公开(公告)号：CN108063105B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN201711090661.8

申请日：2017-11-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广木勤

IPC: H01L21/67 ,  G05D23/00

Abstract: 本发明提供一种将温度的不同的两种热交换介质交替供给到载置台的供给装置。供给装置具有一个以上的阀装置。一个以上的阀装置各自具有筒状的外壳和轴体。外壳提供第一～第二入口和第一～第二出口。第一～第二入口分别与第一～第二介质温度调节器连接。第一～第二出口与载置台的对应的区域连接。轴体插入外壳内。在轴体形成有第一供给槽和第二供给槽。轴体的绕中心轴线的旋转角度位置处于第一角度范围时，第一供给槽连接第一入口和第一出口，轴体的绕中心轴线的旋转角度位置处于第二角度范围时，第二供给槽连接第二入口和第二出口。

公开(公告)号：CN102741995A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180008287.7

申请日：2011-02-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广木勤

IPC: H01L21/677 ,  B65G49/06

CPC classification number: H01L21/683 ,  B65G49/061 ,  B65G2249/045 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明提供基板保持用具、基板输送装置及基板处理装置。基板保持用具也不受基板的背面状态、翘曲的影响，即使基板的位置在输送体的载置面上有一些偏移，也能以正确的姿势稳定地保持基板。在该基板保持用具（50）保持半导体晶圆（W）的周缘部时，该基板保持用具（50）的垫主体（52）上的一部分草状突起部（54）的隐藏在半导体晶圆（W）之下，其余的草状突起部（54）暴露出到半导体晶圆（W）之外。并且，隐藏在半导体晶圆（W）之下的突起部（54）与半导体晶圆（W）的背面（WB）接触，使半导体晶圆（W）在重力的作用下下沉恰好的深度，主要沿纵向保持半导体晶圆（W）。另外，在半导体晶圆（W）的周缘部附近暴露出的突起部（54）中的若干突起部（54）与半导体晶圆（W）的侧面（WS）接触，主要沿横向保持半导体晶圆（W）。

公开(公告)号：CN102024734A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010281700.4

申请日：2010-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广木勤

IPC: H01L21/677

CPC classification number: B65G49/00 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67778

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，所述基板处理装置无需对常压搬运室采取大规模的防腐蚀对策，并且也不会降低生产率。设置迂回路径(24)，该迂回路径(24)用于将基板(W)在不经由作为常压搬运室的装载组件(15)的情况下从装载锁定室(14b)搬运至贮存器(26)。在该迂回路径(24)中配置有副搬运单元(36)，该副搬运单元(36)将处理完的基板(W)从装载锁定室(14b)搬运至贮存器(26)。通过该副搬运单元(36)将处理完的基板(W)从装载锁定室(14b)搬运至贮存器(26)，并通过装载组件(15)的主搬运单元(18)将处理完的基板(W)从贮存器(26)送回到载置台(22a～22c)的搬运容器中。

公开(公告)号：CN101911275A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880123293.5

申请日：2008-12-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广木勤

IPC: H01L21/677 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C23C14/568 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67751

Abstract: 真空处理装置包括：预备真空室，其内部压力能够被切换为常压和负压，衬底被运入运出该预备真空室；对衬底进行各种处理的多个真空处理室；真空运送室，其与预备真空室以及多个真空处理室连接，并包括在预备真空室和多个真空处理室之间运送衬底的衬底运送机构、以及形成在底部或顶棚部的凹部；附属模块，其对衬底运送机构进行预定的处理；以及升降机构，其在第一位置和第二位置之间移动附属模块，其中，第一位置是附属模块被容纳到凹部以便不妨碍衬底运送机构运送衬底的位置，第二位置是衬底通过衬底运送机构能够进出附属模块的位置。

公开(公告)号：CN101394965A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007624.4

申请日：2007-08-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新藤健弘 ,  广木勤

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/073 ,  H01L21/027 ,  H01S3/00

