体的第二含氟气体两者。

公开(公告)号：CN109979815A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811610534.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅田泰生 ,  折居武彦 ,  入江伸次 ,  高桥信博 ,  萩原彩乃 ,  山口达也

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在向沿着横向按照含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的顺序相邻地设置有含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的基板供给蚀刻气体而将含硅膜去除时，防止非蚀刻对象膜的蚀刻。实施如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，供给成膜气体(21、22)，在多孔质膜(15)的孔部(16)成膜穿过防止膜(23)，该穿过防止膜(23)用于防止对含硅膜(14)进行蚀刻的蚀刻气体(24)穿过该孔部(16)而向非蚀刻对象膜(11)供给；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，在形成有穿过防止膜(23)的状态下，供给蚀刻气体(24)而对含硅膜(14)进行蚀刻。