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公开(公告)号:CN106206378A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610591115.1
申请日:2013-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L51/56
CPC classification number: H01L51/0026 , H01L21/67161 , H01L21/67748 , H01L21/68742
Abstract: 本发明公开了一种减压干燥装置,其对利用喷墨打印装置形成于基板上的有机材料膜进行减压干燥处理,该减压干燥装置具有:耐压容器,其构成为能够在大气压状态和真空状态之间切换;冷却板,其对容纳于上述耐压容器的内部的上述基板进行冷却;以及多个可动销,其以能够相对于上述冷却板的表面突出或没入的方式设置,用于在冷却上述基板的期间以上述基板与上述冷却板的表面分开的状态支承上述基板。
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公开(公告)号:CN102754192A
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN201180008727.9
申请日:2011-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B5/02 , H01L21/02046 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法,其能够清除基板上附着的异物,且防止基板和该基板上形成的膜的劣化。向附着有异物(22)且配置在几乎真空气氛中的晶片(W)以0.3MPa~2.0MPa中的任一压力喷雾清洗气体形成包含多个气体分子(20)的团簇(21),使该团簇(21)不离子化就向晶片(W)碰撞。
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公开(公告)号:CN101937825B
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN201010211047.4
申请日:2010-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 兵库县
CPC classification number: H01J49/282
Abstract: 本发明要解决的问题是提供可使离子化的气体团簇适当地发生偏转的电荷粒子分选装置以及电荷粒子照射装置。本发明通过提供下述用于分选离子化的气体团簇的电荷粒子分选装置来解决上述问题。该电荷粒子分选装置包括:电场施加部,所述电场施加部沿所述气体团簇的前进方向排列,用于施加电场;以及狭缝,用于分选所述气体团簇;所述电场施加部由两片电极构成,通过向所述电极施加交流电压来使离子化的气体团簇发生偏转,其中所述电极具有开口部或间隙。
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公开(公告)号:CN101930894A
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN201010210871.8
申请日:2010-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 兵库县
CPC classification number: H01J49/421 , H01J27/026 , H01J37/147 , H01J2237/3142 , H01J2237/3151 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明要解决的问题是提供按价数分选气体团簇的电荷粒子分选装置以及电荷粒子照射装置。本发明通过提供下述用于分选离子化的气体团簇的电荷粒子分选装置来解决上述问题。该电荷粒子分选装置包括:三个以上电场施加部,所述三个以上电场施加部沿所述气体团簇的前进方向排列,用于施加电场;以及狭缝,用于分选所述气体团簇;其中,所述电场施加部由两片电极构成,并通过向所述电极施加交流电压来使离子化的气体团簇发生偏转,相邻的所述电场施加部被施加不同相位的交流电压,所述狭缝在所述气体团簇入射的方向的延长线上具有开口部。
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公开(公告)号:CN100547109C
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200510109502.9
申请日:2005-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 近藤英一
CPC classification number: C23C18/08
Abstract: 本发明提供一种在基板上沉积的沉积方法,包括以下步骤:使用将前体加入超临界态介质而制成的加工介质。将该前体加入超临界态介质中,而该前体是溶解于有机溶剂中的。
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公开(公告)号:CN102754192B
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201180008727.9
申请日:2011-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B5/02 , H01L21/02046 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法,其能够清除基板上附着的异物,且防止基板和该基板上形成的膜的劣化。向附着有异物(22)且配置在几乎真空气氛中的晶片(W)以0.3MPa~2.0MPa中的任一压力喷雾清洗气体形成包含多个气体分子(20)的团簇(21),使该团簇(21)不离子化就向晶片(W)碰撞。
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公开(公告)号:CN104488358B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201380039479.3
申请日:2013-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L51/0026 , H01L21/67161 , H01L21/67748 , H01L21/68742
Abstract: 烘焙处理系统(100)包括:真空烘焙装置((VB)1),其用于以大气压以下的压力对利用外部的喷墨打印装置((IJ)200)形成于基板(S)上的有机材料膜进行焙烧;输送装置(11),其用于将基板(S)向真空烘焙装置((VB)1)输送;输送室((TR)10),其能抽成真空,用于容纳输送装置(11);加载互锁装置((LL)20),其构成为能够在大气压状态和真空状态之间切换;以及输送装置(31),其配置于基板输送路径中的位于喷墨打印装置((IJ)200)和加载互锁装置((LL)20)之间的部分,用于进行基板(S)的交接。
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公开(公告)号:CN102754194B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201180008696.7
申请日:2011-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C14/32 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76814 , C23C14/046 , C23C14/221 , C23C16/0281 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基板的配线方法,其能够将Cu埋入至在基板上形成的配线用图案的底部。该基板的配线方法是在保持为真空状态的处理容器(100)内对形成有配线用图案的基板进行配线的方法,其特征在于:包括用所期望的清洗气体清洗晶片上的配线用图案的前工序和在前工序之后使用团簇化后的金属气体(金属气体团簇Cg)在配线用图案内埋入金属纳米粒子的埋入工序。
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公开(公告)号:CN102260849B
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201110127822.2
申请日:2011-05-12
Applicant: 兵库县 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/08 , G03F7/427 , H01J2237/006 , H01J2237/0812 , H01J2237/31 , H01L21/02041 , H01L21/31116
Abstract: 本发明要解决的问题在于提供能够容易地控制液体原料的团簇和气体原料的团簇的比率的团簇束产生装置以及方法、基板处理装置以及方法。本发明通过提供下述团簇束产生装置来解决上述问题,该团簇束产生装置产生团簇束,其特征在于包括:混合器,所述混合器混合气体原料和液体原料;喷嘴,所述喷嘴将在所述混合器中混合的所述气体原料和所述液体原料以团簇束的形式供应;以及温度调节部,所述温度调节部调节所述喷嘴的温度;其中,通过利用所述温度调节部改变所述喷嘴的温度来调节所述团簇束中所述液体原料的团簇和所述气体原料的团簇的比率。
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公开(公告)号:CN102263012A
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:CN201110127811.4
申请日:2011-05-12
Applicant: 兵库县 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02024 , C30B33/00 , H01L29/1608
Abstract: 本发明涉及表面处理方法以及表面处理装置。所述表面处理方法可提高基板等的表面的平坦性。一种表面处理方法,其特征在于,包括以下工序:第一处理工序,产生不包含氮的原料的气体团簇离子束,并将其照射到被处理部件;以及第二处理工序,产生氮的气体团簇离子束,并将其照射到所述被处理部件。通过上述表面处理方法,可解决上述问题。
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