CPC classification number: B23K26/046 ,  B23K26/042 ,  B23K26/705 ,  H01L21/681

Abstract: 本发明提供一种激光发射装置的位置调整方法。该方法简单地使激光位置对准，能以更高的精度且在更短的时间调整激光的焦点等。该方法执行以下工序：将自周缘部朝着中心而形成有规定宽度的狭缝(500)的调整用基板(Wadj)放置在载置台上，以便来自激光发射装置(100)的激光通过狭缝；自调整用基板的背面侧通过狭缝朝着配置在调整用基板表面侧的光能测量装置(300)的受光面照射激光；一边使激光发射装置沿着光轴方向移动，一边由光能测量装置测量照射到该受光面的激光的能量的变化，基于该受光面能量的变化将激光发射装置的光轴方向的位置调整到期望位置。

公开(公告)号：CN101351878A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200780001097.6

申请日：2007-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广木勤

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/68 ,  H01L21/681

Abstract: 本发明提供一种基板交接装置、基板处理装置、基板交接方法。不使用搬运臂、而仅用基板交接装置来校正基板的水平方向位置偏移。该基板交接装置具有：多个支承销(132A～132C)，它们绕载置台(112)的支承轴(114)分离开地配置，在基板下表面支承基板例如晶圆(W)；基台(134)，其安装有支承销；上下驱动部件(Z方向驱动部件138Z)，其借助基台上下驱动支承销，从而使晶圆W进行升降；水平方向驱动部件(X方向驱动部件138X、Y方向驱动部件138Y)，它们借助基台水平驱动支承销，以调整晶圆的水平方向(X、Y方向)位置的。

公开(公告)号：CN100383918C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200510134002.0

申请日：2005-12-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广木勤

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22 ,  C23F4/00 ,  F16K51/02

CPC classification number: H01L21/67126 ,  F16K1/24 ,  F16K51/02

Abstract: 本发明提供一种不向大气开放搬送室也能更换密封部件的门阀装置。在安装于处理腔室(4)的搬入开口、开闭与真空状态的搬送室(6)之间的门阀装置(12)中，包括：可开闭搬入开口而装配的阀体(44)；可装卸地安装于阀体的表面、与搬入开口周围的装配面气密接触的密封部件(66)；以距离该密封部件规定的间隔而包围设置在密封部件的外周的维护用密封部件(68)；维护用开口(72)，在装配阀体时、在密封部件露出状态下，成为由维护用密封部件可气密地密封的大小；可装卸地气密堵塞所述维护用开口的外侧的维护用开闭盖(74)；和能够使阀体在搬入开口与维护用开口之间移动而安装的阀体驱动机构(46)。

公开(公告)号：CN1698191A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000334.3

申请日：2004-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广木勤

IPC: H01L21/68 ,  B65G49/07

CPC classification number: H01L21/67766 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745

Abstract: 半导体处理系统中的移送装置(17)包括能够分别在相互平行的有第一和第二垂直平面上移动的第一和第二支持部的第一和第二动作机构(9A、9B)。按照通过第一和第二动作机构以水平状态移动的方式由第一和第二支持部支持第一和第二移动台(18A、18B)。在第一和第二移动台上，分别配置着接收被处理基板(W)的能够伸缩的第一和第二搬运机构(19A、19B)。控制部(20)使第一和第二移动台互不干涉地控制第一和第二动作机构的动作。

公开(公告)号：CN112582246B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202010978160.9

申请日：2020-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广木勤

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供处理基片的装置和清洁工作台的方法。在基片处理装置的工作台载置要处理的基片，从液体供给部供给用于进行基片的温度调节的液体，该液体流过形成于工作台内的流路。控制部进行如下控制：在将上述流路内的流体从上述液体用从气体供给部供给的气体进行置换之后，用加热部将上述工作台加热到高于液体的使用温度的温度以除去附着物。本发明能够避免在伴随工作台的加热对温度调节用的液体造成影响的同时，对该工作台进行清洁。

公开(公告)号：CN118891395A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380027577.9

申请日：2023-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广木勤 ,  金丸进悟

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

Abstract: 基板处理装置具备：处理容器，将基板收容于内部空间；基座，在所述内部空间中对所述基板进行载置；气体供给部，向所述内部空间供给处理气体；以及气体排出部，将包含所述处理气体的废气从所述内部空间排出。所述气体排出部具有：一个以上的排气口，与所述处理容器的所述内部空间连通并且沿着该处理容器的内周面的周向延伸，供所述废气流入；以及多个排气通路，与一个以上的所述排气口连通，并在所述处理容器的壁的内部延伸。