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    基板处理装置
    11.
    发明授权
    基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN101540281B

    公开(公告)日：2012-06-13

    申请号：CN200910126383.6

    申请日：2009-03-10

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 津田荣之辅

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能降低产品成本，并能使保养维修更加省时省力。该基板处理装置包括：处理室(11)，其使用多种气体对被处理基板实施处理；气体导入部(12)，其被设置在处理室(11)中，将多种气体导入处理室(11)内；进气块(13)，其被配置在处理室(11)上，在其内部具有将多种气体从气体供给机构(14)导入气体导入部(12)中的多条气体流路(13b)，和加热在这些气体流路中的至少一条流路中流动的气体的加热器(23)。

    成膜装置的排气系统结构、成膜装置和排出气体的处理方法
    12.
    发明授权
    成膜装置的排气系统结构、成膜装置和排出气体的处理方法 有权

    公开(公告)号：CN101356298B

    公开(公告)日：2011-06-15

    申请号：CN200780001294.8

    申请日：2007-04-02

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 津田荣之辅

    IPC: C23C16/44

    CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/34

    Abstract: 本发明的成膜装置(100)具有处理容器(11)，向处理容器(11)内供给TiCl4气体和NH3气体，利用CVD在配置于处理容器(11)内的基板(W)上形成TiN膜。在处理容器(11)中设置有排气系统结构(300)。该排气系统结构(300)包括：排出处理容器(11)内的排出气体的排气管(51)；设置于排气管(51)上用于捕捉排出气体中的副产物的捕集结构(54)；和加热反应气体供给机构(60)，在对用于与排出气体中的成分反应得到规定副产物的反应气体进行加热后的状态下，向排出气体中供给该反应气体。从加热反应气体供给机构(60)供给NH3气体作为加热反应气体，生成NH4C1作为副产物。

    加热装置和基板处理装置
    15.
    发明公开
    加热装置和基板处理装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN119137728A

    公开(公告)日：2024-12-13

    申请号：CN202380036865.0

    申请日：2023-04-26

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 津田荣之辅

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

    Abstract: 一种加热装置，其对直接或隔着其他构件间接地载置于该加热装置的基板进行加热，其中，该加热装置具有：线状的加热器；以及基材，其具有自与所述基板侧相反的一侧朝向所述基板侧凹陷且在内部固定有所述加热器的槽，所述槽在近前侧具有与所述加热器接触的接触部，在里侧具有与所述加热器不接触的非接触部。

    氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统
    16.
    发明授权
    氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统 有权

    公开(公告)号：CN108573866B

    公开(公告)日：2022-12-16

    申请号：CN201810191647.5

    申请日：2018-03-08

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 小林岳志 ,  佐久间隆 ,  山崎英亮 ,  清水梨央 ,  津田荣之辅

    IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065

    Abstract: 本发明提供氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统。该氧化膜去除方法在将形成于图案底部的硅部分的含硅氧化膜去除时抑制CD损失。所述氧化膜去除方法用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法包括以下工序：通过基于碳系气体的等离子体的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于图案的底部的含硅氧化膜去除；通过化学蚀刻，来去除各向异性等离子体蚀刻后的含硅氧化膜的残余部分；以及去除在化学蚀刻后残留的残渣。

    载置台、处理基片的装置和对基片进行温度调节的方法
    17.
    发明公开
    载置台、处理基片的装置和对基片进行温度调节的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113921451A

    公开(公告)日：2022-01-11

    申请号：CN202110737507.5

    申请日：2021-06-30

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 小林聪树 ,  津田荣之辅

    IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

    Abstract: 本发明提供载置台、处理基片的装置和对基片进行温度调节的方法，能够对基片在面内均匀地进行温度调节。载置台包括：载置台主体，其能够载置基片，并且至少接收来自外部的热输入；冷媒流路，其设置于上述载置台主体，用于用冷媒从上述载置台主体吸收热；切换机构，将对上述冷媒流路供给上述冷媒的位置和从上述冷媒流路排出上述冷媒的位置在上述冷媒流路的一端与另一端之间切换，以将冷媒在上述冷媒流路内流动的方向反转；以及控制部，上述控制部构成为能够在上述载置台主体接收热输入的期间中，控制上述切换机构以使得反复反转上述冷媒流动的方向。

    原料容器
    18.
    发明授权
    原料容器 有权

    公开(公告)号：CN110016654B

    公开(公告)日：2022-01-11

    申请号：CN201811516405.5

    申请日：2018-12-12

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 古屋雄一 ,  森宏将 ,  津田荣之辅 ,  小森荣一 ,  木元大寿

    IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455

    Abstract: 本发明提供一种能够使多个托盘内的原料的消耗量之差减小的原料容器。一实施方式的原料容器具备壳体、托盘组件以及多个筒状构件。壳体提供载气的导入口、和开口，含有原料的蒸气的气体从该开口输出。托盘组件包括多个托盘。多个托盘叠置于壳体中。多个筒状构件各自具有圆筒形状。多个筒状构件沿着径向排列于托盘组件与壳体之间。多个筒状构件中的最外侧的筒状构件提供狭缝，其他一个以上的筒状构件各自提供多个狭缝。在从导入口到托盘组件与最内侧的筒状构件之间的间隙为止，载气的流路利用多个筒状构件阶段性地向上方和下方分支。

    成膜装置、成膜方法、存储介质及气体供给装置
    19.
    发明授权
    成膜装置、成膜方法、存储介质及气体供给装置 失效

    公开(公告)号：CN101755325B

    公开(公告)日：2012-07-18

    申请号：CN200880025121.4

    申请日：2008-09-11

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 津田荣之辅

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

    CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/52 ,  H01L21/31691 ,  Y10T137/8593

    Abstract: 一种成膜装置，具备处理容器(2)、配置在处理容器(2)内且用于载置基板W的载置台(3)、与载置台(3)相对地配置且供给第一处理气体的第一气体供给孔(51b)、供给第二处理气体的第二气体供给孔(52b)、以及供给第三处理气体的第三气体供给孔(53b)的气体供给面(40a)的气体喷头(4)。气体供给面(40a)被分割成由互为相同大小的正三角形构成的单元区划(401)，在构成该单元区划(401)的各正三角形的三个顶点分别设有所述第一气体供给孔(51b)、所述第二气体供给孔(52b)和所述第三气体供给孔(53b)。第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体各自互不相同，使这些第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体相互反应，在基板W的表面形成薄膜。

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